Об одобрении и представлении на утверждение Президента Российской Федерации проекта Перечня отдельных видов сырья, материалов, оборудования, технологий и научно-технической информации, которые могут быть применены при создании вооружения и военной техники, экспорт которых контролируется и осуществляется по лицензиям

ПРАВИТЕЛЬСТВО РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ПОСТАНОВЛЕНИЕ от 4 февраля 1994 г. N 81 г. Москва Об одобрении и представлении на утверждение Президента Российской Федерации проекта Перечня отдельных видов сырья, материалов, оборудования, технологий и научно-технической информации, которые могут быть применены при создании вооружения и военной техники, экспорт которых контролируется и осуществляется по лицензиям В соответствии с Указом Президента Российской Федерации от 11 апреля 1992 г. N 388 "О мерах по созданию системы экспортного контроля в Российской Федерации" Правительство Российской Федерации постановляет: Одобрить и представить на утверждение Президента Российской Федерации проект Перечня отдельных видов сырья, материалов, оборудования, технологий и научно-технической информации, которые могут быть применены при создании вооружения и военной техники, экспорт которых контролируется и осуществляется по лицензиям (прилагается). Председатель Правительства Российской Федерации В.Черномырдин __________________________ ОДОБРЕН постановлением Правительства Российской Федерации от 4 февраля 1994 г. N 81 П Р О Е К Т П Е Р Е Ч Н Я отдельных видов сырья, материалов, оборудования, технологий и научно-технической информации, которые могут быть применены при создании вооружения и военной техники, экспорт которых контролируется и осуществляется по лицензиям Часть I. Сырье, материалы и оборудование ------------------------------------------------------------------------------- ¦ ¦ Код Номер ¦ ¦товарной номен- позиции ¦ Наименование ¦клатуры внешне- ¦ ¦ экономической ¦ ¦ деятельности ------------------------------------------------------------------------------- Раздел I.1. Металлические сплавы, порошки для металлических сплавов или сплавленных материалов Примечания: 1. К металлическим сплавам относятся те, которые содержат больший процент (по массе) указанного металла, чем других элементов, за исключением сплавов, содержащих 2 или более процентов дра- гоценных металлов 2. Металлические сплавы, порошки метал- лических сплавов или сплавленные ма- териалы, предназначенные для покры- тий, экспортному контролю не подлежат I.1.1. Алюминиды никеля или титана в виде сырья или полуфабрикатов: I.1.1.1. алюминиды никеля с содержанием алюминия 750220000 10 или более процентов (по массе); I.1.1.2. алюминиды титана, содержащие 12 или 810810100 более процентов алюминия (по массе) I.1.2. Металлические сплавы, изготовленные из порошкового металлического сплава или имеющие вкрапления материалов, указан- ных в пунктах I.1.8.-I.1.8.5.: I.1.2.1. никелевые сплавы: I.1.2.1.1. с пределом длительной прочности 550 750220000 МПа (55 кгс/кв.мм) при температуре о 923 К (650 С) за 10000 ч и более; I.1.2.1.2. с малоцикловой выносливостью при 750220000 максимальном напряжении 700 МПа (70 кгс/кв.мм) на базе 10000 циклов и более при температуре 823 К о (550 С) I.1.2.2. ниобиевые сплавы: I.1.2.2.1. с пределом длительной прочности 400 811291310; МПа (40 кгс/кв.мм) при температуре 811299300 о 1073 К (800 С) за 10000 ч и более; I.1.2.2.2. с малоцикловой выносливостью при 811291310; максимальном напряжении 700 МПа 811299300 (70 кгс/кв.мм) на базе 10000 циклов и более при температуре 973 К о (700 С) I.1.2.3. титановые сплавы: I.1.2.3.1. с пределом длительной прочности 200 810810100 МПа (20 кгс/кв.мм) при температуре о 723 К (450 С) за 10000 ч и более; I.1.2.3.2. с малоцикловой выносливостью при 810810100 максимальном напряжении 400 МПа (40 кгс/кв.мм) на базе 10000 циклов и более при температуре 723 К о (450 С) I.1.2.4. алюминиевые сплавы с пределом длитель- ной прочности: I.1.2.4.1. 240 МПа (24 кгс/кв.мм) и более при 760120 о температуре 473 К (200 С); I.1.2.4.2. 415 МПа (41,5 кгс/кв.мм) и более при 760120 о температуре 298 К (25 С); I.1.2.5. магниевые сплавы с пределом длительной 8104 прочности 240 МПа (24 кгс/кв.мм) и более и скоростью коррозии менее 1 мм в год в 3-процентном водном растворе хлорида натрия I.1.3. Титановые сплавы (в том числе вторич- 810810100 ные) с пределом длительной прочности свыше 1200 МПа (120 кгс/кв.мм) и пре- делом ползучести свыше 150 МПа (15 кгс/кв.мм) при температуре 873 К о (600 С) I.1.4. Алюминий-литиевые сплавы (в том числе содержащие скандий) с содержанием лития более 6 %, скандия более 3 %: I.1.4.1. системы алюминий-магний-литий (скан- 760120; дий), обладающие в совокупности сле- 760421000; дующими характеристиками: 760429; плотностью менее 2,47 г/куб.см; 760612; модулем упругости более 78000 МПа 760692000 (7800 кгс/кв.мм); удельной прочностью более 19 км; I.1.4.2. системы алюминий-медь-магний-литий 760120; (скандий), обладающие в совокупности 760421000; следующими характеристиками: 760429; плотностью менее 2,56 г/куб.см; 760612; модулем упругости более 80000 МПа 760692000 (8000 кгс/кв.мм); удельной прочностью более 19 км; I.1.4.3. системы алюминий-медь-литий (скандий), 760120; обладающие в совокупности следующими 760421000; характеристиками: 760429; плотностью менее 2,6 г/куб.см; 760612; модулем упругости более 80000 МПа 760692000 (8000 кгс/кв.мм); удельной прочностью более 22 км; I.1.4.4. системы алюминий-литий (скандий), 760120; обладающие в совокупности следующими 760421000; характеристиками: 760429; плотностью менее 2,4 г/куб.см; 760612; модулем упругости более 80000 МПа 760692000 (8000 кгс/кв.мм); удельной прочностью более 20 км I.1.5. Деформируемые магниевые сплавы (в том 8104 числе гранулированные) с пределом дли- тельной прочности более 350 МПа (35 кгс/кв.мм) I.1.6. Литейные магниевые сплавы с пределом 8104 длительной прочности более 280 МПа (28 кгс/кв.мм) при температуре более о 523 К (250 С ) I.1.7. Урано-титановые сплавы или вольфрамовые 284410000; сплавы с матрицей на основе железа, ни- 810810100; келя или меди с: 810199000 плотностью свыше 17,5 г/куб.см; пределом упругости свыше 1250 МПа (125 кгс/кв.мм); пределом прочности на разрыв более 1270 МПа (127 кгс/кв.мм); с относительным удлинением свыше 8 % Примечание Урано-титановые сплавы, содержащие бо- лее 0,7 весовых процентов изотопа ура- на-235, могут рассматриваться к экспор- ту при наличии разрешения на деятельность по обращению с ядерными материалами и радиоактивными источниками ионизирующе- го излучения I.1.8. Порошки металлических сплавов или вводи- мые гранулы для материалов, указанных в пунктах I.1.1.-I.1.2.5., полученные в контролируемой среде при помощи одного из нижеследующих процессов: распыление в вакууме; газоструйное распыление; центробежное распыление; спиннингование; расплавление с вращением и кристал- лизация; экстракция расплава; механическое легирование и изготовленные из любой следующей композиции: I.1.8.1. никелевые сплавы (Ни-Ал-Ь, Ни-Ь-Ал), 750400000 предназначенные для использования в сос- таве частей или компонентов турбин дви- гателей, т.е. с менее чем тремя неметал- лическими частицами (введенными в про- цессе производства) крупнее 100 мкм в 10 частицах сплава; I.1.8.2. ниобиевые сплавы(Нб-Ал-Ь или Нб-Ь-Ал, 811291310; Нб-Си-Ь или Нб-Ь-Си, Нб-Ти-Ь или 811299300 Нб-Ь-Ти); I.1.8.3. титановые сплавы(Ти-Ал-Ь или Ти-Ь-Ал); 810810100 I.1.8.4. алюминиевые сплавы(Ал-Мг-Ь или Ал-Ь-Мг, 7603 Ал-Зн-Ь или Ал-Ь-Зн, Ал-Фе-Ь или Ал-Ь-Фе); I.1.8.5. магниевые сплавы (Мг-Ал-Ь или Мг-Ь-Ал) 810430000 Примечание Х в дальнейшем служит показателем равен- ства содержания в сплаве одного или бо- лее составляющих элементов (примесей) I.1.9. Сплавленные материалы в виде неизмель- 750300900; ченных гранул, стружки или тонких стер- 750400000; жней, изготовляемых в контролируемой 750512000; среде методом спиннингования, расплав- 760200100; ления с вращением или экстракции расп- 760320000; лава, используемых при производстве по- 760429100; рошка для металлических сплавов или вво- 810430000; димых гранул, на которые наложены огра- 810490100; ничения пунктами I.1.8.-I.1.8.5. 