О внесении изменений в федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы

ПРАВИТЕЛЬСТВО РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ПОСТАНОВЛЕНИЕ от 8 сентября 2011 г. № 763 МОСКВА О внесении изменений в федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы Правительство Российской Федерации постановляет: Утвердить прилагаемые изменения, которые вносятся в федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы, утвержденную постановлением Правительства Российской Федерации от 26 ноября 2007 г. № 809 (Собрание законодательства Российской Федерации, 2007, № 51, ст. 6361; 2009, № 9, ст. 1130). Председатель Правительства Российской Федерации В.Путин УТВЕРЖДЕНЫ постановлением Правительства Российской Федерации от 8 сентября 2011 г. № 763 ИЗМЕНЕНИЯ, которые вносятся в федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы 1. В паспорте Программы: а) позицию, касающуюся государственных заказчиков Программы, изложить в следующей редакции: "Государственные заказчики Программы - Министерство промышленности и торговли Российской Федерации, Федеральное космическое агентство, Министерство образования и науки Российской Федерации, Федеральная служба по техническому и экспортному контролю, Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом"; б) в позиции, касающейся важнейших целевых индикатора и показателей: в абзаце втором слова "Ожидается, что в 2008 году в организациях микроэлектроники будет освоен технологический уровень 0,18 мкм, что обеспечит" заменить словами "В организациях микроэлектроники в 2008 году освоен технологический уровень 0,18 мкм, что позволило обеспечить"; в абзаце третьем цифры "0,09" заменить цифрами "0,13"; в абзаце пятом цифры "64" заменить цифрами "62", цифры "117" заменить цифрами "114"; в) в позиции, касающейся объемов и источников финансирования Программы: в абзаце первом цифры "187000" заменить цифрами "179224,366"; в абзаце втором цифры "110000" заменить цифрами "106844,71", цифры "66000" заменить цифрами "63908,3", цифры "44000" заменить цифрами "42936,41"; в абзаце третьем цифры "77000" заменить цифрами "72379,656; г) в позиции, касающейся ожидаемых конечных результатов реализации Программы и показателей социально-экономической эффективности: в абзаце тринадцатом цифры "198577,2" заменить цифрами "203443,4", цифры "125045,9" заменить цифрами "131640"; в абзаце четырнадцатом цифры "2,7" заменить цифрами "2,8". 2. Предложения третье и четвертое абзаца четвертого подраздела, касающегося целевых индикатора и показателей реализации Программы, раздела II заменить текстом следующего содержания: "В результате реализации Программы в 41 организации электронной промышленности Министерства промышленности и торговли Российской Федерации будут созданы центры проектирования, а в 96 - осуществлены реконструкция и техническое перевооружение. Кроме того, техническое перевооружение будет осуществлено в одной организации, подведомственной Федеральной службе по техническому и экспортному контролю. Также к 2015 году центры проектирования будут созданы в 21 организации Государственной корпорации по атомной энергии "Росатом", Федерального космического агентства и Министерства образования и науки Российской Федерации, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса, а в 17 - осуществлены реконструкция и техническое перевооружение.". 3. В разделе IV: а) в абзаце первом цифры "187000" заменить цифрами "179224,366"; б) в абзаце втором цифры "110000" заменить цифрами "106844,71"; в) в абзаце третьем цифры "66000" заменить цифрами "63908,3"; г) в абзаце четвертом цифры "44000" заменить цифрами "42936,41"; д) в абзаце пятом цифры "77000" заменить цифрами "72379,656"; е) в абзаце седьмом цифры "33000" заменить цифрами "32500". 4. В абзаце десятом раздела V слова "Федеральное агентство по науке и инновациям, Федеральное агентство по образованию" заменить словами "Министерство образования и науки Российской Федерации, Федеральная служба по техническому и экспортному контролю". 5. В разделе VI: а) в абзаце пятом цифры "198577,2" заменить цифрами "203443,4"; б) в абзаце шестом цифры "64374,4" заменить цифрами "64554,9"; в) в абзаце седьмом цифры "125045,9" заменить цифрами "131640"; г) в абзаце девятом цифры "1,52" заменить цифрами "1,54"; д) в абзаце десятом цифры "2,7" заменить цифрами "2,8". 6. Приложения № 1 - 4 к указанной Программе изложить в следующей редакции: "ПРИЛОЖЕНИЕ № 1 к федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы (в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 8 сентября 2011 г. № 763) ИНДИКАТОР И ПОКАЗАТЕЛИ реализации мероприятий федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы Единица измерения 2007 год 2008 год 2009 год 2010 год 2011 год 2012 год 2013 год 2014 год 2015 год Индикатор Достигаемый технологический уровень электроники мкм 0,18 0,18 0,13 0,13 0,09 0,09 0,09 0,09 0,045 Показатели Увеличение объемов продаж изделий электронной и радиоэлектронной техники млрд. рублей 19 58 70 95 130 170 210 250 300 Количество разработанных базовых технологий в области электронной компонентной базы и радиоэлектроники (нарастающим итогом) - 3-5 16-20 80-90 125-135 179-185 210 230 250 260-270 Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Минпромторга России (нарастающим итогом) - 1 8 10 14 30 30 31 31 42 Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Росатома, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом) - - - - - 1 1 1 4 4 Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Роскосмоса, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом) - - - - - - 1 3 3 10 Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Минобрнауки России, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом) - - 1 1 2 2 3 5 5 7 Количество объектов реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Минпромторга России (нарастающим итогом) - - 1 5 8 18 21 25 25 96 Количество объектов реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях ФСТЭК России (нарастающим итогом) - - - - - - 1 1 1 1 Количество объектов реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Росатома, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом) - - - - - - - 1 1 9 Количество объектов реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Роскосмоса, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом) - - - - - - - 1 1 8 Количество завершенных поисковых технологических научно-исследовательских работ (нарастающим итогом) - 1 3 9 9-10 10-12 12-14 14-16 16-18 20-22 Количество реализованных мероприятий по созданию электронной компонентной базы, соответствующей мировому уровню (типов, классов новой электронной компонентной базы) (нарастающим итогом) - 4 11-12 16-20 22-25 36-40 41-45 45-50 50-55 55-60 Количество создаваемых рабочих мест (нарастающим итогом) - 450 1020- 1050 1800- 2200 3000- 3800 3800- 4100 4100- 4400 4400- 4700 4700- 5000 5000- 6000 _______________ ПРИЛОЖЕНИЕ № 2 к федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы (в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 8 сентября 2011 г. № 763) ПЕРЕЧЕНЬ мероприятий федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы (млн. рублей, в ценах соответствующих лет) Мероприятия 2008 - 2015 годы - всего В том числе Ожидаемые результаты 2008 год 2009 год 2010 год 2011 год 2012 год 2013 год 2014 год 2015 год I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы Направление 1. Сверхвысокочастотная электроника 1. Разработка технологии производства мощных сверхвысокочастотных транзисторов на основе гетероструктур материалов группы А В 3 5 128,624 84 66 44 62,624 40 создание базовой технологии производства мощных сверхвысокочастотных транзисторов на основе гетероструктур материалов группы А 3 В 5 для бортовой и наземной аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 2. Разработка базовой технологии производства монолитных сверхвысокочастотных микросхем и объемных приемо- передающих сверхвысокочастотных субмодулей X-диапазона 208,25 137,7 30,5 20 39,5 26 53,25 35,5 31,8 21,2 53,2 35 создание базовой технологии производства монолитных сверхвысокочастотных микросхем и объемных приемо-передающих сверхвысокочастотных субмодулей X-диапазона на основе гетероструктур материалов группы А 3 В 5 для бортовой и наземной аппаратуры радиолокации, средств связи (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 3. Разработка базовой технологии производства мощных сверхвысокочастотных полупроводниковых приборов на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур 212,75 134,75 141,75 87,75 71 47 создание технологии производства мощных транзисторов сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур для техники связи, радиолокации (2009 год) 4. Разработка базовой технологии и библиотеки элементов для проектирования и производства монолитных интегральных схем сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур 531 375 20 17 77,5 65 163,5 109 118 80 152 104 создание технологии производства на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур мощных сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем с рабочими частотами до 20 ГГц для техники связи, радиолокации (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 5. Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастотных компонентов и сложнофункциональных блоков для сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний - германий" 149,257 101,7 85,757 59,7 63,5 42 создание базовой технологии производства компонентов для сверхвысокочастотных интегральных схем диапазона 2-12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 6. Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний - германий" 248,55 158,1 5,6 5 65,8 35 177,15 118,1 создание базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем диапазона 2-12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 7. Разработка аттестованных библиотек сложнофункциональных блоков для проектирования сверхвысокочастотных и радиочастотных интегральных схем на основе гетероструктур "кремний - германий" 448,408 308,75 253 169 195,408 139,75 разработка аттестованных библиотек сложнофункциональных блоков для проектирования широкого спектра сверхвысокочастотных интегральных схем на SiGe с рабочими частотами до 150 ГГц, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 8. Разработка базовых технологий проектирования кремний- германиевых сверхвысокочастотных и радиочастотных интегральных схем на основе аттестованной библиотеки сложнофункциональных блоков 217,44 142 47 30 80,09 52 58,95 39,3 17 11,3 14,4 9,4 создание базовых технологий проектирования на основе библиотеки сложнофункциональных блоков широкого спектра сверхвысокочастотных интегральных схем на SiGe с рабочими частотами до 150 ГГц (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 9. Разработка базовых технологий производства элементной базы для ряда силовых герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры 114,9 74 60 40 54,9 34 создание базовых технологий производства элементной базы для высокоплотных источников вторичного электропитания сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 10. Разработка базовых технологий производства ряда силовых герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры 126,913 73,1 79,513 41,5 47,4 31,6 создание базовых конструкций и технологии производства высокоэффективных, высокоплотных источников вторичного электропитания сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры на основе гибридно- пленочной технологии с применением бескорпусной элементной базы (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 11. Разработка базовых конструкций и технологии производства корпусов мощных сверхвысокочастотных транзисторов X-, C-, S-, L- и P-диапазонов из малотоксичных материалов с высокой теплопроводностью 226 152 151,2 102 74,8 50 создание технологии массового производства ряда корпусов мощных сверхвысокочастотных приборов для "бессвинцовой" сборки (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 12. Разработка базовых конструкций теплоотводящих элементов систем охлаждения сверхвысокочастотных приборов Х- и С-диапазонов на основе новых материалов 83,5 55 13 8 40,5 27 30 20 создание базовых конструктивных рядов элементов систем охлаждения аппаратуры Х- и С- диапазонов наземных, корабельных и воздушно- космических комплексов 13. Разработка базовой технологии производства теплоотводящих элементов систем охлаждения сверхвысокочастотных приборов Х- и С-диапазонов на основе новых материалов 109 62 64 32 45 30 создание технологии массового производства конструктивного ряда элементов систем охлаждения аппаратуры Х- и С- диапазонов наземных, корабельных и воздушно- космических комплексов (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 14. Разработка базовых технологий производства суперлинейных кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов S- и L- диапазонов 13 8 13 8 создание технологии массового производства конструктивного ряда сверхвысокочастотных транзисторов S- и L- диапазонов для техники связи, локации и контрольной аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 15. Разработка конструктивно- параметрического ряда суперлинейных кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов 208,9 115,9 139,9 69,9 69 46 создание конструктивно- параметрического ряда сверхвысокочастотных транзисторов S- и L- диапазонов для техники связи, локации и контрольной аппаратуры, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 16. Разработка технологии измерений и базовых конструкций установок автоматизированного измерения параметров нелинейных моделей сверхвысокочастотных полупроводниковых структур, мощных транзисторов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем X-, C-, S-, L- и P-диапазонов для их массового производства 32 22 18 12 14 10 разработка метрологической аппаратуры нового поколения для исследования и контроля параметров полупроводниковых структур, активных элементов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем в производстве и при их использовании 17. Исследование и разработка базовых технологий для создания нового поколения мощных вакуумно- твердотельных сверхвысокочастотных приборов и гибридных малогабаритных сверхвысокочастотных модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками, магнитоэлектрических приборов сверхвысокочастотного диапазона, в том числе циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения 149,416 102 84,916 59 64,5 43 создание технологии унифицированных сверхширокополосных приборов среднего и большого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысокочастотных магнитоэлектрических приборов для перспективных радиоэлектронных систем и аппаратуры связи космического базирования (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 18. Разработка базовых конструкций и технологии производства нового поколения мощных вакуумно- твердотельных сверхвысокочастотных приборов и гибридных малогабаритных сверхвысокочастотных модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками, магнитоэлектрических приборов сверхвысокочастотного диапазона, в том числе циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения 118,45 85,3 77,5 58 40,95 27,3 разработка конструктивных рядов и базовых технологий производства сверхширокополосных приборов среднего и большого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысокочастотных магнитоэлектрических приборов для перспективных радиоэлектронных систем и аппаратуры связи космического базирования (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 19. Исследование и разработка процессов и базовых технологий нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно- индуктивно-емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа и сверхбыстродействующих (до 150 ГГц) приборов на наногетероструктурах с квантовыми дефектами 110,5 75,5 65,5 45,5 45 30 создание технологических процессов производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно- емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа (2008 год), создание базовой технологии получения сверхбыстродействующих (до 150 ГГц) приборов на наногетероструктурах с квантовыми эффектами (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 20. Разработка базовых конструкций и технологии производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно- индуктивно-емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа 84,5 53 50 30 34,5 23 создание конструктивных рядов и базовых технологий производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно- емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 21. Разработка базовой технологии сверхвысокочастотных p-i-n диодов, матриц, узлов управления и портативных фазированных блоков аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн на основе магнитоэлектронных твердотельных и высокоскоростных цифровых приборов и устройств с функциями адаптации и цифрового диаграммообразования 133,314 88 63,447 42 69,867 46 создание базовой технологии производства элементов и специальных элементов и блоков портативной аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн для нового поколения средств связи, радиолокационных станций, радионавигации, измерительной техники, автомобильных радаров, охранных и сигнальных устройств (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 22. Разработка базовых технологий создания мощных вакуумных сверхвысокочастотных устройств 2342,933 1540,66 338 230 295,11 193,1 364,823 226,98 380,85 253,9 320 210 189,8 124,8 218,35 145,88 236 156 создание конструктивных рядов и базовых технологий проектирования и производства мощных и сверхмощных вакуумных сверхвысокочастотных приборов для аппаратуры широкого назначения нового поколения (2009 год, 2011 год), включая разработку: конструкций многолучевых электронно-оптических систем, включая автоэмиссионные катоды повышенной мощности и долговечности (2012 год); мощных широкополосных ламп бегущей волны импульсного и непрерывного действия, магнетронов, тетродов миллиметрового диапазона (2013 год); малогабаритных ускорителей электронов с энергией до 10 МЭВ для терапевтических и технических приложений (2014 год) 23. Разработка базовых технологий создания мощных твердотельных сверхвысокочастотных устройств на базе нитрида галлия 1661,182 1096,4 158,001 103 253,012 166,5 296,269 192,4 293,55 195,7 287,35 189,9 118 78,9 112 75 143 95 создание базовых конструкций и технологий изготовления сверхвысокочастотных мощных приборов на структурах с использованием нитрида галлия (2008 год, 2010 год), включая: создание гетеропереходных полевых транзисторов с диодом Шоттки с удельной мощностью до 30-40 Вт/мм и рабочими напряжениями до 100 В; исследования и разработку технологий получения гетероструктур на основе слоев нитрида галлия на изоляторе и высокоомных подложках (2013 год); разработка технологии получения интегральных схем, работающих в экстремальных условиях (2015 год) 24. Исследование перспективных типов сверхвысокочастотных приборов и структур, разработка технологических принципов их изготовления 1085,2 699,1 160,2 32,8 99,5 224,7 300 147,6 308 170 217,5 124 исследование технологических принципов формирования перспективных сверхвысокочастотных приборов и структур, включая создание наногетероструктур, использование комбинированных (электронных и оптических методов передачи и преобразования сигналов), определение перспективных методов формирования приборных структур, работающих в частотных диапазонах до 200 ГГц 25. Разработка перспективных методов проектирования и моделирования сложно- функциональной сверхвысокочастотной электронной компонентной базы 1043,3 699,1 49,2 32,8 331,7 224,7 221,4 147,6 255 170 186 124 создание полного состава прикладных программ проектирования и оптимизации сверхвысокочастотной электронной компонентной базы, включая проектирование активных приборов, полосковых линий передачи, согласующих компонентов, формируемых в едином технологическом процессе Всего по направлению 1 9787,287 6468,08 1485,57 993,95 1392,821 929,35 1375,395 855,78 1603,5 1069 1205,35 804,12 1048,8 700 893,35 595,88 782,5 520 Направление 2. Радиационно стойкая электронная компонентная база 26. Разработка базовой технологии радиационно стойких сверхбольших интегральных схем уровня 0,5 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм 106,65 79,65 60 38 46,65 41,65 создание технологии изготовления микросхем с размерами элементов 0,5 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм (2009 год), разработка правил проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем расширенной номенклатуры для организации производства радиационно стойкой элементной базы, обеспечивающей выпуск специальной аппаратуры и систем, работающих в экстремальных условиях (атомная энергетика, космос, военная техника) 27. Разработка базовой технологии радиационно стойких сверхбольших интегральных схем уровня 0,35 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм 286,65 188,1 39,2 19,6 170,25 113,5 53,2 37,2 24 17,8 создание технологии изготовления микросхем с размерами элементов 0,35 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм (2013 год), разработка правил проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем, обеспечивающих создание расширенной номенклатуры быстродействующей и высокоинтегрированной радиационно стойкой элементной базы 28. Разработка технологии проектирования и конструктивно- технологических решений библиотеки логических и аналоговых элементов, оперативных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств, сложно- функциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,25 мкм 245,904 164 130 87 115,904 77 создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой до 0,25 мкм (2009 год) 29. Разработка технологии проектирования и конструктивно- технологических решений библиотеки логических и аналоговых элементов, оперативных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств, сложно- функциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,18 мкм 365,35 235 108,6 54,3 166,05 110,7 67,7 52,6 23 17,4 создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой до 0,18 мкм 30. Разработка базовых технологических процессов изготовления радиационно стойкой элементной базы для сверхбольших интегральных схем энергозависимой пьезоэлектрической и магниторезистивной памяти с проектными нормами 0,35 мкм и пассивной радиационно стойкой элементной базы 141,75 97,65 92 63 49,75 34,65 создание технологического процесса изготовления сверхбольших интегральных схем энергонезависимой, радиационно стойкой сегнетоэлектрической памяти уровня 0,35 мкм и базовой технологии создания, изготовления и аттестации радиационно стойкой пассивной электронной компонентной базы (2009 год) 31. Разработка базовых технологических процессов изготовления радиационно стойкой элементной базы для сверхбольших интегральных схем энергозависимой пьезоэлектрической и магниторезистивной памяти с проектными нормами 0,18 мкм и пассивной радиационно стойкой элементной базы 257,45 159,2 74,6 37,3 130,35 86,9 42,3 28,2 10,2 6,8 создание технологического процесса изготовления сверхбольших интегральных схем энергонезависимой радиационно стойкой сегнетоэлектрической памяти уровня 0,18 мкм (2010 год) и создания, изготовления и аттестации радиационно стойкой пассивной электронной компонентной базы (2013 год) 32. Разработка технологии "кремний на сапфире" изготовления ряда лицензионно- независимых радиационно стойких комплементарных полевых полупроводниковых сверхбольших интегральных схем цифровых процессоров обработки сигналов, микроконтроллеров и схем интерфейса 110,736 73 58,609 38 52,127 35 разработка расширенного ряда цифровых процессоров, микроконтроллеров, оперативных запоминающих программируемых и перепрограммируемых устройств, аналого-цифровых преобразователей в радиационно стойком исполнении для создания специальной аппаратуры нового поколения 33. Разработка технологии структур с ультратонким слоем кремния на сапфире 370,802 231,7 82,952 39,8 190,35 126,9 72,6 48,4 24,9 16,6 создание технологии проектирования и изготовления микросхем и сложнофункциональных блоков на основе ультратонких слоев на структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости (2013 год) 34. Разработка базовой технологии и приборно- технологического базиса производства радиационно стойких сверхбольших интегральных схем "система на кристалле", радиационно стойкой силовой электроники для аппаратуры питания и управления 92,669 73,15 51 40 41,669 33,15 разработка