810810100; 810810900; 810890300; 811291310; 811291390; 811299300 I.1.10. Магнитные материалы всех типов и любой формы: I.1.10.1. материалы с начальной относительной маг- 850511000; нитной проницаемостью 120000 или более 850519; и толщиной 0,05 мм или менее 850519100; 850519900 Примечание Замер начальной относительной проницае- мости должен осуществляться на полностью отожженных материалах I.1.10.2. магнитострикционные сплавы: I.1.10.2.1. с магнитострикционным насыщением более 720690000 5*10-4; I.1.10.2.2. коэффициентом магнитомеханического сцеп- 720690000 ления более 0,8 I.1.10.3. аморфная стружка сплава с составом ми- 7206; нимум 75 % (по массе) железа, кобальта 750400000; или никеля, магнитной индукцией насы- 8105 щения не менее 1,6 Т, толщиной стружки не более 0,02 мм и удельным электричес- ким сопротивлением не менее 2*10-4 Ом/см Раздел I.2. Полимеры, пластические массы, химические волокна и нити, каучуки и изделия из них I.2.1. Полимерные вещества I.2.1.1. Бисмалеимид 292519900 I.2.1.2. Соль СГ (гексаметилендиаминсебацинат) 292122000 I.2.1.3. Полиамид-12 390810000 I.2.1.4. Диангидрид дифенилоксидтетракарбоновой 291739900 кислоты I.2.1.5. Арилоксы с термостойкостью выше 573 К 390720900 о (300 С) I.2.1.6. Полипараксилилен 391190900 I.2.1.7. Полиимиды, кроме: 390930000 смол марок - ПАИС, БФДИ, БПИ; лаков марок - АД-9103, АД-9103ПС, АД-9103ИС; связующего марки СП-97 I.2.1.8. Ароматические полиамид-имиды 390890000 I.2.1.9. Полибензимидазолы и материалы на их ос- 391190900 нове I.2.1.10. Ароматические полибензотиазолы и матери- 391190900 алы на их основе I.2.1.11. Ароматические полиоксадиазолы и материа- 391190900 лы на их основе с термостойкостью выше о 573 К (300 С) I.2.1.12. Ароматические полихиноксалины и материа- 391190900 лы на их основе I.2.1.13. Ароматические полиэфиримиды, имеющие 390720900; температуру стеклования более 503 К 390791900 о (230 С) Примечание Неплавкие порошки для формообразования под давлением или подготовки форм, из- готовленные из материалов, указанных в пунктах I.2.1.1., I 2.1.3., I.2.1.7., I.2.1.8., I.2.1.13., экспортному конт- ролю не подлежат I.2.1.14. Изделия из нефторированных полимерных ве- ществ, указанных в пунктах I.2.1.5.- I.2.1.10., I.2.1.13., в виде пленки, лис- та, ленты или полосы: I.2.1.14.1. при толщине свыше 0,254 мм; 391990900 I.2.1.14.2. покрытые углеродом, графитом, металлами 392099900 или магнитными веществами I.2.1.15. Термопластические жидкокристаллические 390791900 сополимеры, имеющие температуру тепловой о деформации более 523 К (250 С), измерен- ную при нагрузке 1,82 Н/кв.мм, и образо- ванные сочетанием: пара-фенилена, пара-пара'-бифенилена или 2,6 нафталина; метила, третичного бутила или фенил-за- мещенного фенилена, бифенилена или наф- талина с любой из следующих кислот: терефталевой кислотой; 6-гидрокси-2 нафтойной кислотой; 4-гидроксибензойной кислотой I.2.1.16. Полиариленовые эфирные кетоны: I.2.1.16.1. полиэфироэфирокетон (ПЭЭК); 390791900 I.2.1.16.2. полиэфирокетон-кетон (ПЭКК); 390791900 I.2.1.16.3. полиэфирокетон (ПЭК); 390791900 I.2.1.16.4. полиэфирокетон эфирокетон-кетон (ПЭКЭКК) 380791900 I.2.1.17. Полиариленовые кетоны 390799000 I.2.1.18. Полиариленовые сульфиды, где ариленовая 391190900 группа представляет собой бифенилен, трифенилен или их комбинации I.2.1.19. Полибифениленэфирсульфон 391190900 I.2.1.20. Материалы-полуфабрикаты (т.е. полимерные или металлоорганические материалы специ- ализированного назначения): I.2.1.20.1. полидиорганосиланы (для производства кар- 391000000 бида кремния); I.2.1.20.2. полисилазаны (для производства нитрида 391000000 кремния); I.2.1.20.3. поликарбосилазаны (для производства ке- 391000000 рамики с кремниевыми, углеродными или азотными компонентами) I.2.2. Фторсодержащие вещества I.2.2.1. Необработанные соединения фтора: I.2.2.1.1. сополимеры винилиденфторида, содержащие 390469000 75 % или более бета-кристаллической структуры, полученной без вытягивания; I.2.2.1.2. фтористые полиимиды, содержащие 30 % или 390469000 более связанного фтора; I.2.2.1.3. фтористые фосфазеновые эластомеры, со- 390469000 держащие 30 % или более связанного фто- ра I.2.2.2. Уплотнения, прокладки, уплотнительные ма- 391990900 териалы или трубчатые (пустотелые) уплот- нения, предназначенные для применения в авиационной промышленности или аэрокосми- ческой технике, и изготовленные более чем на 50 % из любого материала, указанного в пунктах I.2.2.1.2. и I.2.2.1.3. I.2.2.3. Уплотнения, прокладки, седла клапанов, 391990900 трубчатые уплотнения или диафрагмы, изго- товленные из фторэластомеров, содержащих по крайней мере один виниловый мономер, специально предназначенные для авиацион- ной, аэрокосмической и ракетной техники; I.2.2.4. Пьезоэлектрические полимеры и сополиме- 390799000 ры, изготовленные из фтористого винили- дена в виде пленки или листа толщиной более 200 мкм I.2.3. Электропроводные полимерные материалы с удельной электрической проводимостью свыше 10 сименс/м или поверхностным сопротивле- нием менее 10 Ом/кв.м, выполненные на ос- нове следующих полимеров: I.2.3.1. полианилина; 390930000 I.2.3.2. полипиррола; 391190900 I.2.3.3. политиофена; 391190900 I.2.3.4. полифенилен-винилена; 391190900 I.2.3.5. политиофенилен-винилена 391190900 I.2.4. Материалы углеродные из полиакрилонитри- 550130000; ловых волокон с характеристиками по 551521900 совокупности: прочность при растяжении более 350 кгс/кв.мм, модуль упругости более 35000 кгс/кв.мм I.2.5. Волокно, нити, жгуты органические типа 540239900; СВМ, ткани из них 550190000; 550251110; 550310110; 550310900; 551512900 I.2.6. Волокно и нити комплексные "АРИМИД", 540239900; ткани из них 550310110; 551512900 I.2.7. Волокнистые или нитевидные материалы на основе: I.2.7.1. полиэфиримидов, указанных в пункте 540249990; I.2.1.13.; 550190000; 550390900 I.2.7.2. материалов, указанных в пунктах I.2.1. 540224990; -I.2.1.19. 550190900; 550390900 I.2.8. Каучуки фторсилоксановые, работоспособ- 400299900 о ные при температурах ниже 213 К (-60 С) о и выше 473 К (200 С) I.2.9. Герметики на основе жидкого тиокола, 400299900; работоспособные при температурах ниже 400599000 о о 213 К (-60 С) и выше 423 К (150 С) I.2.10. Герметики кремнийорганические, работо- 400299900; способные при температурах ниже 213 К 400599000 о о (-60 С) и выше 523 К (250 С) Раздел I.3. Композиционные и керамические материалы I.3.1. Нитевидные кристаллы и непрерывные во- 284920000 локна карбида кремния I.3.2. Нитевидные кристаллы и непрерывные во- 281820000 локна оксида алюминия I.3.3. Материалы на керамической основе, неком- позиционные керамические материалы, ма- териалы типа композит с керамической мат- рицей, а также их полуфабрикаты I.3.3.1. Основные материалы из простых или сложных 285000900 боридов титана, имеющие металлические примеси (кроме специальных добавок), на уровне менее 5000 частиц на миллион, при среднем размере частицы, равном или мень- шем 5 мкм (при этом не более 10 % частиц с размером более 10 мкм) I.3.3.2. Некомпозиционные керамические материалы 285000900 в виде сырых полуфабрикатов (кроме абра- зивов) на основе боридов титана с плот- ностью 98 % или более от теоретического значения I.3.4. Трехмерно-армированные углерод-углерод- 380190000 ные материалы типа КИМФ с повышенной эро- зионной стойкостью, характеризующейся скоростью уноса массы менее 3 мм/с при о температуре 3773 К (3500 С) и выше и давлении 150 атм и выше I.3.5. Объемно-армированные углерод-углеродные 380190000 материалы типа "ЗАРЯ" с повышенной эрози- онной стойкостью, характеризующейся ско- ростью уноса массы менее 0,05 мм/с при о температуре 3773 К (3500 С) и выше и давлении 150 атм и выше I.3.6. Пенопласт с микросферами для применения 392190900 под водой на морских глубинах более 1000 м и плотностью менее 561 кг/куб.м Примечание Пенопласт с микросферами включает полые сферы из пластика или стекла, залитые резиновой матрицей I.3.7. Бор кристаллический и аморфный с содер- 280450100 жанием основного вещества не менее 99,5 % Раздел I.4. Жидкости и смазочные материалы I.4.1. Гидравлические жидкости, содержащие в ка- честве основных составляющих любые из сле- дующих веществ или материалов: I.4.1.1. синтетические углеводородные масла или 381900000; кремний-углеводородные масла: 290919000; С точкой возгорания свыше 477 К 391000000 о (204 С); о с точкой застывания 239 К (-34 С) или ниже; с коэффициентом вязкости 75 или более; о с термостабильностью при 616 К (343 С); Примечание Указанные в пункте I.4.1.1., кремний- углеводородные масла содержат исключи- тельно кремний, водород и углерод I.4.1.2. хлоро-фторуглероды: 381900000; с температурой самовоспламенения свыше 382390960; о 977 К (704 С); о с точкой застывания 219 К (-54 С); с коэффициентом вязкости 80 или более; о с точкой кипения 473 К (200 С) или бо- лее Примечание Указанные в пункте I.4.1.2., хлоро-фтор- углероды содержат исключительно хлор, фтор и углерод I.4.2. Смазочные материалы, содержащие в качест- ве основных составляющих следующие веще- ства и материалы: I.4.2.1. фениленовые или алкилфениленовые эфиры 290930900; или тиоэфиры или их смеси, содержащие 293090800 более двух эфирных или тиоэфирных функ- ций или смесей; I.4.2.2. фторированные кремнийсодержащие жидкос- 391000000 ти, характеризуемые кинематической вяз- костью менее 5000 кв.мм/с (5000 санти- о стоксов) при температуре 298 К (25 С) I.4.3. Увлажняющие или флотирующие жидкости с по- казателем чистоты более 99,8 %, содержащие менее 25 частиц размером 200 мкм или более на 100 мл и изготовленные по меньшей мере на 85 % из следующих веществ и материалов: I.4.3.1. дибромтетрафторэтана; 290340800 I.4.3.2. полихлортрифторэтилена (только масля- 390469000 нистых и воскообразных модификаций); I.4.3.3. полибромтрифторэтилена 390469000 Раздел I.5. Фармацевтические препараты I.5.1. Препараты группы холинэстераз для опре- 382200000 деления фосфорорганических ОВ Раздел I.6. Сырье, материалы, полуфабрикаты для производства изделий электронной техники и оптики I.6.1. Эпитаксиальные структуры кремния 38100100 на сапфире (КНС) для КМОП интегральных схем I.6.2. Арсенид галлия монокристаллический неле- 284290900; гированный в слитках и пластинах диамет- 381800900 ром 100 мм и более с удельным сопротивле- нием более 108 Ом*см и плотностью дисло- каций менее 102-103 1/кв.см для производ- ства сверхскоростных интегральных схем (ССИС) I.6.3. Эпитаксиальные структуры германия на 381800900 подложке I.6.4. Эпитаксиальные структуры соединений 381800900 А3В5 I.6.5. Монокристаллы тройных соединений кадмий- 381800900; ртуть-теллур (КРТ) любой чистоты, вклю- 284290100; чая эпитаксиальные пластины 284290900 I.6.6. Порошки ферритовые марганец-цинковые 720529000; 811100110 I.6.7. Горный хрусталь первого сорта 710310000 I.6.8. Материалы для оптических датчиков I.6.8.1. Элементарный теллур (Те) чистотой, рав- 280450900 ной или более 99,9995 % I.6.8.2. Монокристаллы теллурида кадмия (ЦдТе) 381800900 любой чистоты, включая эпитаксиальные пластины I.6.8.3. Заготовки оптических волокон, специально 701990990 предназначенные для производства волокон с высоким двулучепреломлением, использу- ющихся в оптоволоконных датчиках, указан- ных в пункте I.12.2.5.2. I.6.9. Оптические материалы I.6.9.1. Селенид цинка (ЗнСе) и сульфид цинка 284290100; (ЗнС) в виде пластин-подложек, изготов- 283020000 ляемых химическим осаждением паров, объ- емом более 100 куб.см или диаметром бо- лее 80 мм при толщине, равной или более 20 мм I.6.9.2. Слитки следующих электрооптических мате- риалов: I.6.9.2.1. арсенид титаната калия (КТА); 284290900 I.6.9.2.2. смешанный селенид серебра и галлия 284290100 (Аг аСе2); I.6.9.2.3. смешанный селенид таллия и мышьяка 284290100 (Тл3АсСл3), также известный как ТАС I.6.9.3. Нелинейные оптические материалы, имею- 702000900 щие восприимчивость третьего порядка (3), равную или меньшую 1 Вт/кв.м, время от- клика менее 1 мс I.6.9.4. Пластинчатые подложки карбида кремния 284920000; или осажденных материалов бериллия/бе- 811219000 риллия (Бе/Бе) свыше 300 мм в диаметре или длины наибольшей оси I.6.9.5. Материалы с малым оптическим поглощением I.6.9.5.1. сложные соединения фтора, содержащие ин- 282690900; гредиенты с чистотой 99,999 % или более 702000900 Примечание По пункту I.6.9.5.1. подлежат экспорт- ному контролю только фториды циркония или алюминия и подобные соединения I.6.9.5.2. объемные фторсодержащие стекла из сое- 700100910; динений, указанных в пункте I.6.9.5.1. 700100990; 702000900 I.6.9.6. Стекло, содержащее расплавы кремния, 700100900; стекло из фосфатов, фторфосфатов, фто- 702000900 рида циркония (Зр 4) и фторида гафния (Хф 4) с концентрацией гидроксильных ио- нов (ОХ-) менее 5 промилле, интегральными уровнями чистоты металлов менее 1 промил- ле, высокой однородностью (вариацией по- казателя преломления менее 5*10-6) I.6.9.7. Синтетический алмазный материал с погло- 710490000; щением менее 10-5 см на длине волны 710510000 свыше 200 нм, но не более 14000 нм I.6.9.8. Оптоволоконные заготовки, изготовленные 701910590 из объемных соединений фторидов, содержа- щих ингредиенты с чистотой 99,999 % или более, специально разработанные для про- изводства фторидных волокон, указанных в пункте I.12.5.4. I.6.10. Кристаллические основы лазеров в необ- работанном виде: I.6.10.1. сапфир с имплантированным титаном; 710310000 I.6.10.2. александрит 710310000 I.6.11. Материалы резистов и подложки, покры- тые резистами I.6.11.1. Позитивные резисты со спектральной чув- 854140990 ствительностью, оптимизированной на излучение с длиной волны менее 370 нм I.6.11.2. Все резисты, используемые для экспониро- 854140990 вания электронными или ионными пучками, с чувствительностью не хуже 0,01 мкКл/кв.мм I.6.11.3. Все резисты, используемые для экспониро- 854140990 вания рентгеновскими лучами, с чувстви- тельностью не хуже 2,5 мДж/кв.мм I.6.11.4. Все резисты, оптимизированные под тех- 854140990 нологию формирования рисунка, включая силицированные резисты Примечание Методы силицирования - это процессы, вклю- чающие оксидирование поверхности резиста для повышения качества мокрого и сухого проявления I.6.12. Металлорганические соединения алюминия, 293100900 галлия или индия, имеющие чистоту метал- лической основы более 99,999 % I.6.13. Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, 285000100 имеющие чистоту более 99,999 %, даже после разбавления нейтральными газами Примечание Гидриды, содержащие 20 и более мольных процентов инертных газов или водорода, не подлежат экспортному контролю по пунк- ту I.6.13. I.6.14. Заготовки стекла или любых других мате- 702000900 риалов, оптимизированных для производст- ва оптических волокон, указанных в пунк- тах I.12.5.-I.12.5.4. Раздел I.7. Электротехнические материалы и изделия I.7.1. Сверхпроводящие композитные материалы длиной более 100 м или массой, превы- шающей 100 г I.7.1.1. Многожильные сверхпроводящие композит- ные материалы, содержащие одну ниобие- вую нить или более: I.7.1.1.1. уложенные в матрицу не из меди или не 811299300; на основе медь-содержащего материала; 854419900 I.7.1.1.2. с площадью поперечного сечения менее 811299300; 0,28 * 10-4 кв.мм (6 мкм в диаметре в 854419900 случае нитей круглого сечения) I.7.1.2. Сверхпроводящие композитные материалы не 811299300 из ниобий-титана, содержащие одну или 854419900 более сверхпроводящих нитей: с критической температурой при нулевой магнитной индукции, превышающей 9,85 К о (-263,31 С), но не ниже 24 К о (-249,16 С); с площадью поперечного сечения менее 0,28 * 10-4 кв.мм; которые остаются в состоянии сверхпрово- о димости при температуре 4,2 К (-268,96 С), находясь в магнитном поле с магнитной ин- дукцией 12 Т I.7.2. Батареи Примечание Батареи с объемом 26 куб.см и меньше (на- пример, стандартные угольные элементы) не подлежат экспортному контролю I.7.2.1. Первичные элементы и батареи с плотно- 850619900 стью энергии свыше 350 Вт*ч/кг, пригод- ные по техническим условиям для работы о в диапазоне температур от 243 К (-30 С) о и ниже, до 343 К (70 С) и выше I.7.2.2. Подзаряжаемые элементы и батареи с плот- 850619900 ностью энергии свыше 150 Вт*ч/кг после 75 циклов заряда-разряда при токе разря- да, равном С/5 ч (здесь С - это номиналь- ная емкость в А*ч), и при работе в диа- о пазоне температур от 253 К (-20 С) и о ниже до 333К (60 С) и выше Примечание Плотность энергии рассчитывается умноже- нием средней мощности в ваттах (произве- дение среднего напряжения в вольтах на средний ток в амперах) на длительность цикла разряда в часах, при котором на- пряжение на разомкнутых клеммах пада- ет до 75 % от номинала, и делением это- го произведения на общую массу элемен- та (или батареи) в килограммах I.7.2.3. Радиационно-стойкие батареи на фотоэлек- 850619900 трических элементах с удельной мощностью свыше 160 Вт/кв.м при рабочей температу- о ре 301 К (28 С) и вольфрамовом источнике, о нагретом до 2800 К (2527 С) и создающем энергетическую освещенность 1 кВт/кв.м, пригодные по техническим условиям для космического применения I.7.3. Накопители энергии I.7.3.1. Накопители энергии с частотой повторе- 850619900; ния менее 10 Гц (одноразовые накопите- 850780900 ли), имеющие номинальное напряжение не менее 5 кВ, плотность энергии не менее 250 Дж/кг и общую энергию не менее 25 кДж I.7.3.2. Накопители энергии с частотой повторе- 850619900; ния 10 Гц и больше (многоразовые нако- 850780900 пители), имеющие номинальное напряжение не менее 5 кВ, плотность энергии не ме- нее 50 Дж/кг, общую энергию не менее 100 Дж и количество циклов заряда-разряда не менее 10000 I.7.3.3. Схемы или системы для накопления элект- 850780900; ромагнитной энергии, содержащие компо- 854380900 ненты из сверхпроводящих материалов, специально спроектированных для работы при температурах ниже критической тем- пературы с хотя бы одной из сверхпрово- дящих составляющих, имеющие рабочие резонансные частоты свыше 1 МГц, плот- ность запасаемой энергии не менее 1 МДж/куб.м и время разряда менее 1 мс I.7.4. Сверхпроводящие электромагниты или 850519900 соленоиды, специально спроектирован- ные на полный заряд или разряд менее чем за минуту, имеющие максимальную энергию в разряде, деленную на дли- тельность разряда свыше 500 кДж/мин, внутренний диаметр токопроводящих об- моток свыше 250 мм и номинальную маг- нитную индукцию свыше 8 Т или суммар- ную плотность тока в обмотке больше 300 А/кв.