конструкции и модели интегральных элементов и технологического маршрута изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" с расширенным температурным диапазоном, силовых транзисторов и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А (2009 год) 35. Разработка элементной базы радиационно стойких интегральных схем на основе полевых эмиссионных микронанотриодов 74,471 50,6 36,2 26,1 38,271 24,5 создание ряда микронанотриодов и микронанодиодов с наивысшей радиационной стойкостью для долговечной аппаратуры космического базирования 36. Создание информационной базы радиационно стойкой электронной компонентной базы, содержащей модели интегральных компонентов, функционирующих в условиях радиационных воздействий, создание математических моделей стойкости электронной компонентной базы, создание методик испытаний и аттестации электронной компонентной базы 256,6 167,3 21,4 10,7 25 16,6 92,4 61,6 117,8 78,4 разработка комплекса моделей расчета радиационной стойкости электронной компонентной базы для определения технически обоснованных норм испытаний 37. Разработка библиотек стандартных элементов и сложнофункциональных блоков для создания радиационно стойких сверхбольших интегральных схем 975,5 650 105 70 184,5 123 281,5 187,5 209, 5 139,5 195 130 создание технологии проектирования и изготовления микросхем и сложнофункциональных блоков на основе ультратонких слоев на структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости (2012 год, 2015 год) 38. Разработка расширенного ряда радиационно стойких сверхбольших интегральных схем для специальной аппаратуры связи, обработки и передачи информации, систем управления 978,75 650 187,5 125 185 123 163 108,5 242,75 160 200,5 133,5 разработка расширенного ряда цифровых процессоров, микроконтроллеров, оперативных запоминающих программируемых и перепрограммируемых устройств, аналого-цифровых преобразователей в радиационно стойком исполнении для создания специальной аппаратуры нового поколения, разработка конструкции и модели интегральных элементов и технологического маршрута изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" с расширенным температурным диапазоном, силовых транзисторов и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А, создание ряда микронанотриодов и микронанотриодов с наивысшей радиационной стойкостью для долговечной аппаратуры космического базирования 39. Разработка и совершенствование методов моделирования и проектирования радиационно стойкой элементной базы 953 634 75 50 275 183 230 153,5 196 130,5 177 117 разработка комплекса моделей расчета радиационной стойкости электронной компонентной базы для определения технически обоснованных норм испытаний 40. Разработка и совершенствование базовых технологий и конструкций радиационно стойких сверхбольших интегральных схем на структурах "кремний на сапфире" и "кремний на изоляторе" с топологическими нормами не менее 0,18 мкм 988,15 650 180 120 191 123 177,5 113,5 233,65 160 206 133,5 создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой не менее 0,18 мкм (2014 год), создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой не менее 0,18 мкм (2015 год) Всего по направлению 2 6204,432 4103,35 427,809 292,1 344,371 245,95 326,752 161,7 1229,5 819,6 1163,7 780 1051,9 700 881,9 590 778,5 514 Направление 3. Микросистемная техника 41. Разработка базовых технологий микроэлектромеханических систем 184,215 117,9 165,053 105,9 19,162 12 создание базовых технологий (2009 год) и комплектов технологической документации на изготовление микроэлектромеханических систем контроля давления, микроакселерометров с чувствительностью по двум и трем осям, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов 42 Разработка базовых конструкций микроэлектромеханических систем 433,712 273,8 87,239 42,1 73,473 49,7 108 72 82,5 55 82,5 55 разработка базовых конструкций и комплектов необходимой конструкторской документации на изготовление чувствительных элементов и микросистем контроля давления, микроакселерометров, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов с напряжением управления, предназначенных для использования в транспортных средствах, оборудовании топливно-энергетического комплекса, машиностроении, медицинской технике, робототехнике, бытовой технике 43 Разработка базовых технологий микроакустоэлектромеханических систем 166,784 108,15 122,356 78,55 44,428 29,6 создание базовых технологий (2009 год) и комплектов необходимой технологической документации на изготовление микроакустоэлектромеханических систем, основанных на использовании поверхностных акустических волн (диапазон частот до 2 ГГц) и объемно- акустических волн (диапазон частот до 8 ГГц), пьезокерамических элементов, совместимых с интегральной технологией микроэлектроники 44. Разработка базовых конструкций микроакустоэлектромеханических систем 244,325 147,3 52 28 103,825 60,3 88,5 59 разработка базовых конструкций и комплектов необходимой конструкторской документации на изготовление пассивных датчиков физических величин микроакселерометров, микрогироскопов на поверхностных акустических волнах, датчиков давления и температуры, датчиков деформации, крутящего момента и микроперемещений, резонаторов 45. Разработка базовых технологий микроаналитических систем 37 25 37 25 создание базовых технологий изготовления элементов микроаналитических систем, чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды, предназначенных для использования в аппаратуре жилищно-коммунального хозяйства, в медицинской и биомедицинской технике для обнаружения токсичных, горючих и взрывчатых материалов 46. Разработка базовых конструкций микроаналитических систем 134 78 47 20 60 40 27 18 создание базовых конструкций микроаналитических систем, предназначенных для аппаратуры жилищно- коммунального хозяйства, медицинской и биомедицинской техники; разработка датчиков и аналитических систем миниатюрных размеров с высокой чувствительностью к сверхмалым концентрациям химических веществ для осуществления мониторинга окружающей среды, контроля качества пищевых продуктов и контроля утечек опасных и вредных веществ в технологических процессах 47. Разработка базовых технологий микрооптоэлектромеханических систем 42,444 27 15,358 10,2 27,086 16,8 создание базовых технологий выпуска трехмерных оптических и акустооптических функциональных элементов, микрооптоэлектромеханических систем для коммутации и модуляции оптического излучения, акустооптических перестраиваемых фильтров, двухмерных управляемых матриц микрозеркал, микропереключателей и фазовращателей (2009 год) 48. Разработка базовых конструкций микрооптоэлектромеханических систем 109,278 70 33,95 21 48,328 31 27 18 разработка базовых конструкций и комплектов конструкторской документации на изготовление микрооптоэлектромеханических систем коммутации и модуляции оптического излучения 49. Разработка базовых технологий микросистем анализа магнитных полей 55,008 36 55,008 36 создание базовых технологий изготовления микросистем анализа магнитных полей на основе анизотропного и гигантского магниторезистивного эффектов, квазимонолитных и монолитных гетеромагнитных пленочных структур (2008 год) 50. Разработка базовых конструкций микросистем анализа магнитных полей 153,518 98,018 39,518 22,018 93 62 21 14 разработка базовых конструкций и комплектов конструкторской документации на магниточувствительные микросистемы для применения в электронных системах управления приводами, в датчиках положения и потребления, бесконтактных переключателях 51. Разработка базовых технологий радиочастотных микроэлектромеханических систем 123,525 80,662 43,274 28,45 80,251 52,212 разработка и освоение в производстве базовых технологий изготовления радиочастотных микроэлектромеханических систем и компонентов, включающих микрореле, коммутаторы, микропереключатели (2009 год) 52. Разработка базовых конструкций радиочастотных микроэлектромеханических систем 142,577 96 35,6 25 63,477 42 43,5 29 разработка базовых конструкций и комплектов конструкторской документации на изготовление радиочастотных микроэлектромеханических систем - компонентов, позволяющих получить резкое улучшение массогабаритных характеристик, повышение технологичности и снижение стоимости изделий 53. Разработка методов и средств обеспечения создания и производства изделий микросистемной техники 38,915 22,8 38,915 22,8 создание методов и средств контроля и измерения параметров и характеристик изделий микросистемотехники, разработка комплектов стандартов и нормативных документов по безопасности и экологии 54. Разработка перспективных технологий и конструкций микрооптоэлектромеханических систем для оптической аппаратуры, систем отображения изображений, научных исследований и специальной техники 1155 770 345 230 315 210 270 180 225 150 создание базовых технологий выпуска трехмерных оптических и акустооптических функциональных элементов, микрооптоэлектромеханических систем для коммутации и модуляции оптического излучения (2012 год), акустооптических перестраиваемых фильтров (2012 год), двухмерных управляемых матриц микрозеркал микропереключателей и фазовращателей (2013 год), разработка базовых технологий, конструкций и комплектов, конструкторской документации на изготовление микрооптоэлектромеханических систем коммутации и модуляции оптического излучения (2015 год) 55. Разработка и совершенствование методов и средств контроля, испытаний и аттестации изделий микросистемотехники 1140 760 150 100 262,5 175 232,5 155 270 180 225 150 создание методов и средств контроля и измерения параметров и характеристик изделий микросистемотехники, разработка комплектов стандартов и нормативных документов по безопасности и экологии 56. Разработка перспективных технологий и конструкций микроаналитических систем для аппаратуры контроля и обнаружения токсичных, горючих, взрывчатых и наркотических веществ 1170 780 360 240 315 210 255 170 240 160 создание перспективных технологий изготовления элементов микроаналитических систем, чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды, предназначенных для использования в аппаратуре жилищно-коммунального хозяйства (2012 год, 2013 год, 2014 год) Всего по направлению 3 5330,301 3490,63 476,964 306,9 466,233 268,73 442,103 285 465 310 1050 700 945 630 795 530 690 460 Направление 4. Микроэлектроника 57. Разработка технологии и развитие методологии проектирования изделий микроэлектроники: разработка и освоение современной технологии проектирования универсальных микропроцессоров, процессоров обработки сигналов, микроконтроллеров и "системы на кристалле" на основе каталогизированных сложнофункциональных блоков и библиотечных элементов, в том числе создание отраслевой базы данных и технологических файлов для автоматизированных систем проектирования; освоение и развитие технологии проектирования для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных изделий с целью размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,13 мкм 308,667 178,4 219,3 129,5 89,36 7 48,9 разработка комплекта нормативно-технической документации по проектированию изделий микроэлектроники, создание отраслевой базы данных с каталогами библиотечных элементов и сложно- функциональных блоков с каталогизированными результатами аттестации на физическом уровне, разработка комплекта нормативно-технической и технологической документации по взаимодействию центров проектирования в сетевом режиме 58. Разработка и освоение базовой технологии производства фотошаблонов с технологическим уровнем до 0,13 мкм с целью обеспечения информационной защиты проектов изделий микроэлектроники при использовании контрактного производства (отечественного и зарубежного) 34,569 22,7 22,7 14,7 11,869 8 разработка комплекта технологической документации и организационно-распорядительной документации по взаимодействию центров проектирования и центра изготовления фотошаблонов 59. Разработка семейств и серий изделий микроэлектроники: универсальных микропроцессоров для встроенных применений; универсальных микропроцессоров для серверов и рабочих станций; цифровых процессоров обработки сигналов; сверхбольших интегральных схем, программируемых логических интегральных схем; сверхбольших интегральных схем быстродействующей динамической и статической памяти; микроконтроллеров со встроенной энергонезависимой электрически программируемой памятью; схем интерфейса дискретного ввода/вывода; схем аналогового интерфейса; цифроаналоговых и аналого- цифровых преобразователей на частотах выше 100 МГц с разрядностью более 8-12 бит; схем приемопередатчиков шинных интерфейсов; изделий интеллектуальной силовой микроэлектроники для применения в аппаратуре промышленного и бытового назначения; встроенных интегральных источников питания 852,723 490,2 350,836 190,1 501,887 300,1 разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, изготовление опытных образцов изделий и организация серийного производства 60. Разработка базовых серийных технологий изделий микроэлектроники: цифроаналоговых и аналого- цифровых преобразователей на частотах выше 100 МГц с разрядностью более 14 - 16 бит; микроэлектронных устройств различных типов, включая сенсоры с применением наноструктур и биосенсоров; сенсоров на основе магнитоэлектрических и пьезоматериалов; встроенных интегральных антенных элементов для диапазонов частот 5 ГГц, 10-12 ГГц; систем на кристалле, в том числе в гетероинтеграции сенсорных и исполнительных элементов методом беспроводной сборки с применением технологии матричных жестких выводов 2236,828 1299 1129,878 592,3 971,95 616,7 135 90 разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, изготовление опытных образцов изделий и организация серийного производства 61. Разработка технологии и освоение производства изделий микроэлектроники с технологическим уровнем 0,13 мкм 545,397 308,8 304,9 168,3 240,497 140,5 разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической документации и ввод в эксплуатацию производственной линии 62. Разработка базовой технологии формирования многослойной разводки (7-8 уровней) сверхбольших интегральных схем на основе Al и Cu 939,45 587,3 196 102 360 240 154 99 229,45 146,3 разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 63. Разработка технологии и организация производства многокристальных микроэлектронных модулей для мобильных применений с использованием полимерных и металлополимерных микроплат и носителей 519,525 288,9 235,513 101 168,512 110,9 115,5 77 разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 64. Разработка новых методов технологических испытаний изделий микроэлектроники, гарантирующих их повышенную надежность в процессе долговременной (более 100 000 часов) эксплуатации, на основе использования типовых оценочных схем и тестовых кристаллов 133,8 133,8 67 67 66,8 66,8 разработка технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию специализированных участков 65. Разработка современных методов анализа отказов изделий микроэлектроники с применением ультраразрешающих методов (ультразвуковая гигагерцовая микроскопия, сканирование синхротронным излучением, атомная и туннельная силовая микроскопия, электронно- и ионно-лучевое зондирование и другие) 243,77 243,77 131,9 131,9 111,87 111,87 разработка комплектов документации, включая утвержденные отраслевые методики, ввод в эксплуатацию модернизированных участков и лабораторий анализа отказов 66. Разработка базовых субмикронных технологий уровней 0,065 - 0,045 мкм 1240,5 800 310 200 380 245 310 200 240,5 155 создание технологии сверхбольших интегральных схем; создание базовой технологии формирования многослойной разводки сверхбольших интегральных схем топологического уровня 0,065 - 0,045 мкм (2015 год), освоение и развитие технологии проектирования и изготовления для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных изделий, а также с целью размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,045 мкм, разработка комплекта технологической документации и организационно- распорядительной документации по взаимодействию центров 67. Исследование технологических процессов и структур для субмикронных технологий уровней 0,032 мкм 1424,45 915,7 383 245 383,45 245,7 368 235 290 190 создание технологии сверхбольших интегральных схем технологических уровней 65-45 нм, организация опытного производства и исследование технологических уровней 0,032 мкм (2015 год) 68. Разработка перспективных технологий и конструкций изделий интеллектуальной силовой электроники для применения в аппаратуре бытового и промышленного применения, на транспорте, в топливно- энергетическом комплексе и в специальных системах 1479,55 959,7 166,0 5 110,7 402,7 261,8 355 230 317,5 205 238,3 152,2 создание технологий и конструкций перспективных изделий интеллектуальной силовой микроэлектроники для применения в аппаратуре промышленного и бытового назначения; создание встроенных интегральных источников питания (2013 - 2015 годы) 69. Разработка перспективных технологий сборки сверхбольших интегральных схем в многовыводные корпуса, в том числе корпуса с матричным расположением выводов и технологий многокристальной сборки, включая создание "систем в корпусе" 1730,6 1100 300 200 356,4 224,2 205 123 455 290 414,2 262,8 разработка перспективной технологии многокристальных микроэлектронных модулей для мобильных применений с использованием полимерных и металлополимерных микроплат и носителей (2015 год) Всего по направлению 4 11689,829 7328,27 1096,636 701,5 1257,803 777,17 1494,39 805,2 1913,5 1244,4 1741,1 1120 1552,9 990 1450,5 930 1183 760 Направление 5. Электронные материалы и структуры 70.

Разработка технологии производства новых диэлектрических материалов на основе ромбоэдрической модификации нитрида бора и подложек из поликристаллического алмаза 78 49 51 32 27 17 внедрение новых диэлектрических материалов на основе ромбоэдрической модификации нитрида бора и подложек из поликристаллического алмаза с повышенной теплопроводностью и электропроводностью для создания нового поколения высокоэффективных и надежных сверхвысокочастотных приборов 71. Разработка технологии производства гетероэпитаксиальных структур и структур гетеробиполярных транзисторов на основе нитридных соединений А В 3 5 для мощных полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем 93,663 54,24 46,233 22,62 47,43 31,62 создание технологии производства гетероэпитаксиальных структур и структур гетеробиполярных транзисторов на основе нитридных соединений А В 3 5 для обеспечения разработок и изготовления сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем и мощных транзисторов (2011 год) 72. Разработка базовой технологии производства метаморфных структур на основе GaAs и псевдоморфных структур на подложках InP для приборов сверхвысокочастотной электроники диапазона 60-90 ГГц 78,047 49,8 50,147 32 27,9 17,8 создание базовой технологии производства гетероструктур и псевдоморфных структур на подложках InP для перспективных полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем диапазона 60-90 ГГц (2009 год) 73. Разработка технологии производства спинэлектронных магнитных материалов, радиопоглощающих и мелкодисперсных ферритовых материалов для сверхвысокочастотных приборов 132,304 82 33,304 16 45 30 54 36 создание спинэлектронных магнитных материалов и микроволновых структур со спиновым управлением для создания перспективных микроволновых сверхвысокочастотных приборов повышенного быстродействия и низкого энергопотребления 74. Разработка технологии производства высокочистых химических материалов (аммиака, арсина, фосфина, тетрахлорида кремния) для обеспечения производства полупроводниковых подложек нитрида галлия, арсенида галлия, фосфида индия, кремния и гетероэпитаксиальных структур на их основе 76,4 47,3 50,1 31 26,3 16,3 создание технологии массового производства высокочистых химических материалов (аммиака, арсина, фосфина, тетрахлорида кремния) для выпуска полупроводниковых подложек нитрида галлия, арсенида галлия, фосфида индия, кремния и гетероэпитаксиальных структур на их основе (2009 год) 75. Разработка технологии производства поликристаллических алмазов и их пленок для теплопроводных конструкций мощных выходных транзисторов и сверхвысокочастотных приборов 62,07 45,38 12 12 35,07 23,38 15 10 создание технологии производства поликристаллических алмазов и его пленок для мощных сверхвысокочастотных приборов (2012 год) 76. Исследование путей и разработка технологии изготовления новых микроволокон на основе двухмерных диэлектрических и металлодиэлектрических микро- и наноструктур, а также полупроводниковых нитей с наноразмерами при вытяжке стеклянного капилляра, заполненного жидкой фазой полупроводника 57 38 36 24 21 14 создание технологии изготовления новых микроволокон на основе двухмерных диэлектрических и металлодиэлектрических микро- и наноструктур для новых классов микроструктурных приборов, магниторезисторов, осцилляторов, устройств оптоэлектроники (2009 год) 77. Разработка технологии выращивания слоев пьезокерамики на кремниевых подложках для формирования комплексированных устройств микросистемной техники 64,048 39 4,5 3 32,548 18 27 18 создание базовой пленочной технологии пьезокерамических элементов, совместимой с комплементарной металлооксидной полупроводниковой технологией для разработки нового класса активных пьезокерамических устройств, интегрированных с микросистемами (2011 год) 78. Разработка методологии и базовых технологий создания многослойных кремниевых структур с использованием "жертвенных" и "стопорных" диффузионных и диэлектрических слоев для производства силовых приборов и элементов микроэлектромеханических систем 63,657 38 42,657 24 21 14 создание технологии травления и изготовления кремниевых трехмерных базовых элементов микроэлектромеханических систем с использованием "жертвенных" и "стопорных" слоев для серийного производства элементов микроэлектромеханических систем (2009 год) кремниевых структур с использованием силикатных стекол, моно-, поликристаллического и пористого кремния и диоксида кремния 79. Разработка базовых технологий получения алмазных полупроводниковых наноструктур и наноразмерных органических покрытий с широким диапазоном функциональных свойств 45,85 22 29,35 11 16,5 11 создание технологии получения алмазных полупроводниковых наноструктур и наноразмерных органических покрытий, алмазных полупроводящих пленок для конкурентоспособных высокотемпературных и радиационно стойких устройств и приборов двойного назначения (2011 год) 80. Исследование и разработка технологии роста эпитаксиальных слоев карбида кремния, структур на основе нитридов, а также формирования изолирующих и коммутирующих слоев в приборах экстремальной электроники 136,716 88,55 57,132 38 79,584 50,55 создание технологии изготовления гетероструктур и эпитаксиальных структур на основе нитридов для создания радиационно стойких сверхвысокочастотных и силовых приборов нового поколения (2009 год) 81. Разработка технологии производства радиационно стойких сверхбольших интегральных схем на ультратонких гетероэпитаксиальных структурах кремния на сапфировой подложке для производства электронной компонентной базы специального и двойного назначения 159,831 90 52 35 107,831 55 создание технологии производства структур "кремний на сапфире" диаметром до 150 мм с толщиной приборного слоя до 0,1 мкм и топологическими нормами до 0,18 мкм для производства электронной компонентной базы специального и двойного назначения (2009 год) 82. Разработка технологии производства высокоомного радиационно облученного кремния, слитков и пластин кремния диаметром до 150 мм для производства силовых полупроводниковых приборов 138,549 89,7 54 36 84,549 53,7 создание технологии производства радиационно облученного кремния и пластин кремния до 150 мм для выпуска мощных транзисторов и сильноточных тиристоров нового поколения (2009 год) 83. Разработка технологии производства кремниевых подложек и структур для силовых полупроводниковых приборов с глубокими высоколегированными слоями р- и n-типов проводимости и скрытыми слоями носителей с повышенной рекомбинацией 90,4 58,9 38,5 24 51,9 34,9 разработка и промышленное освоение получения высококачественных подложек и структур для использования в производстве силовых полупроводниковых приборов, с глубокими высоколегированными слоями и скрытыми слоями носителей с повышенной рекомбинацией (2009 год) 84. Разработка технологии производства электронного кремния, кремниевых пластин диаметром до 200 мм и кремниевых эпитаксиальных структур уровня технологии 0,25 - 0,18 мкм 