мм Примечание Сверхпроводящие электромагниты или со- леноиды, специально спроектированные для медицинской аппаратуры магниторезонан- сной томографии, не подлежат экспортному контролю по пункту I.7.4. I.7.5. Рентгеновские системы с короткоимпульс- 902219000 ным разрядом, имеющие пиковую мощность, превышающую 500 МВт, выходное напряже- ние, превышающее 500 кВ, и ширину импуль- са менее 0,2 мкс Раздел I.8. Функциональное оборудование, узлы и детали I.8.1. Антифрикционные подшипники или системы подшипников и их компоненты Примечание Шарикоподшипники с допусками, устанавлива- емыми производителями в соответствии со стандартом ИСО 3290 класс 5 или хуже, экспортному контролю не подлежат I.8.1.1. Шариковые или твердороликовые подшипники (кроме конических роликовых подшипников), имеющие допуски, устанавливаемые произво- дителем в соответствии со стандартом ИСО класс 4 или лучше и любую из сле- дующих характеристик: I.8.1.1.1. кольца, шарики или ролики из медно-нике- 848210900; левого сплава или бериллия; 848250000 I.8.1.1.2. изготовленные для применения при рабочих 848210900; о температурах выше 573 К (300 С) 848250000 либо с применением специальных материалов или специальной тепловой обработки; I.8.1.1.3. с элементом смазки или компонентом, мо- 848210900; дифицирующим этот элемент, который в со- 848250000 ответствии со спецификацией изготовителя специально спроектирован для подшипников, работающих при скоростях, соответствующих значению КСВ более 2,3*106 Примечания: 1. КСВ - это произведение внутреннего диа- метра (калибра) подшипника, измеряемого в миллиметрах, на скорость его вращения, измеряемую в оборотах в минуту 2. Рабочие температуры соответствуют тем- пературам после остановки газотурбинного двигателя I.8.1.2. Другие шариковые или роликовые подшипни- 848280000 ки (кроме конических роликовых подшипни- ков), имеющие допуски, устанавливаемые производителем в соответствии со стандар- том ИСО класс 2 или лучше I.8.1.3. Конические роликовые подшипники, имеющие любую из следующих характеристик: I.8.1.3.1. с элементом смазки или компонентом, мо- 848220000 дифицирующим этот элемент, который в со- ответствии со спецификацией изготовителя специально спроектирован для подшипников, работающих при скоростях, соответствующих значению КСВ более 2,3*106; I.8.1.3.2. изготовленные для применения при рабочих 848220000 о температурах ниже 219 К (-54 С) или выше о 423 К (150 С) I.8.1.4. Тонкостенные подшипники с газовой смаз- 848330900 кой, изготовленные для применения при о рабочих температурах 561 К (288 С) или выше и со способностью выдерживать еди- ничную нагрузку, превышающую 1 МПа I.8.1.5. Активные магнитные подшипниковые системы 848330100 I.8.1.6. Серийно изготавливаемые самоцентрирующие- 848330900 ся или серийно изготавливаемые и устанав- ливаемые на шейку вала подшипники сколь- жения, изготовленные для использования при рабочих температурах ниже о о 219 К (-54 С) или выше 423 К (150 С) Раздел I.9. Производственное оборудование, оснастка и приспособления I.9.1. Инструмент, пресс-формы, матрицы или ар- матура для сверхпластического деформиро- вания (СД) или термодиффузионного сра- щивания (ДС) и совмещенного метода обра- ботки (СДДС) титана, алюминия или их спла- вов, специально предназначенных для про- изводства: I.9.1.1. корпусов самолетов или аэрокосмических 820730100 конструкций; I.9.1.2. двигателей для самолетов или аэрокосми- 820730100 ческих аппаратов; I.9.1.3. компонентов, специально предназначенных 820730100 для таких конструкций или двигателей I.9.2. Универсальные станки (без программного управления) для получения оптически ка- чественных поверхностей: I.9.2.1. токарные станки, использующие единствен- 845899900 ную точку фрезерования и обладающие все- ми нижеследующими характеристиками: точность положения суппорта меньше (лучше), чем 0,0005 мм на 300 мм пе- ремещения; повторяемость двунаправленного положе- ния суппорта меньше (лучше), чем 0,00025 мм на 300 мм перемещения; биение и эксцентриситет шпинделя мень- ше (лучше), чем 0,0004 мм по индикатору общего считывания; угловая девиация движения суппорта (рыс- кание, тангаж и вращение вокруг продоль- ной оси) меньше (лучше), чем 2 дуговые секунды по индикатору общего считывания на полном перемещении; перпендикулярность суппорта меньше (луч- ше), чем 0,001 мм на 300 мм перемещения; I.9.2.2. станки с летучей фрезой, имеющие биение 845969 и эксцентриситет меньше (лучше), чем 0,0004 мм по индикатору общего считыва- ния, угловую девиацию движения суппорта (рыскание, тангаж и вращение вокруг про- дольной оси) меньше (лучше), чем 2 дуго- вые секунды по индикатору общего считы- вания на полном перемещении I.9.3. Станки с ЧПУ или станки с ручным управле- нием, включая специально спроектированные компоненты, элементы управления и приспо- собления для них, специально спроектирован- ные для фрезерования, финишной обработки, полирования или хонингования закаленных (Рц = 40 или более) конических или цилин- дрических шестерен, а именно: I.9.3.1. закаленных конических шестерен с качест- 846140310; вом после финишной обработки , лучшим, 846140390 чем класс 4 по стандарту ИСО 1328; I.9.3.2. закаленных цилиндрических или одно-, или 846140710; двухзаходных червячных шестерен с модулем 846140790 более 1,250 мм и с лицевой шириной, рав- ной 15 % от модуля или более, с качеством после финишной обработки лучше, чем класс 3 по стандарту ИСО 1328 I.9.4. Оборудование, специально спроектированное для реализации процесса и управления про- цессом нанесения неорганических покрытий, защитных слоев и поверхностного модифици- рования, а также специально спроектирован- ные средства автоматизированного регулиро- вания, манипуляторы и компоненты управления I.9.4.1. Снабженные программно-управляемым запо- 845690000 минающим устройством производственные ус- тановки для нанесения твердого покрытия из парообразных химических соединений с двумя следующими характеристиками: процесс модифицирован для одного из сле- дующих методов: пульсирующего осаждения; управляемого термоядерного разложения; осаждения, усиленного плазмой или с помо- щью плазмы; используется какой-либо из следующих спо- собов: с внедрением высокого вакуума (равным или менее 0,01 Па) для уплотнения вра- щением; с внедрением средств контроля толщины слоя покрытия I.9.4.2. Снабженные программно-управляемым запоми- 845610000 нающим устройством производственные уста- новки для ионной имплантации, имеющие хо- тя бы одну из следующих характеристик: сила тока луча 5 мА и более; ускоряющее напряжение свыше 200 кэВ; специально спроектированные и оптимизи- рованные для работы с ускоряющими напря- жениями ниже 10 кэВ; обладающие способностью управляемой за- писи (имплантации в рамках заданной об- ласти); пригодные для имплантации высокоэнерге- тического кислорода в нагретый материал полупроводниковой подложки I.9.4.3. Снабженные программно-управляемым запо- 845610000 минающим устройством производственные электронно-лучевые установки для нане- сения покрытий методом физического осаждения паров, включающие: системы электропитания с расчетной мощ- ностью свыше 80 кВт; лазерную систему управления уровнем жидкости в ванне, которая точно регули- рует скорость подачи исходного вещества; управляемый компьютером указатель (мони- тор) скорости, работающий на принципе фо- толюминесценции ионизированных атомов в потоке пара, необходимый для нормирования скорости осаждения покрытия, содержащего два или более элементов I.9.4.4. Снабженные программно-управляемым запо- минающим устройством производственные установки для плазменного напыления, обладающие одной из следующих характерис- тик: I.9.4.4.1. работающие при уменьшающемся давлении 845690000 контролируемой атмосферы (равной или ме- нее 10 кПа, измеряемой выше и внутри 300 мм выходного сечения сопла плазмен- ной горелки) в вакуумной камере, способ- ной обеспечивать снижение давления до 0,01 Па, предшествующее началу процесса напыления; I.9.4.4.2. имеющие в своем составе средства контро- 845690000 ля толщины слоя покрытия I.9.4.5. Снабженные программно-управляемым запо- 845690000 минающим устройством производственные установки для металлизации напылением, способные обеспечить плотность тока 0,1 мА/кв.мм или более с производитель- ностью напыления 15 мкм/ч или более I.9.4.6. Снабженные программно-управляемым запо- 851580900 минающим устройством производственные установки для катодно-дугового напыле- ния, включающие систему электромагнитов для управления плотностью тока дуги на катоде I.9.4.7. Снабженные программно-управляемым запо- 845610000 минающим устройством производственные установки для ионной металлизации, поз- воляющие проводить измерения толщины под- слоя покрытия и управление производи- тельностью или оптических характеристик Примечание Пункт I.9.4.7. не распространяется на стандартные производственные установки для покрытий, наносимых ионной металли- зацией на режущий инструмент металло- обрабатывающих станков I.9.4.8. Снабженные программно-управляемыми запо- минающими устройствами производственные установки для сухого травления анизо- тропной плазмой: I.9.4.8.1. с покассетной обработкой пластин и заг- 845690000 рузкой через шлюзы, имеющие хотя бы один из следующих признаков: магнитную защиту; электронно-циклотронный резонанс (ЭЦР) I.9.4.8.2. специально спроектированные для обору- 845690000 дования, указанного в пункте I.16.3.3., и имеющие хотя бы один из следующих признаков: магнитную защиту; электронно-циклотронный резонанс (ЭЦР) I.9.4.9. Снабженные программно-управляемыми запо- минающими устройствами производственные установки для химического парофазового осаждения покрытий плазменной стимуляцией: I.9.4.9.1. с покассетной обработкой пластин и заг- 845690000 рузкой через загрузочные шлюзы, имеющие хотя бы один из следующих признаков: магнитную защиту; электронно-циклотронный резонанс (ЭЦР) I.9.4.9.2. специально спроектированные для обору- 845690000 дования, указанного в пункте I.16.3.3., и имеющие хотя бы один из следующих признаков: магнитную защиту; электронно-циклотронный резонанс (ЭЦР) I.9.5. Специально разработанное оборудование, инструменты или приспособления для про- изводства или измерения параметров лопаток газовых турбин, литых лопастей или краев кожухов I.9.5.1. Автоматическое измерительное оборудова- 903180100 ние, использующее немеханические методы измерения толщины стенок несущих профи- лей лопаток I.9.5.2. Инструменты, контрольное и измерительное оборудование для лазерного, водоструйного или электроэрозионного электротехническо- го сверления отверстий (полостей): I.9.5.2.1. глубиной более чем в 4 раза большей их 845610000; диаметра, диаметром меньше 0,76 мм и 845630000 углами наклона, равными или менее 25 о; I.9.5.2.2. глубиной более чем в 5 раз большей их 845610000; диаметра, диаметром меньше чем 0,4 мм и 845630000 углами наклона более чем 25 о Примечание Применительно к пункту I.9.5.2. угол наклона измеряется от поверхности, об- дуваемой потоком, тангенциально в точ- ке, где ось отверстия пересекается с этой поверхностью I.9.5.3. Керамические стержни (ядра, сердечники) 690390900 или патроны (вкладыши) I.9.5.4. Керамические стержни (ядра, сердечники) 690390900 производственного оборудования или инст- рументов I.9.5.5. Керамические сердечники для выщелачиваю- 690390900 щего оборудования I.9.5.6. Керамические патроны (оболочки) для обо- 690390900 рудования по изготовлению восковых моде- лей I.9.5.7. Керамические патроны (вкладыши, оболочки) 690390900 оборудования для обжигания или выжигания (вжигания) I.9.6. Системы для контроля в реальном масштабе 903180100 времени, приборы (включая датчики) или оборудование с ЧПУ, специально разрабо- танные для производства газотурбинных двигателей, технологически объединенных агрегатов или компонентов, указанных в пунктах I.11.8.-I.11.8.13. I.9.7. Оборудование, специально разработанное 845961; для производства и испытаний (провер- 845969; ки) креплений лопаток газовых турбин, 902410; разработанных для функционирования при скоростях на концах лопаток, превышающих 335 м/с , и специально разработанные приспособления или детали для них I.9.8. Инструменты, штампы и зажимные приспо- 851580100; собления для соединения в твердом сос- 851590000 тоянии (термодиффузионного сращивания) элементов газотурбинных двигателей из суперсплавов и титана I.9.9. Инструменты (оснастка) для производства 846299100 методом порошковой металлургии и гра- нульной технологии элементов роторов турбин двигателей, способных функцио- нировать на уровне 60 % или более пре- дельной прочности на растяжение и тем- о пературе металла 873 К (600 С) или более I.9.10. Оборудование для разработки и производ- ства накопителей на магнитных и оптичес- ких дисках I.9.10.1. Оборудование, специально спроектирован- 845610000; ное для нанесения магнитного покрытия на 845690000 жесткие (не гибкие) магнитные или магнито- оптические носители, указанные в пункте I.16.9.5.1. Примечание Пункт I.9.10.1. не распространяется на оборудование общего назначения для напы- ления I.9.10.2. Оборудование, снабженное программно-уп- 847199900 равляемым запоминающим устройством и спе- циально спроектированное для обеспечения качества, сортировки по качеству, прого- нов или тестирования жестких магнитных носителей, указанных в пункте I.16.9.5.2. I.9.10.3. Оборудование, специально спроектирован- 903140000 ное для производства или юстировки голо- вок или головок в сборке с диском, при- менительно к жестким магнитным и магнито- оптическим накопителям, указанным в пунк- тах I.16.9.5.-I.16.9.5.2., а также их электромеханических или оптических узлов Раздел I.10. Датчики, измерительная аппаратура и приборы I.10.1. Оборудование для неразрушающего контро- 902219000; ля, способное обнаруживать дефекты в трех 902229000; измерениях, используя методы ультразвуко- 903180390 вой или рентгеновской томографии, специ- ально созданное для композитных матери- алов I.10.2. Магнитометры, магнитные градиометры, эталонные магнитные градиометры и ком- пенсационные системы и специально раз- работанные компоненты Примечание Экспортный контроль по пунктам I.10.2.1.- I.10.2.7. не распространяется на специ- альные инструменты для биомагнитных изме- рений медицинской диагностики, если они не содержат датчиков, указанных в пунктах I.10.2.8.-I.10.2.8.4. I.10.2.1. Магнитометры, использующие технологии 901580930 сверхпроводимости с оптической накач- кой или ядерной прецессией (протонной/ Оверхаузера) и имеющие среднеквадрати- ческое значение уровня шумов (чувст- вительность) менее (лучше) 0,05 нТ, де- ленные на корень квадратный из частоты в Гц I.10.2.2. Магнитометры с катушкой индуктивности, имеющие среднеквадратическое значение уровня шумов (чувствительности) мень- ше (лучше): I.10.2.2.1. 0,05 нТ, деленные на корень квадратный 901580930 из частоты в Гц-на частоте менее 1 Гц; I.10.2.2.2. 1*10-3 нТ, деленные на корень квад- 901580930 ратный из частоты в Гц-на частоте 1 Гц или более, но не более 10 Гц; I.10.2.2.3. 1*10-4 нТ, деленные на корень квад- 901580930 ратный из частоты в Гц-на частоте более 10 Гц I.10.2.3. Волоконнооптические магнитометры со 901580930 среднеквадратическим значением уров- ня шума (чувствительностью) менее (луч- ше) 1 нТ, деленная на корень квадратный из частоты в Гц I.10.2.4. Магнитные градиометры, использующие на- 901580930 боры магнитометров, указанных в пунктах I.10.2.1.-I.10.2.3. I.10.2.5. Волоконнооптические эталонные магнитные 901580930 градиометры со среднеквадратическим зна- чением уровня шума (чувствительностью) градиента магнитного поля менее (лучше) 0,3 нТ, деленные на метр и корень квадратный из частоты в Гц I.10.2.6. Эталонные магнитные градиометры с ис- 901580930 пользованием технологии, отличной от оп- товолоконной, со среднеквадратическим значением уровня шума (чувствительно- стью) градиента магнитного поля менее (лучше) 0,015 нТ, деленные на метр и и на корень квадратный из частоты в Гц I.10.2.7. Магнитокомпенсационные системы для маг- 901580930 нитных датчиков, предназначенных для ра- боты на подвижных платформах I.10.2.8. Электромагнитные датчики для измерения электромагнитного поля на частотах 1 кГц и менее, содержащие компоненты, хотя бы один из которых является сверхпроводни- ком (включая устройства на эффекте Джо- зефсона или сверхпроводящие устройства квантовой интерференции (СКВИД), раз- работанные для функционирования при тем- пературах ниже критической, и имеющих одну из следующих характеристик: I.10.2.8.1. включающие тонкопленочные СКВИД с мини- 901580930 мальным характерным размером менее 2 мкм и соответствующими схемами соединения входа и выхода; I.10.2.8.2. разработанные для функционирования при 901580930 максимальной скорости нарастания магнит- ного поля более 10 квантов магнитного потока в секунду; I.10.2.8.3. разработанные для функционирования без 901580930 магнитного экрана в окружающем земном магнитном поле; I.10.2.8.4. имеющие температурный коэффициент менее 901580930 0,1 кванта магнитного потока на кельвин I.10.3. Гравитометры I.10.3.1. Гравитометры для наземного использования 901580930 со статистической точностью менее (лучше) 1*10-7м/с2 (10 мкГал) Примечание Экспортный контроль по пунктам I.10.3.1 и I.10.3.2 не распространяется на наземные гравитометры типа кварцевых элементов Уордена I.10.3.2. Аппаратура для производства, настройки 903180390 и калибровки наземных гравитометров со статической погрешностью не хуже чем 7*10-6 м/с2 (0,7 мГал) I.10.4. Бортовые альтиметры, действующие на час- тотах, отличных от 4,2 до 4,4 ГГц вклю- чительно, имеющие одну из следующих ха- рактеристик: I.10.4.1. управление мощностью; 852610110 I.10.4.2. использующие амплитудную модуляцию с 852610110 переменной фазой I.10.5. Гироскопы, имеющие под воздействием 903289 1 г на протяжении трех месяцев нестабильность относительно фиксиро- ванной калибровочной величины менее (лучше) 0,1о в час, когда паспортные (номинальные) данные приведены для функционирования при ускорениях ниже 10 г I.10.6. Инерциальные навигационные системы (плат- форменные и бесплатформенные) и инерци- альное оборудование для определения место- положения, наведения и управления, имею- щие специально разработанные компоненты и хотя бы одну из следующих характеристик: I.10.6.1. навигационную ошибку (чисто инерциаль- 901410900 ную) от 0,8 морской мили в час (50- процентная круговая вероятная ошибка (КВО) или менее (лучше) после нормальной выставки; I.10.6.2. приведенные паспортные (номинальные) 901410900 данные для функционирования при уровнях ускорений свыше 10 г I.10.7. Приемная аппаратура и специально разрабо- танные компоненты глобальной спутниковой навигационной системы, имеющие одну из следующих характеристик: I.10.7.1. использование шифрования (дешифро- 901420900 вания); I.10.7.2. осуществление управления положением ми- 901420900 нимума в диаграмме направленности антен- ны (провал в диаграмме направленности) I.10.8. Оборудование для испытаний, калибровки 903120000; и выставки, специально разработанное 903180; для оборудования, указанного в пунктах 903180100 I.10.4.