220,764 162 73,964 48 146,8 114 создание технологии производства пластин кремния диаметром до 200 мм и эпитаксиальных структур уровня 0,25 - 0,18 мкм (2009 год) 85. Разработка методологии, конструктивно- технических решений и перспективной базовой технологии корпусирования интегральных схем и полупроводниковых приборов на основе использования многослойных кремниевых структур со сквозными токопроводящими каналами 266,35 161 81,85 38 124,5 83 30 20 30 20 разработка технологии корпусирования интегральных схем и полупроводниковых приборов на основе использования многослойных кремниевых структур со сквозными токопроводящими каналами, обеспечивающей сокращение состава сборочных операций и формирование трехмерных структур (2013 год) 86. Разработка технологии производства гетероструктур SiGe для разработки сверхбольших интегральных схем с топологическими нормами 0,25 - 0,18 мкм 230,141 143 35,141 13 135 90 30 20 30 20 создание базовой технологии производства гетероструктур SiGe для выпуска быстродействующих сверхбольших интегральных схем с топологическими нормами 0,25 - 0,18 мкм (2011 год, 2013 год) 87. Разработка технологии выращивания и обработки, в том числе плазмохимической, новых пьезо- электрических материалов для акустоэлектроники и акустооптики 46,745 34 28,745 22 18 12 создание технологии выращивания и обработки пьезоэлектрических материалов акустоэлектроники и акустооптики для обеспечения производства широкой номенклатуры акустоэлектронных устройств нового поколения (2009 год) 88. Разработка технологий производства соединений А В и тройных 3 5 структур для: производства сверхмощных лазерных диодов; высокоэффективных светодиодов белого, зеленого, синего и ультрафиолетового диапазонов; фотоприемников среднего инфракрасного диапазона 93,501 58 24,001 12 33 22 23 15 13,5 9 создание технологии массового производства исходных материалов и структур для перспективных приборов лазерной и оптоэлектронной техники, в том числе: производства сверхмощных лазерных диодов (2010 год); высокоэффективных светодиодов белого, зеленого, синего и ультрафиолетового диапазонов (2011 год); фотоприемников среднего инфракрасного диапазона (2013 год) 89. Исследование и разработка технологии получения гетероструктур с вертикальными оптическими резонаторами на основе квантовых ям и квантовых точек для производства вертикально излучающих лазеров для устройств передачи информации и матриц для оптоэлектронных переключателей нового поколения 45,21 30 30,31 22 14,9 8 создание технологии производства принципиально новых материалов полупроводниковой электроники на основе сложных композиций для перспективных приборов лазерной и оптоэлектронной техники (2009 год) 90. Разработка технологии производства современных компонентов для специализированных фото- электронных приборов, в том числе: катодов и газопоглотителей; электронно- оптических и отклоняющих систем; стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок 32,305 17 24,805 12 7,5 5 создание технологии производства компонентов для специализированных электронно-лучевых (2010 год), электронно-оптических и отклоняющих систем (2010 год), стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок (2011 год) 91. Разработка технологии производства особо тонких гетерированных нанопримесями полупроводниковых структур для высокоэффективных фотокатодов, электронно- оптических преобразователей и фотоэлектронных умножителей, приемников инфракрасного диапазона и солнечных элементов с высокими значениями коэффициента полезного действия 39,505 32 27,505 20 12 12 создание технологии производства особо тонких гетерированных нанопримесями полупроводниковых структур для изготовления высокоэффективных фотокатодов электронно- оптических преобразователей и фотоэлектронных умножителей, приемников инфракрасного диапазона, солнечных элементов и других приложений (2009 год) 92. Разработка базовой технологии производства монокристаллов AlN для изготовления изолирующих и проводящих подложек для гетероструктур 42,013 24 24,013 12 18 12 создание технологии монокристаллов AlN для изготовления изолирующих и проводящих подложек для создания полупроводниковых высокотемпературных и мощных сверхвысокочастотных приборов нового поколения (2011 год) 93. Разработка базовой технологии производства наноструктурированных оксидов металлов (корунда и т. п.) для производства вакуумно-плотной нанокерамики, в том числе с заданными оптическими свойствами 44,559 29,2 29,694 19,85 14,905 9,35 создание базовой технологии вакуумно-плотной спецстойкой керамики из нанокристаллических порошков и нитридов металлов для промышленного освоения спецстойких приборов нового поколения (2009 год), в том числе микрочипов, сверхвысокочастотных аттенюаторов, RLC-матриц, а также особо прочной электронной компонентной базы оптоэлектроники и фотоники 94. Разработка базовой технологии производства полимерных и гибридных органо- неорганических наноструктурированных защитных материалов для электронных компонентов нового поколения прецизионных и сверхвысокочастотных резисторов, терминаторов, аттенюаторов и резисторно- индукционно- емкостных матриц, стойких к воздействию комплекса специальных внешних факторов 25,006 13 22,006 11 3 2 создание технологии производства полимерных и композиционных материалов с использованием поверхностной и объемной модификации полимеров наноструктурированными наполнителями для создания изделий с высокой механической, термической и радиационной стойкостью при работе в условиях длительной эксплуатации и воздействии комплекса специальных внешних факторов (2011 год) 95. Исследование и разработка перспективных гетероструктурных и наноструктурированных материалов с экстремальными характеристиками для перспективных электронных приборов и радиоэлектронной аппаратуры специального назначения 1395,5 930 225 150 269 179 309 206 322,5 215 270 180 создание базовой технологии производства гетероструктур, структур и псевдоморфных структур на подложках InP для перспективных полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем диапазона 60-90 ГГц (2012 год), создание технологии получения алмазных полупроводниковых наноструктур и наноразмерных органических покрытий (2013 год), алмазных полупроводящих пленок для конкурентоспособных высокотемпературных и радиационно стойких устройств и приборов двойного назначения, создание технологии изготовления гетероструктур и эпитаксиальных структур на основе нитридов (2015 год) 96. Исследование и разработка экологически чистых материалов и методов их использования в производстве электронной компонентной базы и радиоаппаратуры, включая бессвинцовые композиции для сборки 1395 930 435 290 382,5 255 277,5 185 300 200 создание нового класса конструкционных и технологических материалов для уровней технологии 0,065 - 0,032 мкм и обеспечения высокого процента выхода годных изделий, экологических требований по международным стандартам (2012 год, 2015 год) 97. Разработка перспективных технологий получения ленточных материалов (полимерные, металлические, плакированные и другие) для радиоэлектронной аппаратуры и сборочных операций электронной компонентной базы 1379 920 404 270 367,5 245 307,5 205 300 200 создание перспективных технологий производства компонентов для специализированных электронно-лучевых, электронно-оптических и отклоняющих систем, стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок (2013 год), создание технологии производства полимерных и композиционных материалов с использованием поверхностной и объемной модификации полимеров наноструктурированными наполнителями (2015 год) Всего по направлению 5 6532,174 4275,07 621,754 407,85 658,169 431,6 365,251 177,62 717 478 1260 840 1132,5 755 907,5 605 870 580 Направление 6. Группы пассивной электронной компонентной базы 98. Разработка технологии выпуска прецизионных температуро-стабильных высокочастотных до 1,5 - 2 ГГц резонаторов на поверхностно акустических волнах до 1,5 ГГц с полосой до 70 процентов и длительностью сжатого сигнала до 2-5 нс 30,928 20 18 12 12,928 8 разработка расширенного ряда резонаторов с повышенной кратковременной и долговременной стабильностью для создания контрольной аппаратуры и техники связи двойного назначения 99. Разработка в лицензируемых и нелицензируемых международных частотных диапазонах 860 МГц и 2,45 ГГц ряда радиочастотных пассивных и активных акустоэлектронных меток- транспондеров, в том числе работающих в реальной помеховой обстановке, для систем радиочастотной идентификации и систем управления доступом 78,5 45 32 14 33 22 13,5 9 создание технологии и конструкции акустоэлектронных пассивных и активных меток-транспондеров для применения в логистических приложениях на транспорте, в торговле и промышленности (2010 год, 2011 год) 100. Разработка базовой конструкции и промышленной технологии производства пьезокерамических фильтров в корпусах для поверхностного монтажа 30,5 19,5 17 11 13,5 8,5 создание технологии проектирования и базовых конструкций пьезоэлектрических фильтров в малогабаритных корпусах для поверхностного монтажа при изготовлении техники связи массового применения (2009 год) 101. Разработка технологии проектирования, базовой технологии производства и конструирования акустоэлектронных устройств нового поколения и фильтров промежуточной частоты с высокими характеристиками для современных систем связи, включая высокоизбирательные высокочастотные устройства частотной селекции на поверхностных и приповерхностных волнах и волнах Гуляева-Блюштейна с предельно низким уровнем вносимого затухания для частотного диапазона до 5 ГГц 37,73 23 37,73 23 создание базовой технологии акустоэлектронных приборов для перспективных систем связи, измерительной и навигационной аппаратуры нового поколения: подвижных, спутниковых, тропосферных и радиорелейных линий связи, цифрового интерактивного телевидения, радиоизмерительной аппаратуры, радиолокационных станций, спутниковых навигационных систем (2008 год) 102. Разработка технологии проектирования и базовой технологии производства функциональных законченных устройств стабилизации, селекции частоты и обработки сигналов типа "система в корпусе" 97,416 60,9 35,001 22 62,415 38,9 создание технологии производства высокоинтегрированной электронной компонентной базы типа "система в корпусе" для вновь разрабатываемых и модернизируемых сложных радиоэлектронных систем и комплексов (2010 год) 103. Разработка базовой конструкции и технологии изготовления высокочастотных резонаторов и фильтров на объемных акустических волнах для телекоммуникационных и навигационных систем 63 42 21 14 21 14 21 14 создание базовой технологии и базовой конструкции микроминиатюрных высокодобротных фильтров для малогабаритной и носимой аппаратуры навигации и связи (2013 год) 104. Разработка технологии и базовой конструкции фоточувствительных приборов с матричными приемниками высокого разрешения для видимого и ближнего инфракрасного диапазона для аппаратуры контроля изображений 35 23 35 23 создание нового поколения оптоэлектронных приборов для обеспечения задач предотвращения аварий и контроля 105. Разработка базовой технологии унифицированных электронно- оптических преобразователей, микроканальных пластин, пироэлектрических матриц и камер на их основе с чувствительностью до 0,1 К и широкого инфракрасного диапазона 35,309 21,9 16,009 10 19,3 11,9 создание базовой технологии нового поколения приборов контроля тепловых полей для задач теплоэнергетики, медицины, поисковой и контрольной аппаратуры на транспорте, продуктопроводах и в охранных системах (2009 год) 106. Разработка базовой технологии создания интегрированных гибридных фотоэлектронных высокочувствительных и высокоразрешающих приборов и усилителей для задач космического мониторинга и специальных систем наблюдения, научной и метрологической аппаратуры 82 53 45 30 37 23 создание базовой технологии (2008 год) и конструкции новых типов приборов, сочетающих фотоэлектронные и твердотельные технологии, с целью получения экстремально достижимых характеристик для задач контроля и наблюдения в системах двойного назначения 107. Разработка базовых технологий мощных полупроводниковых лазерных диодов (непрерывного и импульсного излучения), специализированных лазерных полупроводниковых диодов, фотодиодов и лазерных волоконно- оптических модулей для создания аппаратуры и систем нового поколения 96,537 64 48,136 30 48,401 34 создание базовой технологии (2008 год) и конструкций принципиально новых мощных диодных лазеров, предназначенных для широкого применения в изделиях двойного назначения, медицины, полиграфического оборудования и системах открытой оптической связи 108. Разработка и освоение базовых технологий для лазерных навигационных приборов, включая интегральный оптический модуль лазерного гироскопа на базе сверхмалогабаритных кольцевых полупроводниковых лазеров инфракрасного диапазона, оптоэлектронные компоненты для широкого класса инерциальных лазерных систем управления движением гражданских и специальных средств транспорта 56,5 37 16 10 30 20 10,5 7 разработка базового комплекта основных оптоэлектронных компонентов для лазерных гироскопов широкого применения (2010 год), создание комплекса технологий обработки и формирования структурных и приборных элементов, оборудования контроля и аттестации, обеспечивающих новый уровень технико- экономических показателей производства 109. Разработка базовых конструкций и технологий создания квантово- электронных приемопередающих модулей для малогабаритных лазерных дальномеров нового поколения на основе твердотельных чип-лазеров с полупроводниковой накачкой, технологических лазерных установок широкого спектрального диапазона 22 15 22 15 создание базовой технологии твердотельных чип-лазеров для лазерных дальномеров, твердотельных лазеров с пикосекундными длительностями импульсов для установок по прецизионной обработке композитных материалов, для создания элементов и изделий микромашиностроения и в производстве электронной компонентной базы нового поколения, мощных лазеров для применения в машиностроении, авиастроении, автомобилестроении, судостроении, в составе промышленных технологических установок обработки и сборки, систем экологического мониторинга окружающей среды, контроля выбросов патогенных веществ, контроля утечек в продуктопроводах (2008 год, 2009 год) 110. Разработка базовых технологий формирования конструктивных узлов и блоков для лазеров нового поколения и технологии создания полного комплекта электронной компонентной базы для производства лазерного устройства определения наличия опасных, взрывчатых, отравляющих и наркотических веществ в контролируемом пространстве 66,305 43 56,27 37 10,035 6 создание технологии получения широкоапертурных элементов на основе алюмоиттриевой легированной керамики композитных составов для лазеров с диодной накачкой (2008 год), высокоэффективных преобразователей частоты лазерного излучения, организация промышленного выпуска оптических изделий и лазерных элементов широкой номенклатуры 111. Разработка базовых технологий, базовой конструкции и организация производства интегрированных катодолюминесцентных и других дисплеев двойного назначения со встроенным микроэлектронным управлением 35 35 17 17 18 18 разработка расширенной серии низковольтных катодолюминесцентных и других дисплеев с широким диапазоном эргономических характеристик и свойств по условиям применения для информационных и контрольных систем 112. Разработка технологии и базовых конструкций высокояркостных светодиодов и индикаторов основных цветов свечения для систем подсветки в приборах нового поколения 38,354 29 23,73 16 14,624 13 создание ряда принципиально новых светоизлучающих приборов с минимальными геометрическими размерами, высокой надежностью и устойчивостью к механическим и климатическим воздействиям, обеспечивающих энергосбережение за счет замены ламп накаливания в системах подсветки аппаратуры и освещения 113. Разработка базовой технологии и конструкции оптоэлектронных приборов (оптроны, оптореле, светодиоды) в миниатюрных корпусах для поверхностного монтажа 100,604 59 21,554 10 61,05 37 18 12 создание базовой технологии производства нового поколения оптоэлектронной высокоэффективной и надежной электронной компонентной базы для промышленного оборудования и систем связи (2010 год, 2011 год) 114. Разработка схемотехнических решений и унифицированных базовых конструкций и технологий формирования твердотельных видеомодулей на полупроводниковых светоизлучающих структурах для носимой аппаратуры, экранов индивидуального и коллективного пользования с бесшовной стыковкой 51,527 33,5 24 16 27,527 17,5 создание технологии новых классов носимой и стационарной аппаратуры, экранов отображения информации коллективного пользования повышенных емкости и формата (2009 год) 115. Разработка базовой технологии изготовления высокоэффективных солнечных элементов на базе использования кремния, полученного по "бесхлоридной" технологии и технологии "литого" кремния прямоугольного сечения 57,304 37 31,723 20 25,581 17 создание технологии массового производства солнечных элементов для индивидуального и коллективного использования в труднодоступных районах, развития солнечной энергетики в жилищно- коммунальном хозяйстве для обеспечения задач энергосбережения (2009 год) 116 Разработка базовой технологии и освоение производства оптоэлектронных реле с повышенными техническими характеристиками для поверхностного монтажа 32 19 18 12 14 7 создание технологии массового производства нового класса оптоэлектронных приборов для широкого применения в радиоэлектронной аппаратуре (2009 год) 117. Комплексное исследование и разработка технологий получения новых классов органических (полимерных) люминофоров, пленочных транзисторов на основе "прозрачных" материалов, полимерной пленочной основы и технологий изготовления крупноформатных гибких и особо плоских экранов, в том числе на базе высокоразрешающих процессов струйной печати и непрерывного процесса изготовления типа "с катушки на катушку" 136,7 71,8 50 22 63 34 23,7 15,8 создание базовой технологии массового производства экранов с предельно низкой удельной стоимостью для информационных и обучающих систем (2010 год, 2011 год) 118. Разработка базовых конструкций и технологии активных матриц и драйверов плоских экранов на основе аморфных, поликристаллических и кристаллических кремниевых интегральных структур на различных подложках и создание на их основе перспективных видеомодулей, включая органические электролюминесцентные, жидкокристаллические и катодолюминесцентные, создание базовой технологии серийного производства монолитных модулей двойного назначения 145,651 100,5 45 30 13,526 8,5 87,125 62 создание технологии и конструкции активно- матричных органических электролюминесцентных, жидкокристаллических и катодолюминесцентных дисплеев, стойких к внешним специальным и климатическим воздействиям (2010 год) 119. Разработка базовой конструкции и технологии крупноформатных полноцветных газоразрядных видеомодулей 85,004 46 41,004 10 20 20 24 16 создание технологии и базовых конструкций полноцветных газоразрядных видеомодулей специального и двойного назначения для наборных экранов коллективного пользования (2010 год) 120. Разработка технологии сверхпрецизионных резисторов и гибридных интегральных схем цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей на их основе в металлокерамических корпусах для аппаратуры двойного назначения 63,249 42 24,013 16 18,027 12 21,209 14 разработка расширенного ряда сверхпрецизионных резисторов, гибридных интегральных схем цифроаналоговых и аналого- цифровых преобразователей с параметрами, превышающими уровень существующих отечественных и зарубежных изделий, для аппаратуры связи, диагностического контроля, медицинского оборудования, авиастроения, станкостроения, измерительной техники (2010 год) 121. Разработка базовой технологии особо стабильных и особо точных резисторов широкого диапазона номиналов, прецизионных датчиков тока для измерительной и контрольной аппаратуры и освоение их производства 75 50 30 20 30 20 15 10 разработка расширенного ряда сверхпрецизионных резисторов с повышенной удельной мощностью рассеяния, высоковольтных высокоомных резисторов для измерительной техники, приборов ночного видения и аппаратуры контроля (2013 год) 122. Разработка технологии и базовых конструкций резисторов и резистивных структур нового поколения для поверхностного монтажа, в том числе резисторов с повышенными характеристиками, ультранизкоомных резисторов, малогабаритных подстроечных резисторов, интегральных сборок серии нелинейных полупроводниковых резисторов в многослойном исполнении чип-конструкции 149,319 100,2 10,5 7 18,519 13 24,75 16,5 45 30 50,55 33,7 создание базовой технологии и конструкции резисторов с повышенными значениями стабильности, удельной мощности в чип-исполнении на основе многослойных монолитных структур (2010 год, 2013 год) 123. Разработка технологий формирования интегрированных резистивных структур с повышенными технико- эксплуатационными характеристиками на основе микроструктурированных материалов и методов групповой сборки 46,93 30,95 36,001 24 10,929 6,95 создание базовой технологии производства датчиков на резистивной основе с высокими техническими характеристиками и надежностью (2009 год) 124. Создание групповой технологии автоматизированного производства толстопленочных чип- и микрочип- резисторов 59,011 39 30,006 20 29,005 19 создание технологии автоматизированного производства чип- и микрочип-резисторов (в габаритах 0402, 0201 и менее) для применения в массовой аппаратуре (2009 год) 125. Разработка новых базовых технологий и конструктивных решений изготовления танталовых оксидно-полупроводниковых и оксидно- электролитических конденсаторов и чип-конденсаторов и организация производства конденсаторов с повышенным удельным зарядом, сверхнизким значением внутреннего сопротивления и улучшенными потребительскими характеристиками 126 83 24 16 27 17 75 50 создание базовой технологии производства конденсаторов с качественно улучшенными характеристиками с электродами из неблагородных металлов при сохранении высокого уровня надежности (2010 год) 126. Разработка комплексной базовой технологии и организация производства конденсаторов с органическим диэлектриком и повышенными удельными характеристиками и ионисторов с повышенным током разряда 29,801 18 22,277 13 7,524 5 создание базовых технологий конденсаторов и ионисторов на основе полимерных материалов с повышенным удельным зарядом и энергоемких накопительных конденсаторов с повышенной удельной энергией (2009 год) 127. Разработка технологии, базовых конструкций высоковольтных (быстродействующих, мощных) вакуумных выключателей нового поколения с предельными характеристиками для радио- технической аппаратуры с высокими сроками службы 94,006 62 23,5 15 39,006 26 31,5 21 создание технологии и базовых конструкций нового поколения выключателей для радиоэлектронной аппаратуры с повышенными тактико- техническими характеристиками и надежностью (2011 год) 128. Разработка технологий создания газонаполненных высоковольтных высокочастотных коммутирующих устройств для токовой коммутации цепей с повышенными техническими характеристиками 50,599 33,5 24,803 16,5 25,796 17 создание технологии изготовления коммутирующих устройств для токовой коммутации цепей в широком диапазоне напряжений и токов для радиоэлектронных и электротехнических систем (2009 год) 129. Разработка полного комплекта электронной компонентной базы для создания модульного устройства грозозащиты зданий и сооружений с обеспечением требований по международным стандартам 26,5 17,5 26,5 17,5 создание технологии выпуска устройств грозозащиты в индивидуальном, промышленном и гражданском строительстве, строительстве пожароопасных объектов (2008 год) 130. Разработка базовых конструкций и технологий изготовления малогабаритных переключателей с повышенными сроками службы для печатного монтажа 55 37 46 31 9 6 создание базовой технологии формирования высококачественных гальванических покрытий, технологии прецизионного формирования изделий для автоматизированных систем изготовления коммутационных устройств широкого назначения (2009 год) 131. Комплексное исследование и разработка пленочных технологий изготовления высокоэкономичных крупноформатных гибких и особо плоских экранов 825 550 80,55 53,7 181 121 224,95 150,3 195 130 143,5 95 комплексное исследование и разработка технологий получения новых классов органических светоизлучающих диодов (ОСИД), полимерной пленочной основы и технологий изготовления гибких ОСИД-экранов, в том числе на базе высокоразрешающих процессов струйной печати, процессов наноимпринта и рулонной технологии изготовления (2013 год); создание базовой технологии производства ОСИД-экранов для применения в различных системах (2015 год) 132. Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных и квантовых структур и приборов нового поколения 798 532 75 50 217,5 145 168 112 195 130 142,5 95 создание технологии формирования нового поколения оптоэлектронных комплексированных приборов, обеспечивающих создание "системы на кристалле" с оптическими входами- выходами (2014 год, 2015 год) 133. Разработка перспективных технологий промышленного изготовления солнечных высокоэффективных элементов 811,5 541 255 170 247,5 165 180 120 129 86 создание перспективной технологии массового производства солнечных элементов для индивидуального и коллективного использования (2015 год) Всего по направлению 6 4623,784 3034,25 688,198 456 611,262 365,35 510,324 336,9 352,5 235 749,5 500 727 485 570 380 415 276 Направление 7. Унифицированные электронные модули и базовые несущие конструкции 134. Разработка базовых технологий создания рядов приемо-передающих унифицированных электронных модулей для аппаратуры связи, радиолокации, телекоммуникаций, бортовых радиотехнических средств 4355,463 2911,4 130,715 90,1 167,733 113,6 127,015 87,7 630 420 1058 691 814 553 726 486 702 470 создание на основе современной и перспективной отечественной электронной компонентной элементной базы и последних достижений в разработке алгоритмов сжатия видеоизображений приемо-передающих унифицированных электронных модулей аппаратуры связи, телекоммуникаций, цифрового телевидения, бортовых радиотехнических средств, активных фазированных антенных решеток с параметрами: диапазон частот до 100 ГГц; скорость передачи информации до 100 Гбит/с; создание базовых технологий и конструкции для создания унифицированных рядов приемо-передающих унифицированных электронных модулей аппаратуры волоконно-оптических линий связи когерентных, высокоскоростных каналов со спектральным уплотнением, телекоммуникаций, цифрового телевидения, обеспечивающих импортозамещение в этой области; разработка новых технологий 135. Разработка базовых технологий создания нового класса унифицированных электронных модулей для обработки аналоговых и цифровых сигналов на основе устройств функциональной электроники, приборов обработки сигналов аналого- цифровых и цифроаналоговых преобразователей, сенсоров и преобразователей 2916,849 1932,4 91,404 61,1 159,155 104,9 101,29 56,4 465 310 797 540 555 365 353 233 395 262 создание на основе базовых технологий и современной отечественной твердотельной компонентной электронной базы унифицированных электронных модулей нового поколения для обработки аналоговых и цифровых сигналов РЛС и других радио- технических систем в высокочастотных, ПЧ и сверхвысокочастотных диапазонах, освоение производства нового класса многофункциональных радиоэлектронных устройств, разработка унифицированных электронных модулей преобразователей физических и химических величин для измерения и контроля широкой номенклатуры параметров микромеханических систем 136. Разработка базовых технологий создания рядов унифицированных электронных модулей для систем телеметрии, управления, навигации (угловых и линейных перемещений, ориентации, стабилизации, позиционирования, наведения, радиопеленгации, единого времени) 1748,445 1160,25 47,185 32,5 77,477 42,2 63,783 45,55 285 190 453 313 300 197 257 167 265 173 создание рядов унифицированных электронных модулей для систем телеметрии, управления, радиолокационных, робототехнических, телекоммуникационных систем и навигации (ориентации, стабилизации, позиционирования, наведения, радиопеленгации, единого времени), позволяющих резко снизить стоимость и организовать крупносерийное производство радиоэлектронных средств широкого применения 137. Разработка базовых технологий создания рядов унифицированных электронных модулей процессоров, скоростного и сверхскоростного ввода-вывода данных, шифрования и дешифрования данных, интерфейсов обмена, систем сбора и хранения информации, периферийных устройств, систем идентификации и управления доступом, конверторов, информационно- вычислительных систем 3227,159 2145,54 60,024 40 89,053 53,5 63,082 42,04 540 360 977 658 525 348 495 328 478 316 создание на основе современной и перспективной отечественной электронной компонентной базы унифицированных электронных модулей широкой номенклатуры для применения в различных информационных системах, в том числе унифицированных электронных модулей шифрования и дешифрования данных; разработка базовых технологий и конструкций унифицированных электронных модулей на поверхностных акустических волнах систем радиочастотной и биометрической идентификации, систем идентификации личности, транспортных средств, электронных паспортов, логистики, контроля доступа на объекты повышенной безопасности, объектов атомной энергетики. В создаваемых унифицированных электронных модулях будет обеспечена скорость обмена и передачи информации до 30 Гб/с 138. Разработка базовых технологий создания рядов унифицированных электронных цифровых модулей для перспективных магистрально- модульных архитектур 1710,136 1132,4 49,076 32,7 64,824 43,2 81,236 46,5 270 180 437 303 302 197 256 167 250 163 разработка на основе перспективных отечественных сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" базового ряда электронных модулей для создания перспективных магистрально-модульных архитектур, обеспечивающих создание защищенных средств вычислительной техники нового поколения (автоматизированные рабочие места, серверы, средства высокоскоростных линий волоконной связи), функционирующих с использованием современных высокоскоростных последовательных и параллельных системных интерфейсов 139. Разработка базовых технологий создания ряда унифицированных электронных модулей для контрольно- измерительной, метрологической и поверочной аппаратуры, аппаратуры тестового контроля, диагностики блоков радиоэлектронной аппаратуры, для стандартных и встроенных систем контроля и измерений 2026,225 1338,2 72,091 35,5 92,753 61,9 61,381 40,8 330 220 536 364 336 224 303 198 295 194 создание на основе современной и перспективной отечественной электронной компонентной базы рядов унифицированных электронных модулей, обеспечивающих возможность создания по модульному принципу контрольно-измерительной, метрологической и поверочной аппаратуры, аппаратуры тестового контроля и диагностики на основе базовых несущих конструкций; создание комплекта сложнофункциональных блоков, определяющих ядро измерительных приборов, систем и комплексов, разработка законченных функциональных модулей, предназначенных для выполнения процессорных и интерфейсных функций поверки и диагностики сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" для систем управления, а также систем проектирования и изготовления модулей систем управления и бортовых электронно-вычислительных машин, систем обработки информации и вычислений 140. Разработка базовых технологий создания нового поколения унифицированных рядов средств электропитания и преобразователей электроэнергии для радио- электронных систем и аппаратуры гражданского и двойного назначения 2869,94 1908 58,5 41 95,178 62 91,262 55 480 320 860 574 417 278 477 318 391 260 разработка базовых технологий создания системообразующих унифицированных рядов средств (систем, источников, сервисных устройств) и преобразователей электроэнергии нового поколения межвидового и межведомственного применения, в том числе средств электропитания с высокой плотностью упаковки элементов с применением бескорпусных изделий, плоских моточных изделий пленочной технологии, новых методов экранирования, отвода и рассеяния тепла, основанных на применении наноразмерных материалов с высокой анизотропной теплопроводностью. Будут разработаны базовые технологии создания: унифицированных рядов источников электропитания; преобразователей электрической энергии; источников и систем бесперебойного электропитания; фильтров сетевых модулей автоматического переключения каналов; модулей защиты от сетевых помех; адаптеров 141. Разработка оптимизированной системы базовых несущих конструкций первого, второго и третьего уровней для наземной, морской, авиационной и космической радиоэлектронной аппаратуры специального и двойного назначения, предназначенной для жестких условий эксплуатации, в том числе работающей в негерметизированном отсеке с использованием прогрессивных технологий 3142,225 2089,5 43 28 84,225 54,5 90 57 525 350 920 612 514 343 498 333 468 312 разработка системы базовых несущих конструкций, изготавливаемых на основе прогрессивных технологий и обеспечивающих техническую совместимость со всеми видами современных объектов с использованием новых полимерных материалов. Применение оптимизированных базовых несущих конструкций позволит сократить сроки разработки радиоэлектронной аппаратуры в 1,2 раза, снизить трудоемкость изготовления базовых несущих конструкций в 1,5 - 2 раза, на 25 процентов уменьшить материалоемкость и сократить затраты на производство радиоэлектронной аппаратуры в 1,2 - 1,3 раза, обеспечить эффективное импортозамещение 142. Разработка базовых технологий комплексно интегрированных базовых несущих конструкций с функциями контроля, диагностики, индикации функционирования 1732,889 1159,68 46,16 33 66,651 45,3 60,078 41,38 285 190 482 320 275 184 269 180 249 166 разработка базовых несущих конструкций с функциями контроля, в том числе контроля температуры, влажности, задымления в корпусах радиоэлектронной аппаратуры, уровня вибрации, контроля параметров составных частей радиоэлектронной аппаратуры - унифицированных электронных модулей, индикации рабочих режимов и аварийных сигналов для идентификации контролируемых параметров, разработка герметичных и перфорированных базовых несущих конструкций, обеспечивающих нормальный тепловой режим радиоэлектронной аппаратуры и выполняющих функции измерения и регулирования в требуемом диапазоне температуры и влажности воздуха внутри герметичных и перфорированных базовых несущих конструкций. Это позволит в 1,5 - 2 раза повысить надежность радиоэлектронной аппаратуры 143. Разработка базовых технологий создания облегченных паяных базовых несущих конструкций для радиоэлектронной аппаратуры авиационного и космического базирования на основе существующих и перспективных алюминиевых сплавов повышенной прочности, обеспечивающих отвод тепла по элементам конструкции 1287,818 856,2 30,618 20 34,2 22,2 38 24 210 140 362 240 206 138 202 135 205 137 обеспечение улучшения массогабаритных характеристик бортовой аппаратуры на 30 процентов и повышение прочности при внешних воздействиях в 1,5 - 2 раза 144. Разработка контейнерных базовых несущих конструкций с унифицированными интерфейсными средствами для комплексирования бортовых и наземных систем и комплексов различного назначения 1051,4 698,4 21 14 32,4 20,4 38 24 180 120 275 180 181 123 164 110 160 107 повышение уровня системной интеграции и комплексирования средств и систем, повышение конкурентоспособности не менее чем в 2 раза, обеспечение функционирования аппаратуры в условиях внешних жестких воздействий Всего по направлению 7 26068,549 17331,97 649,773 427,9 963,649 623,7 815,127 520,37 4200 2800 7157 4795 4425 2950 4000 2655 3858 2560 Направление 8. Типовые базовые технологические процессы 145. Разработка технологии изготовления высокоплотных теплонагруженных и сильноточных печатных плат 3141,625 2094 45 30 75,057 50 66,568 44 555 370 848 575 553 365 521 345 478 315 обеспечение разработки технологий: производства печатных плат 5-го и выше классов точности, включая платы со встроенными пассивными элементами; создания межслойных соединений с переходными сопротивлениями до 1 мОм для силовых цепей электропитания; формирования слоев меди (в том числе с толщиной до 200-400 мкм), серебра, никеля с высокими показателями проводимости; формирования финишных покрытий для бессвинцовой технологии производства изделий; производства многослойных печатных плат под высокие температуры пайки; лазерных процессов изготовления печатных плат; прямой металлизации сквозных и глухих отверстий 146. Разработка технологии изготовления прецизионных коммутационных плат на основе керамики (в том числе низко- температурной), металла, углепластика и других функциональных материалов 2012,052 1343,3 35,733 25 52,195 35 49,124 33,3 360 240 545 363 348 232 322 215 300 200 обеспечение разработки технологий: изготовления коммутационных плат для жестких условий эксплуатации и широкого диапазона частот; получения коммутационных плат с температурным коэффициентом расширения, соответствующим тепловым характеристикам многовыводных корпусов (в том числе керамических) современных приборов; обеспечения предельно минимального газовыделения в замкнутом пространстве герметичных модулей; снижения энергоемкости технологических процессов за счет применения прогрессивных материалов и методов обработки, в том числе низкотемпературной керамики; интеграции в коммутационную плату теплостоков и низкоомных проводников, пассивных элементов; прогрессивных методов формообразования элементов коммутационных плат; обеспечения совмещенного монтажа компонентов методами пайки и сварки на одной плате 147. Разработка технологий сборки, монтажа электронных модулей, многокристальных модулей и микросборок на основе новой компонентной базы, перспективных технологических и конструкционных материалов 3705,145 2460,6 65,121 43 107,805 63 67,219 44,6 615 410 1033 689 668 445 600 400 549 366 обеспечение разработки технологий: новых методов присоединения, сварки, пайки, в том числе с применением бессвинцовых припоев; высокоточного дозирования материалов, применяемых при сборке (флюсы, припои и припойные пасты, клеи, лаки, компаунды и т. п.); новых методов сборки и пайки корпусов типа BGA, CSP, Flip-chip и других на различные коммутационные платы; монтажа новой электронной компонентной базы, в том числе бескорпусных кристаллов силовых ключей на токовые шины; сборки и монтажа низкопрофильных магнитных компонентов; настройки и ремонта сложных модулей, в том числе демонтажа и повторного монтажа многовыводных компонентов с восстановлением влагозащиты 148. Разработка технологии создания межблочных соединений для коммутации сигналов в широком диапазоне частот и мощностей 1392 927 29 19 36,5 24 36,5 24 225 150 382 255 248 165 225 150 210 140 обеспечение разработки технологий: изготовления антенно- фидерных устройств, в том числе гибких волноводов, вращающихся сочленений с различными видами охлаждения; оптоволоконной коммутации, устойчивой к воздействию жестких условий эксплуатации для различных условий применения, в том числе для систем дистанционного управления и мониторинга; изготовления устройств коммутации (разъемов, переключателей и т. п.) различного назначения, в том числе многовыводных, герметичных, врубных, сильноточных и других 149. Разработка методов, средств и технологии автоматизированного контроля коммутационных плат, узлов, электронных модулей и приборов специального и общего применения на этапах разработки и производства 1433,792 955,5 35,154 23 61,38 41 47,258 31,5 225 150 382 255 248 165 225 150 210 140 повышение процента выхода годных изделий, снижение потерь на 15-30 процентов; обеспечение разработки: неразрушающих методов контроля качества монтажных соединений и многослойных структур за счет использования различного излучения и цифровой обработки информации; методов выявления напряженных состояний элементов конструкции и потенциальных неисправностей изделий; унифицированных методов и средств тестового и функционального контроля изделий различного назначения 150. Разработка технологии производства специальных технологических и конструкционных материалов и базовой технологии защиты электронных модулей от воздействия в жестких условиях эксплуатации 3587,206 2388,12 57,178 36 81,504 53,15 73,524 48,97 600 400 1037 658 642 428 592 395 504 369 импортозамещение специальных конструкционных и технологических материалов, обеспечивающих процессы бессвинцовой и комбинированной пайки, изготовления коммутационных плат; разработка влагозащитных электроизоляционных покрытий с минимальным газовыделением со сроком эксплуатации 25 и более лет; разработка быстроотверждающихся, эластичных, с низким газовыделением в вакууме клеев, компаундов; разработка материалов и технологии их применения для формирования теплостоков в высокоплотной аппаратуре; разработка высокоэффективных ферритов для планарных трансформаторов повышенной мощности; обеспечение разработки технологий:

локальной защиты чувствительных компонентов, общей защиты модулей органическими материалами, в том числе наноструктурированными; вакуумно-плотной герметизации узлов и блоков со свободным внутренним объемом до 5-10 л методами пайки и сварки; изготовления вакуумно- плотных корпусов многокристальных модулей и микросборок под поверхностный монтаж на платы; формирования покрытий, обеспечивающих длительную защиту от дестабилизирующих факторов внешней среды, включая ионизирующие излучения; нанесения локальных покрытий с заданными свойствами на элементы конструкции модулей Всего по направлению 8 15271,82 10168,52 267,186 176 414,441 266,15 340,193 226,37 2580 1720 4227 2795 2707 1800 2485 1655 2251 1530 Направление 9. Развитие технологий создания радиоэлектронных систем и комплексов 151. Разработка технологий создания систем и оборудования автоматизации проектирования радиоэлектронных систем и комплексов 2630,515 1751 60,032 40 89,083 59 81,4 52 435 290 887 590 367 245 359 240 352 235 создание технологий отечественного программно- аппаратного обеспечения и средств разработки для автоматизированного проектирования радиоэлектронного оборудования с использованием различных технологических процессов; повышение качества и сокращение сроков разработки радиоэлектронной продукции; создание технологий обеспечения информационной безопасности функционирования информационно-управляющих систем; существенное повышение уровней защиты информации в информационно- управляющих системах, создание базовых универсальных функциональных модулей защиты информации от несанкционированного доступа, вирусных атак, средств разведки и считывания информации, криптозащиты каналов систем; реализация полного технологического цикла проектирования, испытаний и производства унифицированной высокоэффективной, импортозамещающей, конкурентоспособной аппаратуры 152. Разработка технологий моделирования сложных информационно- управляющих систем, в том числе систем реального времени 3098,994 2052,9 75,3 49,8 138,5 80 80,194 53,1 525 350 1055 705 430 286 406 270 389 259 создание новых способов моделирования: комбинированного способа моделирования, позволяющего существенным образом повысить быстродействие вычислений при сохранении точности расчета выходных показателей эффективности; способа операционно- динамического моделирования; снижение сроков разработки и испытаний радиоэлектронной продукции; повышение достоверности математического и имитационного моделирования радиоэлектронных систем и комплексов, обеспечение максимальной сходимости результатов с результатами натурных испытаний и экспериментов 153. Разработка технологий полунатурных и стендовых испытаний сложных информационно- управляющих систем 2425,733 1615,65 45,054 30 70,65 45,65 75,029 50 405 270 975 650 285 190 285 190 285 190 создание метрологически аттестованной унифицированной стендовой испытательной базы для проведения научно- исследовательских и опытно- конструкторских работ; снижение сроков разработки и стоимости испытаний радиоэлектронной продукции; существенное повышение достоверности полунатурного моделирования радиоэлектронных систем и комплексов, обеспечение максимальной сходимости результатов с результатами натурных испытаний 154. Разработка технологии конструирования и производства, а также аппаратно- программного обеспечения метрологических систем различного назначения для создания нового поколения отечественного парка измерительной аппаратуры 2257,66 1502,61 45,05 30 73,65 48,65 68,96 43,96 375 250 907 605 269 179 270 180 249 166 разработка базовых технологий, элементов и конструкций для создания парка измерительных систем и приборов, необходимых для разработки и испытаний радиотехнических информационно-управляющих систем, систем связи и телекоммуникаций Всего по направлению 9 10412,902 6922,16 225,436 149,8 371,883 233,3 305,583 199,06 1740 1160 3824 2550 1351 900 1320 880 1275 850 Направление 10. Обеспечивающие работы 155. Разработка организационных принципов и научно- технической базы обеспечения проектирования и производства электронной компонентной базы в соответствии с требованиями Всемирной торговой организации 92 89 9 6 6 6 7 7 10 10 18 18 14 14 14 14 14 14 разработка комплекта методической и научно-технической документации для обеспечения функционирования систем проектирования и производства электронной компонентной базы в соответствии с требованиями Всемирной торговой организации 156. Создание и обеспечение функционирования системы испытаний электронной компонентной базы, обеспечивающей поставку изделий с гарантированной надежностью для комплектации систем специального и двойного назначения 128,3 125 16,3 13 20 20 13 13 19 19 18 18 14 14 14 14 14 14 разработка новых и совершенствование существующих методов испытаний электронной компонентной базы, разработка методов отбраковочных испытаний перспективной электронной компонентной базы, обеспечение поставки изделий с гарантированной надежностью для комплектации систем специального назначения (атомная энергетика, космические программы, транспорт, системы двойного назначения) 157. Разработка и совершенствование методов, обеспечивающих качество и надежность сложно- функциональной электронной компонентной базы на этапах опытно- конструкторских работ, освоения и производства 100,5 99 8,5 7 12 12 9 9 11 11 18 18 15 15 14 14 13 13 разработка и систематизация методов расчетно- экспериментальной оценки показателей надежности электронной компонентной базы, разрешенной для применения в аппаратуре, функционирующей в специальных условиях и с длительными сроками активного существования 158. Создание и внедрение основополагающих документов по обеспечению жизненного цикла изделия на этапах проектирования, производства, применения и утилизации электронной компонентной базы 94,5 86 10 7 14,5 9 10 10 18 18 15 15 14 14 13 13 разработка системы технологий обеспечения жизненного цикла изделия при создании широкой номенклатуры электронной компонентной базы 159. Научное сопровождение Программы, в том числе определение технологического и технического уровней развития отечественной и импортной электронной компонентной базы на основе их рубежных технико- экономических показателей, разработка "маршрутных карт" развития групп электронной компонентной базы 138 127 19 13 25 20 15 15 19 19 18 18 15 15 14 14 13 13 оптимизация состава выполняемых комплексов научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ по развитию электронной компонентной базы в рамках Программы и определение перспективных направлений создания новых классов электронной компонентной базы с установлением системы технико-экономических и рубежных технологических показателей, разработка "маршрутных карт" развития по направлениям электронной компонентной базы 160 Создание интегрированной информационно- аналитической автоматизированной системы по развитию электронной компонентной базы, охватывающей деятельность заказчика- координатора, заказчиков и организаций, участвующих в выполнении комплекса программных мероприятий, с целью оптимизации состава участников, финансовых средств, перечисляемой государству прибыли и достижения заданных технико- экономических показателей разрабатываемой электронной компонентной базы 104,5 98 11 7 14,5 12 9 9 10 10 18 18 15 15 14 14 13 13 проведение технико- экономической оптимизации выполнения комплексных годовых мероприятий подпрограммы, создание системы действенного финансового и технического контроля выполнения Программы 161. Определение перспектив развития российской электронной компонентной базы на основе В ллиза динамики сегментов мирового и отечественного рынков радиоэлектронной продукции и действующей производственно- технологической базы 100 93 11 7 13 10 8 8 8 8 18 18 15 15 14 14 13 13 формирование системно- ориентированных материалов по экономике, технологиям проектирования и производству электронной компонентной базы, обобщение и анализ мирового опыта для выработки технически и экономически обоснованных решений развития электронной компонентной базы 162. Системный анализ результатов выполнения комплекса мероприятий Программы на основе создания отраслевой системы планирования и учета развития разработки, производства и применения электронной компонентной базы по основным технико- экономическим показателям 74 69 11 8 13 11 8 8 7 7 14 14 7 7 7 7 7 7 создание отраслевой системы учета и планирования развития разработки, производства и применения электронной компонентной базы Всего по направлению 10 831,8 786 95,8 68 118 100 69 69 94 94 140 140 110 110 105 105 100 100 Итого по разделу I 96752,876 63908,3 6035,127 3980 6598,632 4241,3 6044,117 3637 14895 9930 22517,65 15024,12 15051,1 10020 13408,25 8925,88 12203 8150 Мероприятия 2008 - 2015 годы - всего В том числе Сроки реализации Площадь объекта (кв. м) Ожидаемые результаты 2008 год 2009 год 2010 год 2011 год 2012 год 2013 год 2014 год 2015 год II. Капитальные вложения МИНИСТЕРСТВО ПРОМЫШЛЕННОСТИ И ТОРГОВЛИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ (МИНПРОМТОРГ РОССИИ) Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств 163. Реконструкция и техническое перевооружение производства сверхвысокочастотной техники федерального государственного унитарного предприятия "Научно- производственное предприятие "Исток", г. Фрязино, Московская область 744,5 696,5 357 315 191,5 191,5 196 190 2008- 2010 5293 создание производственно- технологического комплекса по выпуску твердотельных сверхвысокочастотных субмодулей мощностью 100 тыс. шт. в год 164. Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно- производственное предприятие "Пульсар", г. Москва 815,5 580,5 124,5 110 170,5 170,5 100,5 90 420 210 2008- 2011 3424,4 создание производственной технологической линии по выпуску сверхвысокочастотных приборов и модулей на широкозонных полупроводниках мощностью 360 тыс. шт. в год 165. Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно- производственное предприятие "Салют", г. Нижний Новгород 233 140* 53 50 180 90 2010- 2011 3380 расширение мощностей по производству активных элементов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем с повышенной радиационной стойкостью с 15 до 35 тыс. шт. в год** 166. Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно- производственное предприятие "Алмаз", г. Саратов 193,6 140* 93,6 90 100 50 2010- 2011 3058,73 ввод новых мощностей по производству новейших образцов ламп бегущей волны и других сверхвысокочастотных приборов, в том числе в миллиметровом диапазоне** 167. Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно- производственное предприятие "Торий", г. Москва 348,8 200* 78,8 65 270 135 2010- 2011 1438 реконструкция производственной линии по выпуску новых сверхмощных сверхвысокочастотных приборов с повышенным уровнем технических параметров, надежности и долговечности мощностью 88 шт. в год** 168. Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ", г. Новосибирск 100 60* 40 30 60 30 2010- 2011 1380 реконструкция производственной линии для выпуска новых изделий радиационно стойкой электронной компонентной базы, необходимой для организаций Росатома и Роскосмоса** 169. Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно- производственное предприятие "Восток", г. Новосибирск 133 90* 53 50 80 40 2010- 2011 1973 создание производственных мощностей по выпуску радиационно стойкой электронной компонентной базы в количестве 80-100 тыс. шт. в год для комплектования важнейших специальных систем** 170. Техническое перевооружение открытого акционерного общества "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон", г. Москва, г. Зеленоград 1520 760* 500 250 380 190 320 160 320 160 2012- 2015 5240*** техническое перевооружение завода для выпуска сверхбольших интегральных схем с топологическими нормами 0,18 мкм** 171. Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно- исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф.Стель- маха", г. Москва 240 120* 49,2 24,6 190,8 95,4 2010- 2011 1720 организация участка прецизионной оптической и механической обработки деталей для лазерных излучателей, твердотельных лазеров и бескарданных лазерных гироскопов нового поколения мощностью 442 шт. в год** 172. Техническое перевооружение открытого акционерного общества "Светлана", г. Санкт- Петербург 420 210* 110 55 100 50 105 52,5 105 52,5 2012- 2015 1555*** создание новых производственных мощностей для выпуска микроэлектронных датчиков физических величин и электронных датчиков для экспресс- контроля параметров крови и жизнедеятельности человека** 173. Реконструкция и техническое перевооружение централизованного производства базовых несущих конструкций на федеральном государственном унитарном предприятии "Производственное объединение "Квант", г. Великий Новгород 166,2 150* 166,2 150 2009 7630,4 обеспечение потребности в базовых несущих конструкциях, в том числе импортозамещающих, предприятий приборостроения, машиностроения, судостроения и других отраслей промышленности** 174. Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно- исследовательский институт электронно- механических приборов", г. Пенза 62 60* 62 60 2009 2404,6 техническое перевооружение действующего производства электронной компонентной базы и микросистемотехники для создания новых рядов конкурентоспособных изделий электронной техники** 175. Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно- исследовательский институт электронной техники", г. Воронеж 60,1 30 60,1 30 2008 120 техническое перевооружение действующих производственных мощностей по выпуску сверхбольших интегральных схем и мощных сверхвысокочастотных транзисторов с объемом выпуска сверхбольших интегральных схем 50 тыс. шт. в год, мощных сверхвысокочастотных транзисторов 10 тыс. шт. в год** 176. Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно- исследовательский институт физических проблем имени Ф.В.Лукина", г. Москва 160 80* 160 80 2012 700 организация серийного производства параметрических рядов мембранных датчиков мощностью 10 млн. шт. в год и чувствительных элементов для сканирующей зондовой микроскопии мощностью 0,3 млн. шт. в год** 177. Реконструкция и техническое перевооружение производства перспективных тонкостенных антенно- фидерных устройств и волноводных трактов сверхвысокочастотного диапазона в открытом акционерном обществе "Рыбинский завод приборостроения", г. Рыбинск, Ярославская область 840 420* 64 32 110 55 240 120 180 90 123 61,5 123 61,5 2010- 2015 12900 расширение производства перспективных тонкостенных антенно- фидерных устройств и волноводных трактов сверхвысокочастотного диапазона, увеличение выпуска в 1,5 раза мощностью 44,76 тыс. шт. в год** 178. Техническое перевооружение и реконструкция технологической и лабораторной базы производства и контроля перспективных радиоэлектронных модулей в открытом акционерном обществе "Челябинский радиозавод "Полет", г. Челябинск 1000 500* 300 150 280 140 210 105 210 105 2012- 2015 3225*** увеличение объемов производства модулей для обработки и передачи сигналов радиолокационных, навигационных и посадочных систем до 250 шт. в год** 179. Техническое перевооружение и реконструкция производства и лабораторной базы для разработки и производства перспективных радиоэлектронных модулей, изделий в открытом акционерном обществе "Концерн радиостроения "Вега", г. Москва 1800 900* 560 280 500 250 370 185 370 185 2012- 2015 5455*** повышение эффективности, надежности и конкурентоспособности отечественных радиоэлектронных модулей, изделий, комплексов и систем открытого акционерного общества "Концерн радиостроения "Вега"** 180. Техническое перевооружение и реконструкция производственно- технологической, контрольно- испытательной базы нового поколения антенных систем дистанционного зондирования Земли в открытом акционерном обществе "Научно- исследовательский институт "Кулон", г. Москва 1200 600* 360 180 340 170 250 125 250 125 2012- 2015 3870*** повышение надежности и качества конечной продукции открытого акционерного общества "Концерн радиостроения "Вега", создание конкурентоспособных изделий мирового уровня, увеличение годового объема производства до 6 систем в год** 181. Техническое перевооружение для создания производства нового поколения радиоэлектронных модулей в открытом акционерном обществе "Научно- производственное предприятие "Рубин", г. Пенза 297,66 148,66* 47,66 23,66 110 55 140 70 2009- 2011 2456,4 создание комплексного испытательного стенда для исследования образцов техники мощностью 800 шт. в год** 182. Техническое перевооружение производственно- технологической, контрольно- испытательной базы в открытом акционерном обществе "Инженерно- маркетинговый центр ОАО "Концерн радиостроения "Вега", г. Москва 379,9 200* 25,9 23 70 35 80 40 60 30 72 36 72 36 2010- 2015 996,3 производство систем радиочастотной идентификации** 183. Техническое перевооружение и реконструкция мощностей для производства микропроцессорных систем управления и контроля гибридных двигательных установок различного класса в открытом акционерном обществе "Конструкторское бюро "Луч", г. Рыбинск, Ярославская область 1000 500* 240 120 300 150 230 115 230 115 2012- 2015 3030*** обеспечение производства микропроцессорных систем управления и контроля гибридных двигательных установок различного класса в объеме до 1000 шт. в месяц** 184. Реконструкция и техническое перевооружение в целях создания специализированного производства прецизионных лазерных и пьезо- керамических гироскопов в открытом акционерном обществе "Ижевский электромеханический завод "Купол", г. Ижевск, Удмуртская Республика 1720 860* 500 250 480 240 370 185 370 185 2012- 2015 5200*** изготовление прецизионных лазерных и пьезокерамических гироскопов для перспективных летательных аппаратов** 185. Техническое перевооружение и реконструкция специализированного производства унифицированных низкочастотных типовых элементов замены и модулей активных фазированных антенных решеток в открытом акционерном обществе "Марийский машиностроительный завод", г. Йошкар-Ола, Республика Марий Эл 1220 610* 380 190 360 180 240 120 240 120 2012- 2015 3560*** изготовление унифицированных твердотельных низкочастотных типовых элементов замены для информационных средств и модулей активных фазированных антенных решеток для локационных систем различного применения, перспективных средств связи и управления воздушным движением** 186. Реконструкция и техническое перевооружение производства унифицированных электронных модулей межвидового применения на открытом акционерном обществе "Федеральный научно- производственный центр "Нижегородский научно- исследовательский институт радиотехники", г. Нижний Новгород 720 360* 140 70 260 130 200 100 60 30 60 30 2011- 2015 9582 организация производства и внедрение современной технологии с соответствующим переоснащением высокопроизводительным оборудованием, увеличение объема ежегодного производства продукции с 2370 млн. рублей в 2007 году до 5028 млн. рублей в 2015 году** 187. Техническое перевооружение специализированного производства твердотельных передающих и приемных систем, приемо-передающих модулей активных фазированных антенных решеток в открытом акционерном обществе "Научно- производственное объединение "Правдинский радиозавод", г. Балахна, Нижегородская область 970 485* 240 120 277,62 138,81 240 120 106,19 53,095 106,19 53,095 2011- 2015 8442,7 увеличение объемов производства, повышение качества и надежности твердотельных передающих и приемных систем, приемо- передающих модулей активных фазированных антенных решеток L-диапазона для перспективных средств связи и управления воздушным движением** 188. Техническое перевооружение и реконструкция специализированного производства твердотельных передающих и приемных систем, приемо-передающих модулей активных фазированных антенных решеток в открытом акционерном обществе "Научно- производственное объединение "Лианозовский электромеханический завод", г. Москва 1230 615* 360 180 330 165 270 135 270 135 2012- 2015 4000*** увеличение объемов производства, повышение качества и надежности твердотельных передающих и приемных систем, приемо- передающих модулей активных фазированных антенных решеток С- и S-диапазонов волн для перспективных средств связи и управления воздушным движением** 189. Техническое перевооружение и реконструкция специализированного производства унифицированных высокочастотных типовых элементов замены в открытом акционерном обществе "Рязанский завод "Красное Знамя", г. Рязань 800 400* 240 120 200 100 180 90 180 90 2012- 2015 2425*** изготовление унифицированных твердотельных высокочастотных типовых элементов замены для локационных систем различного применения, перспективных средств связи и управления воздушным движением, увеличение объема производства типовых элементов замены в 1,5 раза** 190. Техническое перевооружение и реконструкция специализированного производства унифицированных рабочих мест операторов информационных систем в открытом акционерном обществе "Уральское производственное предприятие "Вектор", г. Екатеринбург 960 480* 260 130 240 120 230 115 230 115 2012- 2015 3300*** увеличение выпуска унифицированных автоматизированных рабочих мест операторов информационных и специального назначения управляющих систем в 1,7 раза** 191. Реконструкция и техническое перевооружение для создания регионального контрактного производства унифицированных электронных модулей в открытом акционерном обществе "Концерн "Созвездие", г. Воронеж 960 480* 300 150 240 120 210 105 210 105 2012- 2015 2800*** внедрение современных технологий с соответствующим переоснащением высокопроизводительным оборудованием для организации контрактного производства** 192. Создание лабораторной, технологической и производственной базы для обеспечения разработки, производства и испытаний нового поколения телекоммуникационных систем и комплексов в открытом акционерном обществе "Концерн "Созвездие", г. Воронеж 2060 1030* 640 320 560 280 430 215 430 215 2012- 2015 6000*** создание конкурентоспособной продукции мирового уровня, освоение технологий двойного назначения, увеличение объема выпуска изделий до 2 - 2,5 млрд. рублей в год** 193. Реконструкция и техническое перевооружение производственно- технологической и лабораторно- испытательной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Калужский электромеханический завод", г. Калуга 194,6 97,3* 194,6 97,3 2012 620*** создание мощностей по изготовлению спецтехники нового поколения, обеспечивающей защиту специальной информации в информационно- коммуникационных системах** 194. Техническое перевооружение производства перспективных коротковолновых радиостанций в открытом акционерном обществе "Тамбовский завод "Октябрь", г. Тамбов 57 0 285* 110 55 380 190 80 40 2011- 2013 3156 увеличение объема выпуска продукции в 1,3 - 1,5 раза, повышение качества и конкурентоспособности продукции** 195. Реконструкция и техническое перевооружение производства наземной аппаратуры подвижной связи в открытом акционерном обществе "Тамбовский завод "Революционный труд", г. Тамбов 350 175* 90 45 80 40 90 45 90 45 2012- 2015 1200*** модернизация производства и внедрение современной технологии с соответствующим переоснащением высокопроизводительного оборудования** 196. Техническое перевооружение производственно- технологической и лабораторно- испытательной базы в открытом акционерном обществе "Воронежский научно- исследовательский институт "Вега", г. Воронеж 600 300* 200 100 120 60 120 60 80 40 80 40 2011- 2015 2332,2 ускорение и повышение качества разработки мультисервисных сетей ведомственной и профессиональной связи, ожидаемый экономический эффект 3 млрд. рублей** 197. Техническое перевооружение лабораторной и производственно- технологической базы нового поколения узлов связи в открытом акционерном обществе "Тамбовский научно- исследовательский институт радиотехники "Эфир", г. Тамбов 220 110* 220 110 2011 7500 ускорение и повышение качества разработки перспективных программно реализуемых сетей радиосвязи и серии унифицированных электронных модулей для построения указанных сетей** 198. Техническое перевооружение производства открытого акционерного общества "Российская электроника", г. Москва 915,4 457,7* 400 200 360 180 77,7 38,85 77,7 38,85 2012- 2015 2700*** серийное производство перспективной номенклатуры резисторов, в том числе чип-резисторов в объеме 350-400 млн. руб. в год** 199. Реконструкция и техническое перевооружение для создания серийного производства инфракрасных оптоэлектронных компонентов в открытом акционерном обществе "РЭ Комплексные системы", г. Санкт- Петербург 720 360* 400 200 320 160 2012- 2013 2300*** серийное производство инфракрасных оптоэлектронных компонентов и комплекса электронных средств для обеспечения безопасности промышленных объектов** 200. Техническое перевооружение с целью создания производства новых электровакуумных приборов на открытом акционерном обществе "Научно- производственное предприятие "Контакт", г. Саратов 161,5 136,5* 91,5 76,5 70 60 2009- 2010 2786 увеличение объемов производства в 1,5 раза** мощностью 4327 шт. в год 201. Техническое перевооружение и реконструкция производства по выпуску электровакуумных приборов сверх- высокочастотного диапазона и специального технологического оборудования в открытом акционерном обществе "Владыкинский механический завод", г. Москва 178,375 150* 50,200 50 70,675 50 57,5 50 2008- 2010 2015 обеспечение увеличения объема выпуска продукции до 0,8 - 1,2 млрд. рублей в год, увеличения ресурса изделий, создания новых приборов мощностью 706 шт. в год** 202. Техническое перевооружение для создания сборочного производства электронных модулей с использованием новейшей электронной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Электромеханический завод "Звезда", г. Сергиев Посад, Московская область 800 400* 500 250 200 100 50 25 50 25 2012- 2015 2750*** создание сборочного производства с использованием микроминиатюрной элементной базы, в том числе микропроцессоров и матриц BGA** 203. Реконструкция и техническое перевооружение с целью создания контрактного производства электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Калужский завод телеграфной аппаратуры", г. Калуга 420 210* 140 70 100 50 90 45 90 45 2012- 2015 1450*** увеличение объема выпуска продукции до 520 млн. рублей в год** 204. Техническое перевооружение и реконструкция производства и приборно- измерительной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Таганрогский научно- исследовательский институт связи", г. Таганрог 302 151* 80 40 70 35 76 38 76 38 2012- 2015 940*** внедрение современных технологий, создание комплекса для проведения контроля технологических параметров и испытаний. Увеличение объема выпуска продукции в 1,5 раза** 205. Техническое перевооружение и реконструкция пилотной технологической линии по изготовлению наногетероструктурных сверхвысокочастотных транзисторов и монолитных интегральных схем для систем связи, измерительной техники, радиолокации и сверхвысокочастотной радиометрии в Учреждении Российской академии наук Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, г. Москва 480 240* 160 80 140 70 90 45 90 45 2012- 2015 1550*** производство наногетероструктурных сверхвысокочастотных транзисторов и монолитных интегральных схем для систем связи, измерительной техники, радиолокации и сверхвысокочастотной радиометрии** 206. Техническое перевооружение и реконструкция производства испытательной базы нового поколения пьезо- электрических генераторов, фильтров, резонаторов в открытом акционерном обществе "Завод "Метеор", г. Волжский, Волгоградская область 300 150* 80 40 70 35 75 37,5 75 37,5 2012- 2015 910*** производство полного функционального ряда массовых отечественных микроминиатюрных пьезоэлектрических генераторов, фильтров, резонаторов. Увеличение объема выпуска продукции до 230-250 млн. рублей в год** 207. Реконструкция и техническое перевооружение научно- производственной и лабораторной базы в открытом акционерном обществе "Ордена Трудового Красного Знамени федеральный научно- производственный центр по радиоэлектронным системам и информационным технологиям имени В.И.Шимко", г. Казань, Республика Татарстан 400 200* 120 60 120 60 80 40 80 40 2012- 2015 720*** расширение производственных площадей выпуска приемо-передающих модулей на 720 кв. м** 208. Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Нижегородский завод имени М.В.Фрунзе", г. Нижний Новгород 400 200* 120 60 120 60 80 40 80 40 2012- 2015 1540*** организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение объема производства контрактной продукции в 1,8 раза** 209. Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Омское производственное объединение "Иртыш", г. Омск 214,453 150* 79 60 135,453 90 2008- 2009 2300 организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение объема производства контрактной продукции в 2,5 раза** 210. Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства унифицированных электронных модулей в открытом акционерном обществе "Авангард", г. Санкт- Петербург 300 150* 80 40 70 35 75 37,5 75 37,5 2012- 2015 1070*** организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение объема производства контрактной продукции в 1,5 раза** 211. Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства по изготовлению печатных плат выше 5-го класса точности и унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Пензенское производственное объединение "Электроприбор", г. Пенза 1000 500* 380,52 190,26 280 140 169,74 84,87 169,74 84,87 2012- 2015 3300*** обеспечение изготовления печатных плат с новыми финишными покрытиями до 20 000 кв. м в год; обеспечение изготовления унифицированных электронных модулей на печатных платах в количестве до 400 тыс. шт. в год** 212. Техническое перевооружение и реконструкция производства электронных сверхвысокочастотных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Нижегородский научно- исследовательский приборостроительный институт "Кварц", г. Нижний Новгород 600 300* 200 100 160 80 120 60 120 60 2012- 2015 1750*** внедрение современной технологии с соответствующим переоснащением высокопроизводительным оборудованием. Увеличение объема выпуска продукции в 1,5 раза** 213. Техническое перевооружение и реконструкция производства систем, комплексов и средств, защиты информации на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно- исследовательский институт автоматики", г. Москва 510 255* 210 105 160 80 70 35 70 35 2012- 2015 1645*** обеспечение разработки, производства и аттестации средств комплексов и систем защиты информации. Увеличение объема выпуска продукции до 0,8 - 1,2 млрд. рублей** 214. Техническое перевооружение и реконструкция регионального производства базовых несущих конструкций (БНК) на федеральном государственном унитарном предприятии "Всероссийский научно- исследовательский институт "Градиент", г. Ростов-на-Дону 300 150* 80 40 70 35 75 37,5 75 37,5 2012- 2015 935*** обеспечение потребности организаций в базовых несущих конструкциях для всех видов радиоэлектронной аппаратуры. Увеличение объема выпуска продукции в 2 раза** 215. Реконструкция и техническое перевооружение производственно- технологической и лабораторно- испытательной базы для создания комплексов средств автоматизации информационно- управляющих систем на федеральном государственном унитарном предприятии "Ордена Трудового Красного Знамени научно- исследовательский институт автоматической аппаратуры им. академика В.С.Семенихина", г. Москва 360 180* 90 45 90 45 90 45 90 45 2012- 2015 1060*** обеспечение разработки, производства и аттестации комплексов средств автоматизации информационно- управляющих систем. Увеличение объема выпуска продукции до 0,52 млрд. рублей** 216. Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Калугаприбор", г. Калуга 300 150* 80 40 70 35 75 37,5 75 37,5 2012- 2015 1250*** организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение объема производства контрактной продукции в 1,8 раза** 217. Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Ростовский-на- Дону научно- исследовательский институт радиосвязи", г. Ростов-на-Дону 300 150* 80 40 70 35 75 37,5 75 37,5 2012- 2015 1100*** организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение объема производства контрактной продукции в 1,7 раза** 218. Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Ордена Трудового Красного Знамени научно- исследовательский институт автоматической аппаратуры им. академика В.С.Семенихина", г. Москва 300 150* 80 40 70 35 75 37,5 75 37,5 2012- 2015 1060*** организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение объема производства контрактной продукции в 2,5 раза** 219. Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства унифицированных электронных модулей в открытом акционерном обществе "Курский завод "Маяк", г. Курск 300 150* 70 35 90 45 70 35 70 35 2012- 2015 970*** организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение объема производства контрактной продукции в 2,5 раза** 220. Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно- исследовательский институт "Полюс" имени М.Ф.Стельмаха, г. Москва 400 200* 100 50 200 100 50 25 50 25 2012- 2015 1600*** организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение объема производства контрактной продукции в 1,8 раза** 221. Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно- исследовательский институт телевидения", г. Санкт- Петербург 300 150* 100 50 100 50 50 25 50 25 2012- 2015 1210*** организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение объема производства контрактной продукции в 1,7 раза** 222. Техническое перевооружение с целью создания мощностей по выпуску источников вторичного электропитания в открытом акционерном обществе "Специальное конструкторско- технологическое бюро по релейной технике", г. Великий Новгород 240 120* 60 30 60 30 60 30 60 30 2012- 2015 1000*** увеличение объема производства в 1,5 раза** 223. Реконструкция и техническое перевооружение производства и испытательной базы широкополосных сверх- высокочастотных устройств на федеральном государственном унитарном предприятии "Брянский электромеханический завод", г. Брянск 400 200* 100 50 140 70 80 40 80 40 2012- 2015 1210*** увеличение объема производства радиоэлектронных изделий на 170 млн. рублей** 224. Техническое перевооружение и реконструкция производственно- испытательных мощностей на федеральном государственном унитарном предприятии "Государственное конструкторское бюро аппаратно- программных средств "Связь", г. Ростов-на-Дону 100 50* 100 50 2012 325*** увеличение объема выпуска продукции на 100 млн. рублей, освоение серийного производства изделий "Орион-3М", "Орион-3СМ", "Анализ", "Страж-ПМ" и других** 225. Техническое перевооружение и реконструкция научно- технического и производственного комплексов по выпуску электровакуумных приборов сверх- высокочастотного диапазона на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно- производственное предприятие "Торий", г. Москва 800 400* 200 100 240 120 180 90 180 90 2012- 2015 2285*** увеличение объема выпуска продукции до 1,5 - 2 млрд. рублей в год, снижение себестоимости продукции** 226. Техническое перевооружение и реконструкция регионального производства базовых несущих конструкций на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно- производственное предприятие "Полет", г. Нижний Новгород 178,61 169,8* 102,6 100 76,01 69,8 2008- 2009 2010 увеличение объема выпуска продукции в 2 раза** 227. Техническое перевооружение и реконструкция производства, метрологической и стендовой базы для наноструктурированных материалов, слоистых структур и композитов на их основе в открытом акционерном обществе "Центральный научно- исследовательский технологический институт "Техномаш", г. Москва 480 240* 200 100 180 90 50 25 50 25 2012- 2015 1450*** организация производства базисных материалов и элементов для разработки приборов и устройств контроля сверхмалых количеств химических и биологических веществ с использованием наноструктурированных материалов, слоистых структур и композитов на их основе** 228. Реконструкция и техническое перевооружение испытательного центра для обеспечения комплекса работ по корпусированию и испытаниям сложнофункциональных интегральных схем в открытом акционерном обществе "Российский научно- исследовательский институт "Электронстандарт", г. Санкт- Петербург 400 200* 100 50 100 50 100 50 100 50 2012- 2015 1145*** увеличение объема производства изделий до 1,9 млн. шт. и 650 млн. рублей** 229. Реконструкция и техническое перевооружение технологической линии по производству прецизионных многослойных печатных плат в открытом акционерном обществе "Омский приборостроительный ордена Трудового Красного Знамени завод им. Н.Г.Козицкого", г. Омск 700 350* 180 90 160 80 180 90 180 90 2012- 2015 1890*** увеличение объема выпуска продукции на 2 млрд. рублей** 230. Реконструкция и техническое перевооружение производственно- технологической и лабораторно- испытательной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно- исследовательский институт "Экран", г. Самара 557,6 403* 113,5 110 108,4 88 115,7 95 220 110 2008- 2011 879 создание конкурентоспособных изделий мирового уровня. Разработка технологий двойного назначения. Увеличение объема производства в 1,5 раза** 231. Реконструкция и техническое перевооружение производственно- технологической и лабораторной базы для комплексов специальной радиосвязи и управления на федеральном государственном унитарном предприятии "Омский научно- исследовательский институт приборостроения", г. Омск 714,7 360* 15,5 10,4 79,2 39,6 180 90 140 70 150 75 150 75 2010- 2015 3531 создание комплексов конкурентоспособной аппаратуры специальной радиосвязи и управления. Увеличение объема выпуска продукции в 1,5 раза** 232. Реконструкция и техническое перевооружение моделирующего центра в открытом акционерном обществе "Научно- исследовательский институт вычислительных комплексов им. М.А.Карцева", г. Москва 280 140* 70 35 70 35 70 35 70 35 2012- 2015 900*** повышение конкурентоспособности, снижение сроков разработки на 4-5 месяцев. Создание поведенческих моделей систем реального времени, использование систем поддержки принятия решений, проведение и анализ полунатурных испытаний, отработка алгоритмов искусственного интеллекта. Сокращение сроков испытания в 1,5 - 2 раза. Применение CALS- технологий с целью сокращения затрат и поддержки жизненного цикла разрабатываемых систем** 233. Техническое перевооружение и реконструкция производственно- технологической и лабораторно- испытательной базы по созданию модернизированной системы идентификации на федеральном государственном унитарном предприятии "Пензенское производственное объединение электронной вычислительной техники", г. Пенза 560 280* 160 80 170 85 115 57,5 115 57,5 2012- 2015 1650*** увеличение объема выпуска продукции до 421,5 млн. рублей** 234. Техническое перевооружение и реконструкция метрологической, испытательной базы и производства оптических изделий на федеральном государственном унитарном предприятии "Нижегородский научно- исследовательский приборо- строительный институт "Кварц", г. Нижний Новгород 600 300* 200 100 160 80 120 60 120 60 2012- 2015 1665*** создание метрологической, испытательной базы для разработки и производства контрольно- измерительной аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн. Увеличение объема производства квантовых рубидиевых стандартов частоты в 3 раза** 235. Техническое перевооружение и реконструкция стендовой и испытательной базы сложных радио- электронных систем и комплексов в открытом акционерном обществе "Производственное объединение" Азимут", г. Махачкала, Республика Дагестан 190 95* 100 50 90 45 2012- 2013 633*** создание сверхширокополосных измерительных комплексов для измерения параметров одиночных антенн и линейных, плоских и объемных решеток систем навигации, посадки и радиолокации в ближней и дальней зонах (до 1000 м) и модернизация существующей в организации испытательной базы для проведения научно- исследовательских и опытно- конструкторских работ** 236. Техническое перевооружение производственно- технологической и лабораторно- испытательной базы в открытом акционерном обществе "Научно- исследовательский институт полупроводниковых приборов", г. Томск 570 285* 70 35 140 70 120 60 120 60 120 60 2011- 2015 2000 увеличение объема выпуска продукции до 3 - 3,5 млрд. рублей в год** 237. Техническое перевооружение и реконструкция производства сверхвысокочастотной техники на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно- производственное предприятие "Салют", г. Нижний Новгород 1160 580* 73,24 36,62 280 140 320 160 243,38 121,69 243,38 121,69 2011- 2015 1500 увеличение объема производства монолитно- интегральных и гибридно-монолитных приборов и электронных компонентов (в том числе импортозамещающих) до 250 тыс. шт. в год, электровакуумных и вакуумно- твердотельных модулей (в том числе на основе микроминиатюрных ламп бегущей волны) до 1 тыс. шт. в год, унифицированных приемо-передающих модулей (в диапазоне частот 20 - 150 ГГц) до 1,5 тыс. шт. в год** 238. Реконструкция и техническое перевооружение для выпуска теплоотводящих керамических подложек для твердотельных сверх- высокочастотных устройств и IGBT- модулей в открытом акционерном обществе "Холдинговая компания "Новосибирский электровакуумный завод - Союз", г. Новосибирск 224 112* 120 60 104 52 2012- 2013 4590*** увеличение объема выпуска продукции до 761,5 млн. рублей в год. Серийный выпуск электронных компонентов, керамических подложек, керамических корпусов, обеспечивающих увеличение объемов производства в различных отраслях промышленности, сверхвысокочастотной техники и силовой полупроводниковой электроники** 239. Техническое перевооружение и реконструкция опытного приборного производства в открытом акционерном обществе "Концерн "Океанприбор", г. Санкт- Петербург 640 320* 200 100 200 100 120 60 120 60 2012- 2015 1940*** реконструкция опытного производства с учетом реализации новых технологий по изготовлению интегральных сборок, датчиков на пьезопленках и других** 240. Реконструкция и техническое перевооружение организации для совершенствования судовой электротехнической продукции в Федеральном научно- производственном центре открытом акционерном обществе "Научно- производственное объединение "Марс", г. Ульяновск 832 416* 200 100 240 120 196 98 196 98 2012- 2015 2450*** комплексное дооснащение базовых технологий производства электронных средств вычислительной техники с целью импортозамещения и повышения конкурентоспособности; создание экспериментально- лабораторного комплекса для проведения контроля технологических параметров и испытаний** 241. Реконструкция и техническое перевооружение опытно- экспериментального производства модулей функциональной микроэлектроники в открытом акционерном обществе "Концерн "Гранит - Электрон", г. Санкт- Петербург 240 120* 80 40 60 30 50 25 50 25 2012- 2015 800*** техническое перевооружение обеспечит: внедрение современных технологий производства модулей функциональной микроэлектроники; рост объема производства функциональных модулей в 2 - 2,5 раза; расширение номенклатуры без существенных затрат на подготовку производства; промышленное освоение технологий влагозащиты и электроизоляции модулей** 242. Создание производственного комплекса для массового производства компонентов инерциальных микромеханических датчиков двойного назначения на федеральном государственном унитарном предприятии "Центральный научно- исследовательский институт "Электроприбор", г. Санкт- Петербург 1100 550* 280 140 270 135 275 137,5 275 137,5 2012- 2015 3250*** создание участков по производству кремниевых датчиков, многослойных плат, сборке и корпусированию инерциальных микромеханических изделий** 243. Реконструкция инженерно- испытательного корпуса в открытом акционерном обществе "Концерн "Гранит - Электрон", г. Санкт- Петербург 620 310* 160 80 260 130 100 50 100 50 2012- 2015 2065*** внедрение современных базовых технологий производства электронных модулей цифровой и цифроаналоговой вычислительной техники; обеспечение разработки и производства базовых унифицированных электронных модулей. Увеличение объема поставок до 10000 шт. в год** 244. Техническое перевооружение производственно- технологического комплекса по созданию оптико- электронной компонентной базы на открытом акционерном обществе "Научно- производственное объединение "Государственный институт прикладной оптики", г. Казань, Республика Татарстан 460 230* 80 40 70 35 155 77,5 155 77,5 2012- 2015 1705*** создание новой оптической элементной базы перспективных оптико-электронных систем, обеспечивающей предельно возможные технические параметры систем, в том числе комплексированных и многоспектральных оптических каналов** 245. Реконструкция производственно- испытательного комплекса федерального государственного унитарного предприятия "Научно- производственная корпорация "Государственный оптический институт имени С.И.Вавилова", г. Санкт- Петербург 640 320* 160 80 200 100 140 70 140 70 2012- 2015 2000*** разработка, испытания, опытные поставки и серийное производство новых видов оптико- электронных систем, обеспечивающих предельно возможные технические параметры изделий** 246. Реконструкция корпуса 2Ж для создания лабораторно- аналитического центра инфракрасной фото- и оптоэлектроники на федеральном государственном унитарном предприятии "НПО "Орион", г. Москва 700 350* 180 90 160 80 180 90 180 90 2012- 2015 2100*** создание единого аналитического центра по исследованиям и сертификации важнейших материалов и компонентов инфракрасной фотоэлектроники** 247. Техническое перевооружение производственно- технологического комплекса по созданию оптоэлектронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "НПО "Орион", г. Москва 3720 1860* 1000 500 300 150 1210 605 1210 605 2012- 2015 12400*** создание производственно- технологического комплекса, который обеспечит промышленный выпуск изделий компонентной базы 2-го и 3-го поколений и оптико- электронных систем на их основе с параметрами, превышающими современный и прогнозируемый мировой уровень** 248. Техническое перевооружение производственно- технологической базы в открытом акционерном обществе "Московский завод "Сапфир", г. Москва 600 300* 160 80 140 70 150 75 150 75 2012- 2015 2500*** создание инфракрасных матричных фотоприемных устройств нового поколения и организация на их основе производства тепловизионной аппаратуры широкого применения** 249. Техническое перевооружение стендово- экспериментальной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно- исследовательский институт авиационного оборудования", г. Жуковский, Московская область 420 210* 70 35 60 30 145 72,5 145 72,5 2012- 2015 1500*** обеспечение возможности проведения испытаний опытных образцов источников электроэнергии, статических преобразователей и аппаратуры защиты и коммутации для проекта "полностью электрический самолет"** 250.

Техническое перевооружение производственной базы, освоение инновационных технологий для изготовления радиоэлектронных изделий авиационной техники с использованием новых уровней технологий на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно- исследовательский институт авиационного оборудования", г. Жуковский, Московская область 520 260* 140 70 120 60 130 65 130 65 2012- 2015 1900*** изготовление конкурентоспособных изделий авиационной техники, соответствующих современным и перспективным международным стандартам** 251. Реконструкция и техническое перевооружение экспериментально- технологической базы для производства микроэлектронных изделий в открытом акционерном обществе "Казанское приборостроительное конструкторское бюро", г. Казань, Республика Татарстан 376 188* 70 35 60 30 123 61,5 123 61,5 2012- 2015 1175*** создание производственных мощностей по производству современной микроэлектронной аппаратуры** 252. Реконструкция и техническое перевооружение цеха по производству первичных преобразователей и вторичной аппаратуры в открытом акционерном обществе "Казанское приборостроительное конструкторское бюро", г. Казань, Республика Татарстан 230 115* 60 30 50 25 60 30 60 30 2012- 2015 695*** производство конкурентоспособной продукции, обладающей современными показателями по надежности, быстродействию и массогабаритным характеристикам** 253. Реконструкция и техническое перевооружение производства электронных систем самолетного энергоснабжения в открытом акционерном обществе "Агрегатное конструкторское бюро "Якорь", г. Москва 458 229* 80 40 70 35 154 77 154 77 2012- 2015 1350*** серийное производство широкой номенклатуры статических преобразователей напряжения авиационных перспективных объектов (проект "полностью электрический самолет", истребитель 5-го поколения, программа развития гражданской авиационной техники)** 254. Создание электронного полигона по исследованиям, отработке и сертификации бортового авиационного радиоэлектронного оборудования на федеральном государственном унитарном предприятии "Летно- исследовательский институт имени М.М.Громова", г. Жуковский, Московская область 1070 535* 280 140 260 130 265 132,5 265 132,5 2012- 2015 4460*** полигон позволит проводить работы с радиоэлектронной аппаратурой в условиях реального полета с учетом информационного взаимодействия с наземными и самолетными системами обеспечения воздушного движения в реальных условиях естественных и промышленных помех** 255. Создание центра сертификации аппаратных средств бортовой вычислительной техники на федеральном государственном унитарном предприятии "Государственный научно- исследовательский институт авиационных систем", г. Москва 400 200* 100 50 100 50 100 50 100 50 2012- 2015 1300*** создание новой позиции для проведения сертификации аппаратных модулей бортовой вычислительной техники, включающей: аппаратное и программное оснащение центра сертификации; создание и освоение базовых инженерных методик проведения сертификации; акты ввода в эксплуатацию центра сертификации** 256. Создание распределенной отраслевой стендово- имитационной среды исследований, отработки прикладного математического обеспечения, отладки и испытаний систем и комплексов авиационного бортового радиоэлектронного оборудования на федеральном государственном унитарном предприятии "Государственный научно- исследовательский институт авиационных систем", г. Москва 500 250* 120 60 150 75 115 57,5 115 57,5 2012- 2015 1785*** создание распределенной информационно- связанной сети стендов, на которой будут проводиться исследования архитектур и информационных потоков, соответствующих различным условиям полета, интерфейсов, отработка системного и функционального математического обеспечения, отладка прикладного математического обеспечения и радиоэлектронной бортовой аппаратуры, наземные сертификационные испытания радиоэлектронных систем и комплексов** 257. Техническое перевооружение производства в открытом акционерном обществе "Научно- производственный комплекс "Технокомплекс", г. Раменское, Московская область 1040 520* 260 130 240 120 270 135 270 135 2012- 2015 3850*** освоение: базовой конструкции фоточувствительных приборов с матричными приемниками высокого разрешения для видимого и ближнего инфракрасного диапазона на основе применения отечественной электронной компонентной базы; технологии создания фоточувствительных приборов с матричными приемниками высокого разрешения для видимого и ближнего инфракрасного диапазона на основе применения отечественной электронной компонентной базы** 258. Техническое перевооружение участков монтажа электронных систем и электронно- оптических модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Санкт- Петербургское опытно- конструкторское бюро "Электро- автоматика" имени П.А.Ефимова", г. Санкт- Петербург 296 148* 80 40 80 40 68 34 68 34 2012- 2015 1020*** ввод в эксплуатацию производственных линий с высокой степенью автоматизации производства современной авиационной радиоэлектронной и оптико-электронной аппаратуры для коммерческой и военной авиации** 2. Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования 259. Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно- производственное предприятие "Пульсар", г. Москва, для создания межотраслевого базового центра системного проектирования 100 50* 100 50 2011 135,1 создание межотраслевого базового центра системного проектирования** 260. Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Информационные телекоммуникационные технологии", г. Санкт- Петербург, для создания базового центра полного цикла проектирования и производства аппаратно- программных комплексов 119,873 60 119,873 60 2008 1911 создание базового центра системного проектирования производительностью 40 аппаратно- программных комплексов в год** 261. Техническое перевооружение для создания базового центра системного проектирования микроэлектронных модулей нового поколения на основе технологии "систем в модуле" двойного и специального применения на открытом акционерном обществе "Научно- исследовательский институт "Вектор", г. Санкт- Петербург 120 60* 120 60 2011 1324 обеспечение проектирования, производства, испытаний, контроля, тестирования и сертификации перспективных изделий, включая климатические, механические, надежностные и другие специализированные испытания, а также сертификации выпускаемых изделий по требованиям различных категорий заказчиков и производств** 262. Техническое перевооружение открытого акционерного общества "Всероссийский научно- исследовательский институт радиотехники", г. Москва, для создания базового центра проектирования 50 25* 50 25 2011 422,8 создание базового центра системного проектирования** 263. Техническое перевооружение открытого акционерного общества "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон", г. Москва, для создания базового центра проектирования 540 270* 80 40 460 230 2010- 2011 151,3 создание базового центра системного проектирования** 264. Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно- исследовательский институт автоматики", г. Москва, для создания базового центра проектирования 35,37 30* 35,37 30 2009 493 создание базового центра системного проектирования** 265. Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно- производственное предприятие "Восток", г. Новосибирск, для создания базового центра проектирования 140 70* 140 70 2011 599,85 создание базового центра системного проектирования** 266. Техническое перевооружение открытого акционерного общества "Концерн "Созвездие", г. Воронеж, для создания базового центра проектирования 182,3 100* 62,3 40 120 60 2010- 2011 700 создание базового центра системного проектирования** 267. Техническое перевооружение открытого акционерного общества "Концерн радиостроения "Вега", г. Москва, для создания базового центра проектирования 130 100* 130 100 2010 998 создание базового центра системного проектирования площадью 998 кв. м** 268. Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Ростовский- на-Дону научно- исследовательский институт радиосвязи", г. Ростов-на- Дону, для создания базового центра проектирования 120,6 60* 120,6 60 2010 500 создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. м** 269. Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Омский научно- исследовательский институт приборостроения", г. Омск (развитие базового центра системного проектирования СБИС) 17 17* 17 17 2008 500 создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. м** 270. Техническое перевооружение открытого акционерного общества "Российский институт радионавигации и времени", г. Санкт- Петербург, для создания базового центра проектирования 120 60* 120 60 2011 490 создание базового центра системного проектирования площадью 490 кв. м** 271. Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Светлана", г. Санкт- Петербург, для создания базового центра проектирования 232 116* 120 60 112 56 2012- 2013 800 создание базового центра системного проектирования площадью 800 кв. м** 272. Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Центральный научно- исследовательский институт "Циклон", г. Москва, для создания базового центра проектирования 80 80**** 80 80**** 2010 800 создание базового центра системного проектирования площадью 800 кв. м** 272.1. Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Государственный завод "Пульсар", г. Москва, для создания базового центра проектирования 200 100 200 100 2011 648 создание базового центра системного проектирования площадью 648 кв. м** мощностью 360 тыс. шт. 273. Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно- исследовательский институт "Аргон", г. Москва, для создания базового центра проектирования 68,9 60* 68,9 60 2008 532 создание базового центра системного проектирования** 274. Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "НПО "Орион", г. Москва, для создания базового центра проектирования 30 15* 15 7,5 15 7,5 2014- 2015 500 создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. м** 275. Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Новосибирский завод полу- проводниковых приборов с ОКБ", г. Новосибирск, для создания базового центра проектирования 83,62 60* 83,62 60 2009 500 создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. м** 276. Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно- исследовательский институт телевидения", г. Санкт- Петербург, для создания базового центра проектирования 101,54 80* 101,54 80 2008 600 создание базового центра системного проектирования площадью 600 кв. м** 277. Техническое перевооружение открытого акционерного общества "Концерн "Океанприбор", г. Санкт- Петербург, для создания базового центра проектирования 140 70* 140 70 2011 600 создание базового центра системного проектирования площадью 600 кв. м** 278. Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Нижегородский научно- исследовательский приборостроительный институт "Кварц", г. Нижний Новгород, для создания базового центра проектирования 75,4 72,7* 75,4 72,7 2008 1097,8 создание базового центра системного проектирования** 279. Техническое перевооружение и реконструкция открытого акционерного общества "Корпорация "Тактическое ракетное вооружение", г. Королев, Московская область, для создания базового центра системного проектирования 1 04 80* 104 80 2008 650 создание базового центра системного проектирования площадью 650 кв. м** 280. Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно- исследовательский институт "Экран", г. Самара, для создания базового центра проектирования 240 120* 240 120 2011 1134,5 создание базового центра системного проектирования площадью 1134,5 кв. м** мощностью 2000 шт. 281. Создание базового центра проектирования на базе федерального государственного унитарного предприятия "Научно- производственная корпорация "Государственный оптический институт имени С.И.Вавилова", г. Санкт- Петербург 500 250* 130 65 160 80 105 52,5 105 52,5 2012- 2015 2000*** создание базового центра по проектированию, моделированию, изготовлению, тестированию и сертификации перспективных оптических систем и оптико-электронного оборудования** 282. Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Концерн ПВО "Алмаз-Антей", г. Москва, для создания базового центра проектирования систем цифровой обработки, твердотельных передающих и приемных систем, приемо-передающих модулей 2200 1100* 590 295 520 260 545 272,5 545 272,5 2012- 2015 8800*** повышение качества и надежности систем цифровой обработки, систем твердотельных передающих и приемных систем, приемо- передающих модулей активных фазированных системных решеток С-диапазона для перспективных средств связи, управления воздушным движением и формирования сигналов на кристалле для радиолокационных станций различного применения** 283. Реконструкция и техническое перевооружение для создания базового центра проектирования в открытом акционерном обществе "Концерн "Созвездие", г. Воронеж 500 250* 192,38 96,19 120 60 93,81 46,905 93,81 46,905 2012- 2015 1925*** создание базового центра проектирования сложных функциональных блоков и сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" для нового поколения аппаратуры и мобильных телекоммуникационных систем; создание конкурентоспособных изделий для нового поколения мобильных телекоммуникационных систем гражданского и двойного назначения** 284. Техническое перевооружение для создания базового центра системного проектирования (дизайн-центра) радиоэлектронных модулей и узлов стационарных и мобильных средств автоматизации в открытом акционерном обществе "Научно- производственное предприятие "Рубин", г. Пенза 440 220* 440 220 2011 1852 обеспечение производства комплексных средств автоматизации для управления автомобильным и железнодорожным транспортом, объектами топливно-энергетического комплекса** 285. Создание базового центра системного проектирования унифицированных электронных модулей на основе современной электронной компонентной базы в открытом акционерном обществе "Челябинский радиозавод "Полет", г. Челябинск 200 100* 90 45 110 55 2010- 2011 790 обеспечение возможности изготовления разработанных электронных модулей по современным технологиям; повышение надежности и качества и ускорение разработки конкурентоспособных изделий мирового уровня; разработка технологий двойного назначения** 286. Создание базового центра системного проектирования унифицированных электронных модулей на основе современной электронной компонентной базы в открытом акционерном обществе "Рыбинский завод приборостроения", г. Рыбинск, Ярославская область 119,7 100* 119,7 100 2010 750 обеспечение возможности изготовления разработанных электронных модулей по современным технологиям; разработка технологий двойного назначения** мощностью 5 модулей в год 287. Техническое перевооружение для создания базового центра системного проектирования микроэлектронных модулей нового поколения на основе технологии "систем в модуле" двойного и специального применения на открытом акционерном обществе "Калужский научно- исследовательский институт телемеханических устройств", г. Калуга 180 90* 180 90 2011 640 обеспечение проектирования, производства, испытаний, контроля, тестирования и сертификации перспективных изделий, включая климатические, механические, надежностные и другие специализированные испытания, а также сертификации выпускаемых изделий по требованиям различных категорий заказчиков и производств** 288. Создание базового центра системного проектирования микроэлектронных модулей нового поколения на основе технологии "систем в модуле" двойного и специального применения в открытом акционерном обществе "Московский научно- исследовательский институт связи", г. Москва 30 30**** 30 30**** 2010 260 обеспечение проектирования, производства, испытаний, контроля, тестирования и сертификации перспективных изделий, включая климатические, механические, надежностные и другие специализированные испытания, а также сертификации выпускаемых изделий по требованиям различных категорий заказчиков и производств** 289. Расширение базового центра системного проектирования по проектированию радиоэлектронной аппаратуры на базе сверхбольших интегральных схем "система на кристалле" в открытом акционерном обществе "Концерн радиостроения "Вега", г. Москва 320 160* 141,4 70,7 100 50 39,3 19,65 39,3 19,65 2012- 2015 1330*** расширение возможностей и объемов базового центра системного проектирования, перевод ключевых проектов, выполняемых концерном, на использование технологии современного системного проектирования. Ускорение процесса получения готовых проектов не менее чем в 2 раза** 290. Техническое перевооружение для создания базового центра системного проектирования высокоплотных электронных узлов на основе технологии многокристальных модулей в открытом акционерном обществе "Научно- исследовательский институт "Кулон", г. Москва 210 105* 210 105 2011 773,5 обеспечение проектирования, производства высокоплотных электронных узлов на основе технологии многокристальных модулей как ключевой технологии достижения высоких технических характеристик разрабатываемых и производимых изделий. Планируемый объем выпуска многокристальных модулей до 3,5 тыс. шт. в год ** 291. Создание базового центра системного проектирования высокоплотных электронных узлов на основе технологии многокристальных модулей в открытом акционерном обществе "Конструкторское бюро "Луч", г. Рыбинск, Ярославская область 165,6 105* 45,6 45 120 60 2010- 2011 350 обеспечение проектирования, производства высокоплотных электронных узлов на основе технологии многокристальных модулей как ключевой технологии достижения высоких технических характеристик разрабатываемых и производимых изделий. Планируемый объем выпуска многокристальных модулей до 3,5 тыс. шт.** 292. Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Московский ордена Трудового Красного Знамени научно- исследовательский радиотехнический институт", г. Москва, для создания базового центра проектирования универсальных цифровых устройств, комплексов и систем на базе современных лицензионных систем автоматизированного проектирования и технических средств 500 250* 250 125 250 125 2014- 2015 1600*** создание базового центра проектирования и разработки высокопроизводительных сверхбольших интегральных схем и микропроцессорной техники, оснащенного современными средствами проектирования, разработки и отладки сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле", а также матричных корпусов для сверхбольших интегральных схем с большим количеством выводов, контроллеров перспективных периферийных интерфейсов для разработки на их базе перспективных сложнофункциональных блоков и радиоэлектронной аппаратуры для систем и средств связи двойного и гражданского применения** 293. Техническое перевооружение для создания базового центра проектирования универсальных микропроцессоров, систем на кристалле, цифровых приборов обработки сигналов и других цифровых устройств, комплексов и систем на базе современных лицензионных систем автоматизированного проектирования и технических средств открытого акционерного общества "Институт электронных управляющих машин им. И.С.Брука", г. Москва 170 125* 80 80**** 90 45 2010- 2011 1530 создание базового центра разработки высокопроизводительной микропроцессорной техники двойного назначения, оснащенного современной технологией разработки многоядерных систем на кристалле, матричных корпусов для сверхбольших интегральных схем с большим количеством выводов, контроллеров перспективных периферийных интерфейсов для разработки на их базе высокопроизводительных вычислительных систем широкого применения** 294. Техническое перевооружение и реконструкция базового регионального научно- технологического центра по микро- системотехнике федерального государственного унитарного предприятия "Омский научно- исследовательский институт приборостроения", г. Омск 840 420* 220 110 300 150 160 80 160 80 2012- 2015 2545*** ускорение проектирования и отработки технологии производства перспективных устройств микросистемотехники для комплектования аппаратуры управления, средств телекоммуникации и связи, высокоточного оружия, робототехнических комплексов, мониторинга окружающей среды, зданий и сооружений, систем трубопроводов, водо- и газоснабжения, цифровых и аналоговых устройств средств контроля, учета и дистанционного управления подачей энергоресурсов. Ожидаемый экономический эффект составит 1500 млн. рублей** 295. Реконструкция и техническое перевооружение центра системного проектирования и производства радиоэлектронных средств спутниковой связи федерального государственного унитарного предприятия "Научно- производственный центр "Вигстар", г. Москва 490 245* 120 60 160 80 105 52,5 105 52,5 2012- 2015 1635*** создание конкурентоспособных изделий мирового уровня двойного назначения для комплексов аппаратуры спутниковой связи** 296. Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно- производственное предприятие "Алмаз", г. Саратов, с целью создания дизайн-центра и производства сверхвысокочастотных и силовых устройств 1080 540* 280 140 260 130 270 135 270 135 2012- 2015 2000*** создание дизайн- центра площадью 2000 кв. м и увеличение выпуска продукции на 500 млн. рублей в год** 297. Техническое перевооружение для создания центра проектирования перспективной электронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно- исследовательский институт электронной техники", г. Воронеж 89,1 45* 89,1 45 2008 189 создание конкурентоспособной технологии автоматизированного проектирования кристаллов сверхбольших интегральных схем и систем на кристалле с проектными нормами 0,18 - 0,13 мкм и степенью интеграции до 100 млн. вентилей на кристалле, что позволит обеспечить ускоренную разработку сложнофункциональных блоков, сверхбольших интегральных схем и систем на кристалле, соответствующих по техническим характеристикам современным мировым образцам** 298. Создание отраслевого центра системного уровня проектирования интеллектуальных датчиков различного назначения на федеральном государственном унитарном предприятии "Центральный научно- исследовательский институт "Электроприбор", г. Санкт- Петербург 340 170* 90 45 174 87 38 19 38 19 2012- 2015 1360*** организация современного центра системного уровня проектирования на основе отечественной электронной компонентной базы: микромеханических датчиков; датчиков акустического давления; датчиков угловых перемещений и других** 299. Создание отраслевого центра проектирования сложных функциональных блоков и сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" в открытом акционерном обществе "Концерн "Моринформсистема-Агат", г. Москва 360 180* 90 45 135 67,5 135 67,5 2012- 2015 1385*** создание отраслевого центра проектирования (дизайн-центра) сложных функциональных блоков и сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" для обеспечения новейшей цифровой техникой приборостроительных организаций судостроительной отрасли** 3. Реконструкция и техническое перевооружение (включая приобретение программно-технических средств) для создания межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов 300. Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Российская электроника", г. Москва (включая приобретение программно- технических средств), с целью создания межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов 724,95 590,75* 156 78 404,55 352,75 164,4 160 2008- 2010 375,5 создание межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов с объемом производства не менее 1200 шт. в год** Итого по Минпромторгу России 70057,49 36710,41 1618,71 1267,7 1643,48 1412,71 2125,3 1695 5813,24 2906,62 18026,52 9013,26 15250 7625 12790,12 6395,06 12790,12 6395,06 ГОСУДАРСТВЕННАЯ КОРПОРАЦИЯ ПО АТОМНОЙ ЭНЕРГИИ "РОСАТОМ" (ГОСКОРПОРАЦИЯ "РОСАТОМ") 1. Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств 301. Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Федеральный научно- производственный центр Научно- исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород 196 98* 40 20 48 24 48 24 60 30 2010- 2013 267 создание технологического комплекса для производства сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на широкозонных полупроводниковых материалах** 302. Техническое перевооружение и реконструкция с целью производства структур "кремний на изоляторе" для субмикронных радиационно стойких сверхбольших интегральных схем на федеральном государственном унитарном предприятии "Федеральный научно- производственный центр Научно- исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород 440 220* 60 30 80 40 150 75 150 75 2012- 2015 1900*** создание производственно- технологического участка в межведомственном центре по разработке и производству радиационно стойкой электронной компонентной базы** 303. Техническое перевооружение и реконструкция с целью производства фотошаблонов субмикронных радиационно стойких сверхбольших интегральных схем на федеральном государственном унитарном предприятии "Федеральный научно- производственный центр Научно- исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород 420 210* 80 40 100 50 120 60 120 60 2012- 2015 1700*** создание производственно- технологического участка в межведомственном центре по разработке и производству радиационно стойкой электронной компонентной базы** 304. Техническое перевооружение и реконструкция с целью производства структур "кремний на сапфире" с ультратонким приборным слоем для субмикронных радиационно стойких сверхбольших интегральных схем на федеральном государственном унитарном предприятии "Федеральный научно- производственный центр Научно- исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород 380 190* 80 40 100 50 100 50 100 50 2012- 2015 1650*** создание производственно- технологического участка в межведомственном центре по разработке и производству радиационно стойкой электронной компонентной базы** 305. Техническое перевооружение и реконструкция с целью производства радиационно стойких изделий микроэлектроники с применением методов нанотехнологий на федеральном государственном унитарном предприятии "Всероссийский научно- исследовательский институт автоматики", г. Москва 400 200* 100 50 100 50 100 50 100 50 2012- 2015 1850*** создание производственно- технологического участка изготовления изделий микроэлектроники для систем автоматики специзделий** 306. Техническое перевооружение и реконструкция с целью производства быстродействующих радиационно стойких монолитных интегральных схем на федеральном государственном унитарном предприятии "Федеральный научно- производственный центр Научно- исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород 952 476* 200 100 160 80 266 133 326 163 2012- 2015 2500*** создание производственно- технологического участка в межведомственном центре по разработке и производству радиационно стойкой электронной компонентной базы** 307. Техническое перевооружение и реконструкция с целью производства радиационно стойких изделий оптоэлектроники на федеральном государственном унитарном предприятии "Федеральный научно- производственный центр Научно- исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород 500 250* 100 50 120 60 140 70 140 70 2012- 2015 500*** создание производственно- технологического участка в межведомственном центре по разработке и производству радиационно стойкой электронной компонентной базы** 308. Техническое перевооружение и реконструкция с целью производства радиационно стойких изделий микросистемотехники на федеральном государственном унитарном предприятии "Федеральный научно- производственный центр Научно- исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород 780 390* 200 100 180 90 200 100 200 100 2012- 2015 800*** создание производственно- технологического участка в межведомственном центре по разработке и производству радиационно стойкой электронной компонентной базы** 309. Техническое перевооружение и реконструкция с целью производства радиационно стойких изделий микроэлектроники на федеральном государственном унитарном предприятии "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно- исследовательский институт экспериментальной физики", г. Саров, Нижегородская область 820 410* 192 96 180 90 224 112 224 112 2012- 2015 2544*** реконструкция производственно- технологических участков по изготовлению радиационно стойких изделий микроэлектроники** 2. Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования 310. Реконструкция дизайн-центра радиационно стойкой электронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Федеральный научно- производственный центр Научно- исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород 200 100* 80 40 68 34 52 26 2008- 2011 2976 реконструкция дизайн- центра** мощностью 1 млн. транзисторов в год 311. Реконструкция дизайн-центра радиационно стойкой электронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Всероссийский научно- исследовательский институт автоматики", г. Москва 80 40* 20 10 40 20 20 10 2012- 2014 115,7*** реконструкция дизайн- центра** 312. Реконструкция дизайн-центра радиационно стойкой электронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно- исследовательский институт экспериментальной физики", г. Саров, Нижегородская область 80 40* 20 10 40 20 20 10 2012- 2014 330*** реконструкция дизайн- центра** 313. Реконструкция дизайн-центра радиационно стойкой электронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно- исследовательский институт технической физики имени академика Е.И.Забабахина", г. Снежинск, Челябинская область 100 50* 40 20 40 20 20 10 2012- 2014 300*** реконструкция дизайн- центра** Итого по Госкорпорации "Росатом": 5348 2674 80 40 68 34 40 20 100 50 1140 570 1200 600 1360 680 1360 680 ФЕДЕРАЛЬНОЕ КОСМИЧЕСКОЕ АГЕНТСТВО (РОСКОСМОС) 1. Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств 314. Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Российская корпорация ракетно- космического приборостроения и информационных систем", г. Москва, с целью создания производства многокристальных систем в корпусе, микро- и радиоэлектронных модулей, в том числе на основе устройств микросистемной техники 320 160* 110 55 105 52,5 105 52,5 2013- 2015 1230*** переоснащенное производство многокристальных систем в корпусе, микро- и радиоэлектронных модулей, в том числе на основе устройств микросистемной техники; оснащенное отраслевое автоматизированное хранилище производимых и приобретаемых электронных компонентов со встроенной системой мониторинга и прогнозирования состояния хранимой продукции** 315. Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Научно- исследовательский институт точных приборов", г. Москва, для создания производства модулей сверх- высокочастотных устройств для особо жестких условий эксплуатации 320 160* 200 100 60 30 60 30 2013- 2015 1120*** переоснащение производства по выпуску: параметрического ряда модулей сверхвысокочастотных устройств; узлов и крупноблочных радиоэлектронных функциональных модулей приемо- передающей аппаратуры. Реализация указанных мероприятий обеспечивает: сокращение сроков изготовления изделий радиолокационной техники и техники связи в 2-3 раза; расширение номенклатуры сверхвысокочастотных изделий в 1,5 раза** 316. Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф.Решетнёва", г. Железногорск, Красноярский край, с целью создания производственной линии для изготовления облегченных сверхвысокочастотных волноводов миллиметрового диапазона 160 80* 60 30 50 25 50 25 2013- 2015 590*** переоснащение производственной линии для выпуска облегченных сверхвысокочастотных волноводов; увеличение производства сверхвысокочастотных волноводов с низким уровнем потерь и улучшенными массовыми характеристиками; оснащение отраслевого автоматизированного хранилища для модулей радиоэлектронных и навигационных систем со встроенной системой мониторинга и прогнозирования состояния хранимой продукции** 317. Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно- производственное объединение автоматики имени академика Н.А.Семихатова", г. Екатеринбург, для создания производства электро- механических и радиоэлектронных компонентов микромодульных средств автономного управления и контроля 200 100* 80 40 60 30 60 30 2013- 2015 665*** дооснащение производства электромеханических и радиоэлектронных компонентов для микромодульных средств автономного управления и контроля; увеличение производства изделий бортовой и промышленной радиоэлектроники на 35 процентов и более; оснащение отраслевого автоматизированного хранилища для радиоэлектронных модулей со встроенной системой мониторинга и прогнозирования состояния хранимой продукции** 318. Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Научно- производственная корпорация "Системы прецизионного приборостроения", г. Москва, для создания производства лазерных средств высокоточных измерений 580 290* 500 250 80 40 2012- 2013 600 переоснащение производства модульных лазерных средств высокоточных измерений, дальнометрии и передачи информации в бортовых и промышленных системах различного назначения** 319. Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Российская корпорация ракетно- космического приборостроения и информационных систем", г. Москва, для создания отраслевой лаборатории контроля стойкости электронной компонентной базы радиоэлектронной аппаратуры к дестабилизирующим факторам космического пространства 200 100* 80 40 60 30 60 30 2013- 2015 690*** создание межотраслевой лаборатории контроля стойкости электронной компонентной базы для специальной радиоэлектронной аппаратуры в условиях космического пространства, что обеспечит: внедрение технологических процессов прямого (в том числе неразрушающего) контроля стойкости электронной компонентной базы и экспериментально- аналитического прогноза деградации характеристик электронной компонентной базы и радиоэлектронной аппаратуры; определение характеристик стойкости к условиям открытого космического пространства; увеличение сроков активного функционирования аппаратуры до 20 лет** 320. Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Научно- производственный центр "Полюс" г. Томск, для технического перевооружения действующего производства 200 100* 80 40 60 30 60 30 2013- 2015 800*** перевооружение производственных линий для изготовления встроенных модульных пассивных радиоэлементов для систем бортовой и промышленной радиоэлектроники и вторичных источников питания с совмещенными линиями передачи данных и электропитания; расширение номенклатуры и увеличение производства встроенных вторичных источников питания с совмещенными линиями передачи данных и электропитания для средств бортовой и промышленной электроники на 70 процентов и более** 321. Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно- исследовательский институт микроприборов - К", г. Москва, для создания матричных оптико- электронных модулей на основе кремниевых мембран и гетеропереходов на основе арсенида галлия и нитрида галлия 200 100* 80 40 60 30 60 30 2013- 2015 770*** переоснащение производства матричных оптико-электронных модулей для работы в составе оптико-электронных преобразователей высокого разрешения и матричных сверхвысокочастотных приборов для модулей фазированных антенных решеток, что позволит: расширить номенклатуру выпускаемой мелкосерийной продукции в 2 раза; увеличить объем выпускаемых дискретных и модульных элементов в 10 раз** 2. Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования 322. Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Российская корпорация ракетно- космического приборостроения и информационных систем", г. Москва, для создания базового центра проектирования 726 363* 486 243 240 120 2012- 2013 500 создание базового центра системного проектирования площадью 3 500 кв. м** 323. Реконструкция и техническое перевооружение для создания отраслевого центра автоматизированного проектирования на открытом акционерном обществе "Научно- исследовательский институт точных приборов", г. Москва 914 461* 120 60 120 60 28 18 160 80 486 243 2008- 2012 500 создание отраслевого центра автоматизированного проектирования и функциональной поддержки процессов изготовления и эксплуатации параметрических рядов сверхвысокочастотных модулей унифицированных сверхвысокочастотных трактов, базовых несущих конструкций активных фазированных антенных решеток, радиолокационных и связных модульных приборов площадью 500 кв. м** 324. Реконструкция и техническое перевооружение для создания центра проектирования унифицированных микроэлектронных датчиков для работы в особо жестких условиях эксплуатации на открытом акционерном обществе "Научно- исследовательский институт физических измерений", г. Пенза 280 140* 100 50 90 45 90 45 2013- 2015 380 создание центра проектирования унифицированных микроэлектронных датчиков площадью 380 кв. м для проектирования унифицированных полупроводниковых микродатчиков и преобразователей физических величин в системах управления, контроля и диагностики динамических объектов** 325. Реконструкция и техническое перевооружение для создания базового центра системного проектирования интегральных микроэлектронных датчиков и датчико- преобразующей аппаратуры на открытом акционерном обществе "Научно- производственное объединение измерительной техники", г. Королев, Московская область 200 100* 80 40 60 30 60 30 2013- 2015 350 создание базового центра площадью 350 кв. м для системного проектирования с полным циклом проектирования и производства параметрического ряда интегральных микроэлектронных датчиков и нанодатчиков для контрольной аппаратуры на основе специализированных электронных узлов по технологии "кремний на изоляторе" для особо жестких условий эксплуатации** 326. Реконструкция и техническое перевооружение для создания базового центра сквозного системного проектирования на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно- производственное предприятие Всероссийский научно- исследовательский институт электромеханики с заводом имени А.Г.Иосифьяна", г. Москва 160 80* 80 40 80 40 2014- 2015 450 создание базового центра сквозного системного проектирования и функциональной поддержки радиоэлектронных средств с улучшенной электромагнитной совместимостью площадью 450 кв. м (в том числе для создания встроенных бесконтактных систем управления электродвигателями и приводами, оптоэлектронных и радиотехнических приборов)** 327. Реконструкция и техническое перевооружение для создания центра проектирования на федеральном государственном унитарном предприятии "Центральный научно- исследовательский радиотехнический институт имени академика А.И.Берга", г. Москва 180 90* 100 50 40 20 40 20 2013- 2015 340 создание центра проектирования интегральных сверхвысокочастотных модулей специального и промышленного применения для унифицированных приемо-передающих радиоэлектронных трактов площадью 340 кв. м (в том числе для создания испытательного центра радиоэлектронной аппаратуры космического и промышленного назначения)** 328. Реконструкция и техническое перевооружение для создания центра проектирования матричных преобразователей и микроэлектронных сигнальных процессоров на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно- производственный центр автоматики и приборостроения имени академика Н.А.Пилюгина", г. Москва 80 40* 40 20 40 20 2014- 2015 220 создание центра площадью 220 кв. м для системного проектирования матричных преобразователей и микроэлектронных сигнальных процессоров высокоточных навигационных приборов бортового и промышленного назначения** 329. Реконструкция и техническое перевооружение для создания центра проектирования особо стойкого модульного ядра отказоустойчивой радиоэлектронной аппаратуры с особо жесткими условиями эксплуатации на федеральном государственном унитарном предприятии "Центральный научно- исследовательский институт "Комета", г. Москва 640 320* 140 70 500 250 2012- 2013 370 создание дизайн- центра площадью 370 кв. м для системного проектирования радиационно стойкой, помехоустойчивой электронной компонентной базы, в том числе изделий "система на кристалле" для построения особо стойкого модульного ядра радиоэлектронной аппаратуры с особо жесткими условиями эксплуатации, в том числе для космического, авиационного и промышленного применения** 330. Реконструкция и техническое перевооружение для создания базового центра системного проектирования и технического перевооружения действующего производства на открытом акционерном обществе "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф.Решетнёва", г. Железногорск, Красноярский край 148 74* 80 40 34 17 34 17 2013- 2015 300 создание базового центра сквозного системного проектирования и функциональной поддержки в процессе эксплуатации аппаратуры модульных средств связи и навигации для бортовых и промышленных систем площадью 300 кв. м** 331. Реконструкция и техническое перевооружение для создания базового центра сквозного системного проектирования на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно- производственное объединение имени С.А.Лавочкина", г. Химки, Московская обл. 200 100* 80 40 60 30 60 30 2013- 2015 350 создание базового центра сквозного системного проектирования и функциональной поддержки в процессе эксплуатации площадью 350 кв. м (в том числе для радиоэлектронных функциональных модулей роботизированных транспортных средств повышенной живучести)** Итого по Роскосмосу 5708 2858 120 60 120 60 28 18 160 80 1612 806 1950 975 859 429,5 859 429,5 МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ (МИНОБРНАУКИ РОССИИ) Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования 332. Техническое перевооружение государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Московский государственный институт электронной техники" (технический университет), г. Москва, для создания базового центра проектирования 78 54* 48 24 30 30 2009- 2010 515,1 создание базового центра системного проектирования площадью 515,1 кв. м** 333. Реконструкция и техническое перевооружение государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики" (технический университет), г. Москва, для создания базового центра проектирования 50 25 50 25 2008 500 создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. м** 334. Реконструкция и техническое перевооружение государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Томский государственный университет", г. Томск, для создания базового центра проектирования 200 100* 200 100 2012 400 создание базового центра системного проектирования площадью 400 кв. м** 335. Реконструкция и техническое перевооружение государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э.Баумана", г. Москва, для создания базового центра проектирования 200 100* 200 100 2013 400 создание базового центра системного проектирования площадью 400 кв. м** 336. Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Южный федеральный университет", г. Ростов- на-Дону, для создания базового центра проектирования 200 100* 200 100 2013 400 создание базового центра системного проектирования площадью 400 кв. м** 337. Реконструкция и техническое перевооружение государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Новосибирский государственный университет", г. Новосибирск, для создания базового центра проектирования 200 100* 100 50 100 50 2014- 2015 400 создание базового центра системного проектирования площадью 400 кв. м** 338. Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Санкт- Петербургский государственный университет", г. Санкт- Петербург, для создания базового центра проектирования 230 115* 115 57,5 115 57,5 2014- 2015 600 создание базового центра системного проектирования площадью 600 кв. м** Итого по Минобрнауки России 1158 594 50 25 48 24 30 30 200 100 400 200 215 107,5 215 107,5 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ И ЭКСПОРТНОМУ КОНТРОЛЮ (ФСТЭК РОССИИ) Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств 339. Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Производственное объединение "Октябрь", г. Каменск- Уральский, Свердловская область 200 100 66,76 33,38 133,24 66,62 2011- 2012 2000 создание новых производственных мощностей по выпуску оптоволоконных соединителей изделий микромеханики** Итого по ФСТЭК России 200 100 66,76 33,38 133,24 66,62 Итого по разделу II 82471,49 42936,41 1868,71 1392,7 1879,4 1530,71 2223,3 1763 6140 3070 21111,76 10555,88 18800 9400 15224,12 7612,06 15224,12 7612,06 ____________ * Размеры финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации. ** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования. *** Мощность объекта может быть уточнена на стадии разработки проекта. **** Объемы скорректированы и полностью возвращены в бюджет. Примечание: 1. Срок получения предусмотренных настоящим перечнем результатов работ соответствует году окончания их финансирования. 2. В числителе указывается общая стоимость работ, в знаменателе - размер финансирования за счет средств федерального бюджета. _____________ ПРИЛОЖЕНИЕ № 3 к федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы (в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 8 сентября 2011 г. № 763) РАСПРЕДЕЛЕНИЕ объемов финансирования за счет средств федерального бюджета по государственным заказчикам федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы (млн. рублей, в ценах соответствующих лет) 2008 - 2015 годы В том числе 2008 год 2009 год 2010 год 2011 год 2012 год 2013 год 2014 год 2015 год Всего по Программе 106844,71 5372,7 5772,01 5400 13000 25580 19420 16537,94 15762,06 из них:

Министерство промышленности и торговли Российской Федерации 91812,53 4757,7 5157,21 4952,62 11976,62 21733,26 15955 14005,06 13275,06 Федеральное космическое агентство 7008 290 320 168 430 2096 1815 939,5 949,5 Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" 6395,88 240 246,5 179,38 400 1424,12 1300 1325,88 1280 Министерство образования и науки Российской Федерации 1528,3 85 48,3 100 160 260 350 267,5 257,5 Федеральная служба по техническому и экспортному контролю 100 - - - 33,38 66,62 - - - Капитальные вложения - всего 42936,41 1392,7 1530,71 1763 3070 10555,88 9400 7612,06 7612,06 из них: Министерство промышленности и торговли Российской Федерации 36710,41 1267,7 1412,71 1695 2906,62 9013,26 7625 6395,06 6395,06 Федеральное космическое агентство 2858 60 60 18 80 806 975 429,5 429,5 Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" 2674 40 34 20 50 570 600 680 680 Министерство образования и науки Российской Федерации 594 25 24 30 - 100 200 107,5 107,5 Федеральная служба по техническому и экспортному контролю 100 - - - 33,38 66,62 - - - Научно-исследовательские и опытно- конструкторские работы - всего 63908,3 3980 4241,3 3637 9930 15024,12 10020 8925,88 8150 из них: Министерство промышленности и торговли Российской Федерации 55102,12 3490 3744,5 3257,62 9070 12720 8330 7610 6880 Федеральное космическое агентство 4150 230 260 150 350 1290 840 510 520 Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" 3721,88 200 212,5 159,38 350 854,12 700 645,88 600 Министерство образования и науки Российской Федерации 934,3 60 24,3 70 160 160 150 160 150 ____________ ПРИЛОЖЕНИЕ № 4 к федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы (в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 8 сентября 2011 г. № 763) ОБЪЕМЫ ФИНАНСИРОВАНИЯ федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы за счет средств федерального бюджета и внебюджетных источников (млн. рублей, в ценах соответствующих лет) 2008 - 2015 годы В том числе 2008 год 2009 год 2010 год 2011 год 2012 год 2013 год 2014 год 2015 год Всего по Программе 179224,366 7903,837 8478,112 8267,417 21035 43629,41 33851,1 28632,37 27427,12 в том числе: федеральный бюджет 106844,71 5372,7 5772,01 5400 13000 25580 19420 16537,94 15762,06 внебюджетные средства 72379,656 2531,137 2706,102 2867,42 8035 18049,41 14431,1 12094,43 11665,06 Капитальные вложения - всего 82471,49 1868,71 1879,48 2223,3 6140 21111,76 18800 15224,12 15224,12 в том числе: федеральный бюджет 42936,41 1392,7 1530,71 1763 3070 10555,88 9400 7612,06 7612,06 внебюджетные средства 39535,08 476,01 348,77 460,3 3070 10555,88 9400 7612,06 7612,06 Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы - всего 96752,876 6035,127 6598,632 6044,117 14895 22517,65 15051,1 13408,25 12203 в том числе: федеральный бюджет 63908,3 3980 4241,3 3637 9930 15024,12 10020 8925,88 8150 внебюджетные средства 32844,576 2055,127 2357,332 2407,117 4965 7493,53 5031,1 4482,37 4053". 7. В приложении № 5 к указанной Программе: а) абзац одиннадцатый дополнить словами "и Федеральным законом "О страховых взносах в Пенсионный фонд Российской Федерации, Фонд социального страхования Российской Федерации, Федеральный фонд обязательного медицинского страхования и территориальные фонды обязательного медицинского страхования"; б) в абзаце пятнадцатом цифры "18700" заменить цифрами "179224,366", цифры "110000" заменить цифрами "106844,71", цифры "77000" заменить цифрами "72379,66", цифры "64374,4" заменить цифрами "64554,9", цифры "125045,9" заменить цифрами "131640"; в) в абзаце шестнадцатом цифры "198577,2" заменить цифрами "203443,4"; г) в абзаце семнадцатом цифры "8,1" заменить цифрами "7,9"; д) в абзаце восемнадцатом цифры "1,52" и "2,7" заменить соответственно цифрами "1,54" и "2,8"; е) таблицы 1 - 3 изложить в следующей редакции: "Таблица 1 Исходные данные, принятые для расчета коммерческой и бюджетной эффективности реализации федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы (в ценах соответствующих лет, млн. рублей) Показатели 2008 год 2009 год 2010 год 2011 год 2012 год 2013 год 2014 год 2015 год 2016 год 2017 год За расчетный период Условно-переменная часть текущих издержек производства (себестоимости), процентов 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 - Годовой объем реализуемой продукции отрасли (объем продаж) 58000 70000 90000 110000 170000 210000 240000 270000 340000 420000 - Инвестиции из всех источников финансирования по Программе 7903,837 8478,112 8267,417 21035 43629,41 33851,1 28632,37 27427,12 - - 179224,366 в том числе: средства федерального бюджета на научно- исследовательские и опытно-конструкторские работы, капитальные вложения и прочие нужды 5372,7 5772,01 5400 13000 25580 19420 16537,94 15762,06 - - 106844,71 из них: капитальные вложения 1392,7 1530,71 1763 3070 10555,88 9400 7612,06 7612,06 - - 42936,41 внебюджетные средства на научно- исследовательские и опытно-конструкторские работы и капитальные вложения (собственные, заемные и др.) 2531,137 2706,102 2867,42 8035 18049,41 14431,1 12094,43 11665,06 - - 72379,66 налогооблагаемая база налога на имущество (среднегодовая стоимость основных промышленно- производственных фондов отрасли по остаточной стоимости) 33000 34500 36000 38000 41000 46000 54000 60000 61000 62000 - Рентабельность реализованной продукции, процентов 10 10 12 14 16 18 20 20 20 20 - Амортизационные отчисления, процентов себестоимости 3,5 3,8 4 4,5 5 5,5 6 6,5 7 7,5 - Материалы, процентов себестоимости 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 - Фонд оплаты труда, процентов себестоимости 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 - Налог на имущество, процентов 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 - Налог на прибыль, процентов 24 20 20 20 20 20 20 20 20 20 - Подоходный налог, процентов 13 13 13 13 13 13 13 13 13 13 - Страховые взносы в Пенсионный фонд Российской Федерации, Фонд социального страхования Российской Федерации, Федеральный фонд обязательного медицинского страхования и территориальные фонды обязательного медицинского страхования, процентов 26 26 26 34 34 34 34 34 34 34 - Налог на добавленную стоимость, процентов 18 18 18 18 18 18 18 18 18 18 - Налог с продаж, процентов - - - - - - - - - - - Норма дисконта (средняя за расчетный период), процентов - - - - - - - - - - 0,1 Таблица 2 Расчет коммерческой и бюджетной эффективности реализации федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы (в ценах соответствующих лет, млн. рублей) Наименование показателей Расчетный период За расчетный период 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 номер шага (m) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 Операционная и инвестиционная деятельность (коммерческая эффективность) Годовой объем реализованной продукции отрасли без налога на добавленную стоимость 58000 70000 90000 110000 170000 210000 240000 270000 340000 420000 - Себестоимость годового объема реализованной продукции отрасли 52727 63636 80357 96491 146552 177966 200000 225000 283333 350000 - Прибыль от реализации продукции 5273 6364 9643 13509 23448 32034 40000 45000 56667 70000 - Налогооблагаемая база налога на имущество (среднегодовая стоимость основных промышленно- производственных фондов отрасли по остаточной стоимости) 33000 34500 36000 38000 41000 46000 54000 60000 61000 62000 - Налог на имущество 660 690 720 760 820 920 1080 1200 1220 1240 - Налогооблагаемая прибыль 4587,3 5727,3 8967,9 12833,3 22744,8 31072,9 38800 43650 54966,7 67900 - Налог на прибыль 1100,9 1145,5 1793,6 2566,7 4549 6214,6 7760 8730 10993,3 13580 - Чистая прибыль 3486,3 4581,8 7174,3 10266,7 18195,9 24858,3 31040 34920 43973,3 54320 - Амортизационные отчисления в структуре себестоимости 1845,5 2418,2 3214,3 4342,1 7327,6 9788,1 12000 14625 19833,3 26250 - Материальные затраты в структуре себестоимости 26363,6 31818,2 40178,6 48245,6 73275,9 88983,1 100000 112500 141666,7 175000 - Фонд оплаты труда в структуре себестоимости 13181,8 15909,1 20089,3 24122,8 36637,9 44491,5 50000 56250 70833,3 87500 - Налог на добавленную стоимость 4745,5 5727,3 7232,1 8684,2 13189,7 16016,9 18000 20250 25500 31500 - Налог с продаж - - - - - - - - - - - Подоходный налог 1713,6 2068,2 2611,6 3136 4762,9 5783,9 6500 7312,5 9208,3 11375 - Страховые взносы в ПФ, ФСС, ФФОМС и ТФОМС 3427,3 4136,4 5223,2 8201,8 12456,9 15127,1 170000 19125 24083,3 29750 - Налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды (приток в бюджет) 10546,4 12631,8 15787 20781,9 31229,5 37848 42580 47887,5 60011,7 73865 353158,7 Сальдо от операционной деятельности. Чистый доход организаций (чистая прибыль и амортизационные отчисления) 5331,8 7000 10388,6 14608,8 25523,4 34646,4 43040 49545 63806,7 80570 - Коэффициент дисконтирования (норма дисконта Е = 0,10) 1 0,909 0,826 0,751 0,683 0,621 0,564 0,513 0,467 0,424 - Сальдо от операционной деятельности с учетом дисконтирования. Чистый доход организаций с учетом дисконтирования 5331,8 6363,6 8585,6 10975,8 17432,9 21512,7 24295 25424,4 29766,3 34169,5 183857,6 Величина инвестиций из всех источников финансирования (оттоки) 7903,8 8478,1 8267,4 21035 43629,4 33851,1 28632,4 27427,1 - - 179224,366 Сальдо суммарного потока от инвестиционной и операционной деятельности без дисконтирования -2572,1 -1478,1 2121,2 -6426,2 -18106 795,3 14407,6 22117,9 63806,7 80570 - Величина инвестиций из всех источников финансирования (оттоки) с учетом дисконтирования 7903,8 7707,4 6832,6 15803,9 29799,5 21018,9 16162,2 14074,4 - - 119302,7 Сальдо суммарного потока от инвестиционной и операционной деятельности с учетом дисконтирования -2572,1 -1343,7 1753 -4828,1 -12366,6 493,8 8132,7 11350 29766,3 34169,5 64554,9 Сальдо накопленного суммарного потока от инвестиционной и операционной деятельности с учетом дисконтирования (нарастающим итогом) - - - - - - - - - - - Чистый дисконтированный доход -2572,1 -3915,8 -2162,8 -6990,9 -19357,5 -18863,7 -10730,9 619 30385,3 64554,9 - Срок окупаемости инвестиций (период возврата), лет - - - - - - - - - - 7,9 Индекс доходности (рентабельность инвестиций) - - - - - - - - - - 1,54 Финансовая и операционная деятельность (бюджетная эффективность) Средства федерального бюджета на научно- исследовательские и опытно-конструкторские работы, капитальные вложения и прочие нужды (отток из бюджета) 5372,7 5772,01 5400 13000 25580 19420 16537,94 15762,06 - - 106844,71 Налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды 10546,4 12621,8 15787 20781,9 31229,5 37848 42580 47887,5 60011,7 73865 353158,7 Налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды с учетом дисконтирования 10546,4 11474,4 13047,1 15613,8 21330,2 23500,6 24035,3 24573,9 27995,9 31326 203443,4 Отток бюджетных средств 5372,7 5772 5400 13000 25580 19420 16537,9 15762,1 - - - Отток бюджетных средств с учетом дисконтирования 5372,7 5247,3 4462,8 9767,1 17471,5 12058,3 9335,2 8088,4 - - 71803,33 Сальдо суммарного потока от финансирования и операционной деятельности с учетом дисконтирования 5173,7 6227,1 8584,3 5846,7 3858,7 11442,3 14700,1 16485,4 27995,9 31326 131640 Чистый дисконтированный доход государства или бюджетный эффект 5173,7 11400,8 19985 25831,7 29640,4 41132,7 55832,8 72318,2 100314,1 131640 - Индекс доходности бюджетных средств 2 2,2 2,9 1,6 1,2 1,9 2,6 3 - - 2,8 Налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды с учетом дисконтирования 10546,4 11474,4 13047,1 15613,8 21330,2 23500,6 24035,3 24573,9 27995,9 31226 203443,4 Удельный вес средств федерального бюджета в общем объеме финансирования (степень участия государства) 0,68 0,68 0,65 0,62 0,59 0,57 0,58 0,57 - - 0,6 Период возврата бюджетных средств, лет - - - - - - - - - - 1 год Уровень безубыточности 0,79 0,79 0,76 0,73 0,7 0,68 0,66 0,66 0,66 0,66 0,68 Таблица 3 Итоговые показатели эффективности реализации федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы (млн. рублей) Наименование показателей 2008 - 2017 годы Всего инвестиций (в ценах соответствующих лет) 179224,366 в том числе: средства федерального бюджета 106844,71 внебюджетные средства 72379,656 Показатели коммерческой эффективности Чистый дисконтированный доход в 2017 году 64554,9 Срок окупаемости инвестиций по чистой прибыли организации, лет 7,9 Индекс доходности (рентабельность) инвестиций по чистой прибыли 1,54 Уровень безубыточности 0,68 Показатели бюджетной эффективности Налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды с учетом дисконтирования 203443,4 Бюджетный эффект 131640 Индекс доходности (рентабельность) бюджетных ассигнований по налоговым поступлениям 2,8 Удельный вес средств федерального бюджета в общем объеме финансирования (степень участия государства) 0,6 Срок окупаемости бюджетных ассигнований по налоговым поступлениям, лет 1 год". 8. В приложении № 6 к указанной Программе: а) в разделе "Показатели коммерческой эффективности": в абзаце двадцать третьем слова "13 процентов" заменить словами "8 процентов" и слова "15 процентов" заменить словами "10 процентов"; абзац двадцать четвертый исключить; б) абзац четырнадцатый раздела "Показатели бюджетной эффективности" изложить в следующей редакции: "страховые взносы в Пенсионный фонд Российской Федерации, Фонд социального страхования Российской Федерации, Федеральный фонд обязательного медицинского страхования и территориальные фонды обязательного медицинского страхования в размере 34 процентов фонда оплаты труда.". ____________