-I.10.7.2., за исключением обо- рудования, предназначенного для техни- ческого обслуживания I.10.9. Системы подводного наблюдения I.10.9.1. Телевизионные системы (включая камеру, 852510900 осветительные приборы, оборудование мо- ниторинга и передачи сигнала), имеющие предельное разрешение, ограниченное бо- лее чем 500 линиями при измерении его в воздушной среде, а также телесистемы, специально спроектированные или модифи- цированные для дистанционного управления подводным судном I.10.9.2. Подводные телекамеры, имеющие предельное 852530990 разрешение более чем 700 линий при изме- рении разрешения в воздушной среде Примечание Предельное разрешение в телевидении из- меряется горизонтальным (строчным) раз- решением, обычно выраженным в максималь- ном числе линий по высоте изображения (экрана), различаемых на тестовой табли- це, использующей стандарт IЕЕЕ 208/1960 или любой эквивалент этого стандарта I.10.9.3. Системы, специально спроектированные 852692000 или модифицированные для дистанционного управления подводным судном, использу- щие способы минимизации эффектов обрат- ного рассеяния, включая РЛС облучения в узком диапазоне или лазерные системы I.10.9.4. Телевизионные камеры,предназначенные для 852530990 съемки объектов с низким уровнем освещен- ности, специально спроектированные или модифицированные для использования под водой и содержащие трубки с микроканальным усилителем изображения, указанные в пунк- те I.12.2.1.2.1. и имеющие более чем 150000 активных каналов на площади твердотельного приемника I.10.9.5. Фотодиапозитивные камеры, специально 900653000; спроектированные или модифицированные 900659000 для подводного применения: имеющие формат ленты 35 мм или более и аннотацию ленты данными, определяющими специфику внешнего источника камеры; обладающие средствами автофокусиро- вания или дистанционного фокусирования, специально спроектированными для применения под водой; имеющие возможность автоматичес- кой обратной коррекции фокусного рас- стояния, систему управления автомати- ческой компенсации, специально спроек- тированную для помещения в бокс подвод- ной камеры, способной выдерживать дав- ление на глубине, превышающей 1000 м I.10.9.6. Электронные системы наблюдения, специ- 903081900 ально спроектированные или модифициро- ванные для подводного использования, способные хранить в цифровой форме бо- лее чем 50 экспонированных кадров I.10.10. Системы подсветки, специально спроектиро- ванные или модифицированные для приме- нения под водой: I.10.10.1. стробоскопические световые системы с 902920900; энергией выхода более чем 300 Дж в од- 940540100; ной вспышке; 940540390 I.10.10.2. аргонодуговые световые системы, специ- 940540100 ально спроектированные для использова- 940540390 ния под водой на глубинах ниже 1000 м I.10.11. Акустическая аппаратура, оборудование и системы I.10.11.1. Морские акустические системы, аппара- тура или специально разработанные ком- поненты I.10.11.1.1. Активные (передающие или приемопереда- ющие) акустические системы, оборудова- ние или специально разработанные ком- поненты Примечание Экспортный контроль по пунктам I.10.11.1.1. и I.10.11.1.1.4.2.

не распространяется на звуковые измерители глубины вертикального действия без сканирования луча в пределах свыше +10о, имеющие ограниченное применение для измерения глубины или расстояния до по- груженного или заглубленного объекта, а также косяков рыбы I.10.11.1.1.1. Широкообзорные акустические системы морского картографирования, разрабо- танные: I.10.11.1.1.1.1. для измерения при углах отклонения 901580910 от вертикали более 10 ои измерения глубин более 600 м от поверхности воды; I.10.11.1.1.1.2. для использования набора лучей, ка- 901580910 ждый из которых не шире 2 о, или для обеспечения точности измерений луч- ше 0,5 % глубины воды, полученной ус- реднением отдельных измерений I.10.11.1.1.2. Акустические системы обнаружения или 901580910 определения местоположения объекта, имеющие одну из следующих характерис- тик: I.10.11.1.1.2.1. рабочую частоту менее 10 кГц; 901580910 I.10.11.1.1.2.2. уровень звукового давления свыше 901580910 224 дБ (1 мкПа на 1 м) для аппара- туры с рабочей частотой в диапазоне от 10 до 24 кГц; I.10.11.1.1.2.3. уровень звукового давления свыше 901580910 235 дБ (1 мкПа на 1 м) для аппара- туры с рабочей частотой в диапазоне от 24 до 30 кГц; I.10.11.1.1.2.4. формирование луча уже 1о по любой 901580910 оси и рабочую частоту ниже 100 кГц; I.10.11.1.1.2.5. разработанные для нормального функ- ционирования на глубинах свыше 1000 м и имеющие передатчик с одной из следующих характеристик: I.10.11.1.1.2.5.1. динамически подстраиваемый под да- 901580910 вление; I.10.11.1.1.2.5.2. содержащий излучающий элемент, от- 901580910 личный от титаната цирконата; I.10.11.1.1.2.5.3. разработанный для измерения рас- 901580910 стояний до объектов более 5120 м I.10.11.1.1.3. Акустические прожекторы, включающие излучатели с пьезоэлектрическими, ма- гнитострикционными, электрострикцион- ными, электродинамическими или гидра- влическими элементами, функционирую- щими независимо или в совокупности и имеющие одну из следующих характерис- тик: Примечание Статус контроля за экспортом акустических прожекторов, включающих излучатели, спе- циально разработанных для другой аппара- туры, определяется статусом контроля дру- гой аппаратуры I.10.11.1.1.3.1. плотность мгновенно излучаемой 901580910 акустической мощности, превышающую 0,01 мВт/(кв.мм*Гц) для приборов, действующих на частотах ниже 10 кГц; I.10.11.1.1.3.2. плотность непрерывно излучаемой 901580910 акустической мощности, превышающую 0,001 мВт/(кв.мм*Гц) для приборов, действующих на частотах ниже 10 кГц; Примечание Плотность акустической мощности получа- ется в результате деления выходной акус- тической мощности на произведение пло- щади излучающей поверхности и рабочей частоты I.10.11.1.1.3.3. проектное предназначение для нор- 901580910 мального функционирования на глу- бинах свыше 1000 м; I.10.11.1.1.3.4. способность подавления боковых ле- 901580910 пестков более 22 дБ Примечание Экспортный контроль по пунктам I.10.11.1.1.3.-I.10.11.1.1.3.4. не распространяется на электронные источники с только вертикальным акустическим излучением или меха- нические (например, воздушные или паровые ружья) или химические (на- пример, взрывные) источники I.10.11.1.1.4. Акустические системы, аппаратура или специально разработанные компоненты для определения положения надводных или подводных судов, разработанные: Примечание Пункт I.10.11.1.1.4. включает аппара- туру с использованием когерентной обра- ботки сигналов между двумя или более маяками и гидрофонного устройства над- водных и подводных судов, либо аппара- туру, обладающую способностью автокор- рекции погрешности скорости распростра- нения звука I.10.11.1.1.4.1. для работы на дистанции свыше 1000 м 901580110 с точностью позиционирования менее 10 м при измерении на расстоянии 1000 м; I.10.11.1.1.4.2. для работы на глубинах более 1000 м 901580110 I.10.11.1.2. Пассивные (принимающие в штатном режиме независимо от связи с активной аппарату- рой) акустические системы, аппаратура или специально разработанные компоненты I.10.11.1.2.1. Гидрофоны (преобразователи) I.10.11.1.2.1.1. Гидрофоны (преобразователи), включа- 901580110; ющие гибкие датчики непрерывного дей- 901580930 ствия или сборки датчиков дискретного действия с диаметром либо длиной ме- нее 20 мм и расстоянием между элемен- тами менее 20 мм I.10.11.1.2.1.2. Гидрофоны (преобразователи), имеющие любой из следующих чувствительных элементов: I.10.11.1.2.1.2.1. птоволоконный; 901580930 I.10.11.1.2.1.2.2. ьезоэлектрический полимерный; 901580930 I.10.11.1.2.1.2.3. ьезоэлектрический из гибкой кера- 901580930 ики I.10.11.1.2.1.3. Гидрофоны (преобразователи), имеющие 901580930 гидрозвуковую чувствительность луч- ше -180 дБ на любой глубине, без компенсации ускорения I.10.11.1.2.1.4. Гидрофоны (преобразователи), разрабо- 901580930 танные для глубин не более 35 м, с гид- розвуковой чувствительностью лучше -186 дБ и компенсацией ускорения I.10.11.1.2.1.5. Гидрофоны (преобразователи), разрабо- 901580930 танные для нормальной работы на глу- бинах более 35 м, с гидрозвуковой чув- ствительностью лучше -192 дБ и ком- пенсацией ускорения I.10.11.1.2.1.6. Гидрофоны (преобразователи), разрабо- 901580930 танные для нормальной работы на глу- бинах свыше 100 м, с гидрозвуковой чув- ствительностью лучше -204 дБ I.10.11.1.2.1.7. Гидрофоны (преобразователи), разрабо- 901580930 танные для работы на глубинах более 1000 м Примечание Гидрозвуковая чувствительность опреде- ляется как двадцатикратный десятичный логарифм отношения среднеквадратичного выходного напряжения к опорному напряже- нию 1 В, когда гидрофонный датчик без предусилителя помещен в акустическое поле плоской волны со среднеквадратич- ным давлением 1 мкПа. Например, гидро- фон -160 дБ (опорное напряжение 1В/мкПа) даст выходное напряжение 10-8 В в таком поле, в то время как чувствительность -180 дБ даст выходное напряжение 10-9 В. Таким образом, -160 дБ лучше чем -180 дБ I.10.11.1.2.2. Буксируемые акустические гидрофонные решетки: I.10.11.1.2.2.1. с расположением гидрофонов менее чем 901580930 на 12,5 м в решетке; I.10.11.1.2.2.2. с расположением гидрофонной группы от 901580930 12,5 до 25 м, разработанной или спо- собной быть модифицированной для рабо- ты на глубине более 25 м; Примечание Способность к модификации в пункте I.10.11.1.2.2.2. означает наличие воз- можности перемонтажа обмотки или внут- ренних соединений для изменения рас- положения гидрофонной группы или пре- делов рабочих глубин. Такими возмож- ностями являются: наличие запасных ви- тков обмотки более 10 % от числа рабо- чих витков, блоки настройки конфигура- ции гидрофонной группы или внутренние устройства регулировки предельной ра- бочей глубины с возможностью перестрой- ки и управления более чем одной гидро- фонной группы I.10.11.1.2.2.3. с расположением гидрофонной группы 901580930 на расстоянии 25 м или более, раз- работанной для работы на глубине свыше 100 м; I.10.11.1.2.2.4. разработанные или способные быть мо- 901580930 дифицированными для глубин более 35 м, с головными датчиками, включенными в соединительный кабель решетки, имеющими точность лучше +0,5о или датчиками, смонтированными снаружи соединительного кабеля решетки, обладающими способностью работать с вращением на 360о на глубине более 35 м; Примечание Способность к модификации в пункте I.10.11.1.2.2.4. означает наличие регу- лируемого или извлекаемого устройства измерения глубины I.10.11.1.2.2.5. с неметаллическими усиливающими эле- 901580930 ментами или соединительным кабелем с продольным усилением кабеля; I.10.11.1.2.2.6. с диаметром гидрофонной решетки в соб- 901580930 ранном виде менее 40 мм; I.10.11.1.2.2.7. с уплотненным групповым сигналом гид- 901580930 рофона; I.10.11.1.2.2.8. с характеристиками гидрофона, опреде- 901580930 ленными в пунктах I.10.11.1.2.1.- I.10.11.1.2.1.7. I.10.11.1.2.3. Специально разработанная аппаратура обра- ботки сигналов для акустических гидрофон- ных решеток с любой из следующих харак- теристик: I.10.11.1.2.3.1. быстрым преобразованием Фурье или дру- 901580930 гими преобразованиями данных по 1024 или более точкам менее чем за 20 мс без возможности программирования пользователем; I.10.11.1.2.3.2. обработкой во временной или частот- 901580930 ной области и корреляцией, включая спектральный анализ, цифровую фильт- рацию и формирование луча с исполь- зованием быстрого преобразования Фурье или других преобразований или процессов с возможностью программи- рования пользователем I.10.11.2. Наземные геофоны, обладающие способно- 901580930 стью к преобразованию в морские систе- мы, оборудование или специально разра- ботанные компоненты, указанные в пунк- тах I.10.11.1.2.1.-I.10.11.1.2.1.7. I.10.11.3. Аппаратура на лагах для корреляционного 901580930 измерения горизонтальной составляющей скорости относительно морского дна на расстояниях между носителем и дном свы- ше 500 м Раздел I.11. Двигатели и движители, системы и оборудование для них I.11.1. Изолированные от атмосферы двигательные системы, специально спроектированные для применения под водой I.11.1.1. Изолированные от атмосферы двигательные системы с двигателями циклов Брайтона, Стирлинга или Ренкина, имеющие любую из следующих составляющих: I.11.1.1.1. химические скрубберы или абсорберы, 840810 специально спроектированные для удаления двуокиси углерода и частиц из рециркули- руемого выхлопа двигателя; I.11.1.1.2. системы, специально спроектированные 840810 для применения моноатомного газа; I.11.1.1.3. приборы или глушители, специально спро- 840810 ектированные для снижения шума под во- дой с частотами ниже 10 кГц, или специ- ально смонтированные приборы для смягче- ния хлопка выброса; I.11.1.1.4. системы, специально спроектированные 840810 для прессования продуктов реакции, реформации топлива или хранения продуктов реакции при противодавлении в 100 кПа или более I.11.1.2. Дизельные двигатели для изолированных от атмосферы двигательных систем, имеющие все следующие составляющие: I.11.1.2.1. химические скрубберы или абсорберы, 840810 специально спроектированные для уда- ления двуокиси углерода, моноокиси уг- лерода и частиц из рециркулируемого выхлопа двигателя; I.11.1.2.2. системы, специально спроектированные 840810 для применения моноатомного газа; I.11.1.2.3. приборы или глушители, специально спро- 840810 ектированные для снижения шума под во- дой с частотами ниже 10 кГц или специ- ально смонтированные для смягчения хлопка выброса; I.11.1.2.4. специально спроектированные выхлопные 840810 системы с задержкой выброса продуктов сгорания I.11.1.3. Топливный отсек для двигателей, изолиро- ванных от атмосферы двигательных систем, с выходной мощностью, превышающей 2 кВт, имеющих какую-либо из следующих характе- ристик: I.11.1.3.1. приборы или глушители, специально спро- 840999000 ектированные для снижения шума под водой, с частотами ниже 10 кГц или специально смонтированные приборы для смягчения хлопка выброса; I.11.1.3.2. системы, специально спроектированные 840999000 для прессования продуктов реакции, реформации топлива, хранения продуктов реакции или выхлопа продуктов реакции при противодавлении в 100 кПа или более I.11.2. Подъемные вентиляторы с уровнем мощности 841239900; более 400 кВт, специально спроектирован- 841280990 ные для судов с поверхностным эффектом, указанных в пунктах I.13.1.6. или I.13.1.7. I.11.3. Системы двигателя с водяным винтом или системы передачи мощности, специально спроектированные для судов с поверхност- ным эффектом (с полностью изменяемой или неизменяемой поверхностной конфигурацией), для судов с гидрокрыльями и на небольшом подводном крыле, указанных в пунктах I.13.1.6.-I.13.1.9.2.: I.11.3.1. суперкавитационные, супервентиляторные, 840810 частично погруженные или опускаемые (про- никающие через поверхность) двигатели с уровнем мощности более 7,5 МВт; I.11.3.2. соосные гребные винты противоположного 841229500 вращения с уровнем передаваемой мощнос- ти более 15 МВт; I.11.3.3. системы, служащие для выравнивания по- 841229500 тока, набегающего на движитель; I.11.3.4. легковесный, высокого качества (значе- 848340930 ние К-фактора превышает 300) редуктор; I.11.3.5. системы передачи мощности трансмиссион- 848310900 ным валом, включающие компоненты из ком- позитных материалов и способные осущест- влять передачу мощности большую чем 1 МВт I.11.4. Движители с водяным винтом, системы полу- чения и передачи энергии для применения на судах I.11.4.1. Гребные винты регулируемого шага и сбор- 848510900 ки ступицы с уровнем передачи мощности более 30 МВт I.11.4.2. Электрические двигатели с водяным вну- 850134990 тренним охлаждением и выходной мощностью выше 2,5 МВт I.11.4.3. Магнитогидродинамические движители вы- 850120900 ходной мощностью более 0,1 МВт с приме- нением сверхпроводимости I.11.4.4. Системы передачи мощности трансмиссион- 848310900 ным валом, включающие компоненты из ком- позиционных материалов и способные осуще- ствлять передачу мощности большую чем 2 МВт I.11.4.5. системы вентиляторных (или на базе вен- 848510900 тиляторных) винтов с уровнем передавае- мой мощности более 2,5 МВт I.11.5. Системы снижения шума для применения на судах водоизмещением 1000 тонн или более I.11.5.1. Системы снижения шума, уменьшающие уро- 841229500 вень шума с частотой ниже 500 Гц, сос- тоящие из компаундных акустических сбо- рок для акустической изоляции дизельных двигателей, дизель-генераторных установок, газовых турбин, газотурбинных генераторных установок, двигательных установок или ре- дукторов, специально спроектированных для звуковой или вибрационной изоляции, имею- щие усредненную массу свыше 30 % от массы всего монтируемого оборудования I.11.5.2. Активные системы снижения шума или его 841229500 погашения, или подшипники на магнитном подвесе, специально спроектированные для мощных трансмиссионных систем, включаю- щие электронные системы управления, спо- собные активно снижать вибрации оборудо- вания генерацией антишумовых или антиви- брационных сигналов непосредственно у ис- точника шума I.11.6. Системы движения на струйном двигателе 841229500 с уровнем выходной мощности, превышающим 2,5 МВт, использующие отклоняющееся со- пло и технику регулирования потока лопат- кой (лопастью) с целью увеличения эффек- тивности движителя или снижения генериру- емых движителем и распространяемых под водой шумов I.11.7. Морские газотурбинные двигатели с эксп- 841182910- луатационной мощностью 13,795 кВт или 841182990 более и удельным расходом топлива менее 0,243 кг/(кВт*ч), и специально разработан- ные агрегаты и компоненты для таких дви- гателей Примечание Экспортный контроль не распространяется на морские газотурбинные двигатели, ука- занные в пункте I.11.7. и предназначен- ные для установки на гражданские морские суда для невоенного конечного применения, только в том случае, если их удельный расход топлива превышает 0,23 кг/(кВт*ч), а их уровень мощности меньше 20000 кВт I.11.8. Специально разработанные агрегаты и ком- поненты газотурбинных двигателей I.11.8.1. Лопатки газовых турбин, лопасти или вер- 841199900 хние части венцов, изготовленные методом направленной кристаллизации и предназна- ченные для работы при температурах, пре- о вышающих 1593 К (1320 С) I.11.8.2. Лопатки газовой турбины, лопасти или 841199900 верхняя часть венца в одном кристалле I.11.8.3. Многокупольные камеры сгорания, работаю- 811300900 щие при средних температурах на выходе из камеры, равные или свыше о 1813 К (1540 С), или камеры сгорания, содержащие термически разделенные теплозащитные элементы, неметаллические теплозащитные элементы или неметаллические корпуса I.11.8.4. Компоненты, изготовленные из органичес- 841199900 ких композиционных материалов для тем- о ператур применения свыше 588 К (315 С) или из металлических матричных компози- ционных, керамических матричных, интер- металлических усиленных материалов, в том числе из материалов, указанных в пунктах I.3.3.-I.3.3.2. I.11.8.5. Неохлаждаемые турбинные лопатки, лопас- 841199900 ти, верхние части венцов или другие ком- поненты, спроектированные для работы в газовом потоке с температурой 1323 К о (1050 С) или выше I.11.8.6. Охлаждаемые турбинные лопатки, лопасти, 841199900 верхние части венцов, кроме указанных в пунктах I.11.8.1. и I.11.8.2., рабо- тающие без тепловой защиты при темпера- о туре газа 1643 К (1370 С) или выше I.11.8.7. Комбинации лопасти с профилем крыла - 841199900 диском турбины, использующие соедини- тельные элементы в твердом состоянии I.11.8.8. Высокоресурсные вращающиеся компоненты 841199900 газотурбинного двигателя, использующие материалы, изготовленные методом порош- ковой металлургии I.11.8.9. Система автономного электронно-цифрового 903289 контроллера для газотурбинных двигателей комбинированного цикла, относящееся к ней диагностическое оборудование, датчи- ки и специально спроектированные элемен- ты I.11.8.10. Системы управления геометрией газового потока и системы управления в целом для: I.11.8.10.1 газогенераторных турбин; 903289 I.11.8.10.2. вентиляторных или мощных турбин 903289 Примечания 1. Системы управления геометрией газового потока и системы управления в целом не включают выходные поворотные лопатки, вентиляторы с изменяемым шагом, поворот- тые статоры или дренажные клапаны для компрессоров 2. По пунктам I.11.8.10.1. и I.11.8.10.2. не подлежат экспортному контролю системы управления геометрией газового потока, осуществляемого с целью реверса тяги I.11.8.11. Системы управления зазором между венцом 903289; и лопатками ротора, использующие техно- 903281900 логию активной компенсации зазора турбин- ным кожухом, ограниченную базой данных проектирования и разработки I.11.8.12. Газовые подшипники для сборок ротора га- 848299000 зотурбинного двигателя I.11.8.13. Пустотелые лопатки с широкой хордой без 841199900 межпролетного крепления Раздел I.12 Лазеры и оптическое оборудование I.12.1 Оптика I.12.1.1. Оптические зеркала (отражатели) I.12.1.1.1. Деформируемые зеркала с непрерывными 900290990 либо многоэлементными поверхностями и специальными компонентами, способными динамически менять расположение элемен- тов поверхности с частотой свыше 100 Гц I.12.1.1.2. Сверхлегкие монолитные зеркала со сред- 900290990 ней эквивалентной плотностью менее 30 кг/кв.м и суммарной массой более 10 кг I.12.1.1.3. Сверхлегкие составные или пенные зерка- 900290990 льные спуктуры со средней эквивалентной плотностью менее 30 кг/кв.м и суммарной массой более 2 кг I.12.1.1.4. Зеркала диаметром или с длиной большей 900290990 оси более 100 мм и с управлением лучом в полосе частот более 100 Гц I.12.1.2. Оптические компоненты из селенида цинка (ЗнСе) или сульфида цинка (ЗнС) с пере- дачей в диапазоне длин волн свыше 3000 нм, но не более 25000 нм, имеющие одну из следующих характеристик: I.12.1.2.1. объем более 100 куб.см; 900190900 I.12.1.2.2. диаметр или длина большей оси более 900190900 80 мм и толщина (глубина) 20 мм и более I.12.1.3. Компоненты оптических систем для кос- мических применений: I.12.1.3.1. сверхлегкие оптические элементы с эк- 900190900 вивалентной плотностью менее чем 20 % по сравнению с твердотельными пласти- нами той же апертуры и толщины; I.12.1.3.2. подложки с поверхностным покрытием 900190900 (однослойным, многослойным, металли- ческим или диэлектрическим, проводящим, полупроводящим или изолирующим) или подложки с защитными пленками; I.12.1.3.3. сегменты или узлы зеркал для установки 900290990 в космосе в оптические системы с общей апертурой эквивалентной или большей 1 м; I.12.1.3.4. компоненты оптических систем, изготов- 900390000 ленные из композитных материалов, с коэффициентом линейного теплового расширения равным или меньшим 5*10-6 в направлении любой координаты I.12.1.4. Оптические фильтры I.12.1.4.1. Оптические фильтры для длин волн более 900220900 250 нм, включающие многослойные опти- ческие покрытия и имеющие полосу про- пускания до половинной интенсивности до 1 нм включительно и пиковую передачу 90 % и более, или полосу пропускания до 0,1 нм включительно и пиковую передачу 50 % и более Примечание Экспортный контроль по пункту I.12.1.4.1. не распространяется на оптические фильтры с постоянным воздушным зазором или фильтры типа Лио I.12.1.4.2. Оптические фильтры для длин волн более 900220900 250 нм, имеющие настраиваемость в спект- ральном диапазоне 500 нм и более, мгно- венную полосу пропускания 1,25 нм или ме- нее, установку в течение 0,1 мс с точнос- тью 1 нм или лучше в пределах перестраи- ваемого спектрального диапазона, однопи- ковый коэффициент пропускания 91 % или бо- лее I.12.1.4.3. Оптические переключатели на конденсато- 900220900 рах (фильтры) с полем обзора 30о или шире и временем отклика, равным или ме- нее 1 нс I.12.1.5. Аппаратура оптического контроля I.12.1.5.1. Аппаратура, специально разработанная для 903140000; обеспечения качества поверхности или ори- 903289900 ентации оптических компонентов, указанных в пунктах I.12.1.3.1. или I.12.1.3.3. I.12.1.5.2. Аппаратура, имеющая управление, слежение, 903140000; стабилизацию или подстройку резонатора с 903289900 полосой частот, равной или более 100 Гц, и погрешностью 10 мкрад или менее I.12.1.5.3. Кардановы подвесы с максимальным углом поворота 5о, шириной полосы частот более 100 Гц, обладающие любой из следующих характеристик: I.12.1.5.3.1. диаметр или длина большей оси более 903289900 0,15 м, но не более 1 м, чувствитель- ность к угловым ускорениям более 2 рад/с2, погрешность углового наведения 200 мкрад или менее I.12.1.5.3.2. специально разработанные для юстировки 903289900 фазированных решеток или фазированных систем сегментных зеркал, состоящих из зеркал с диаметром сегмента или его большей полуоси 1 м или более, облада- ющие чувствительностью к угловым уско- рениям более 0,5 рад/с2 и погрешностью углового наведения 200 мкрад или менее I.12.1.6. Аппаратура для измерения абсолютного зна- 903140000 чения отражательной способности с погреш- ностью +0,1 % или менее I.12.2. Оптические датчики I.12.2.1. Оптические детекторы Примечание Экспортный контроль по пунктам I.12.2.1.- I.12.2.1.4. не распространяется на герма- ниевые или кремниевые фотодиоды I.12.2.1.1. Оптические детекторы для использования в космосе в виде единичного элемента, ли- нейки в фокальной плоскости или двух дву- мерных элементов, имеющие: I.12.2.1.1.1. групповой отклик на длине волны короче 854140990 300 нм и отклик менее 0,1 % относительно пикового отклика на длине волны свыше 400 нм; I.12.2.1.1.2. пиковый отклик в диапазоне длин волн 854140990 свыше 900 нм, но не более 1200 нм, и постоянную времени отклика 95 нс или менее; I.12.2.1.1.3. пиковый отклик в диапазоне длин волн 854140990 более 1200 нм, но не свыше 30000 нм I.12.2.1.2. Электронно-оптические усилители яркости и специальные компоненты I.12.2.1.2.1. Электронно-оптические усилители яркости, 854140990; имеющие пиковый отклик в диапазоне длин 901380000 волн свыше 400 нм, но не более 1050 нм, микроканальный анод для электронного усилителя изображения с шагом отверстий (расстоянием между центрами) менее 25 мкм и фотокатоды С-20, С-25, многощелевой фотокатод или фотокатоды из аАс или аIнАс I.12.2.1.2.2. Специально разработанные компоненты для электронно-оптических усилителей ярко- сти: I.12.2.1.2.2.1. оптоволоконные инверторы; 854140990; 901380000 I.12.2.1.2.2.2. микроканальные аноды, имеющие 15000 854140990 или более ламп с тлеющим разрядом на плате и шаг отверстий (расстояние между центрами) менее 25 мкм; I.12.2.1.2.2.3. фотокатоды из ГаАс или ГаИнАс 854140990 I.12.2.1.3. Неэквидистантные линейные или двумерные 854140910; матрицы в фокальной плоскости с одной из 854140990 следующих характеристик: Примечания 1. Пункт I.12.2.1.3. включает матрицы фотопроводимости и солнечных бата- рей 2. Экспортный контроль по пункту I.12.2.1.3. не распространяется на кремниевые матрицы в фокальной плоскости, многоэлементные (не более 16 элементов) фотопроводящие эле- менты в оболочке или пироэлектрические детекторы, использующие любой из следу- ющих материалов: сульфид свинца; сульфат триглицерина и его разновид- ности; титанат циркония-лантана-свинца и его разновидности; танталат лития; фторид поливинилидена и его разно- видности; ниобат бария-стронция и его варианты; селенид свинца I.12.2.1.3.1. имеющие отдельные элементы с пиковым 854140910; откликом в пределах диапазона волн 854140990 свыше 900 нм, но не более 1050 нм, и постоянной времени отклика менее 0,5 нс; I.12.2.1.3.2. имеющие отдельные элементы с пиковым 854140910; откликом в пределах диапазона волн 854140900 свыше 1050 нм, но не более 1200 нм, и постоянной времени 95 нс или меньше; I.12.2.1.3.3. имеющие отдельные элементы с пиковым 854140910; откликом в пределах диапазона волн 854140900 свыше 1200 нм, но не более 30000 нм I.12.2.1.4. Одиночные или многоэлементные полупро- 854140930 водниковые фотодиоды или фототран- зисторы вне фокальной плоскости с пико- вым откликом на длине волны более 16200 нм и постоянной времени отклика 0,5 нс или менее, не предназначенные для космических применений I.12.2.2. Многоспектральные формирователи изобра- жений для применения в дистанционном зондировании, имеющие любую из следую- щих характеристик: I.12.2.2.1. мгновенное поле обзора менее 200 мкрад; 854089900 I.12.2.2.2. специально сконструированные для рабо- 854089900 ты в диапазоне длин волн свыше 400 нм, но не более 30000 нм, обеспечивающие данные изображения на выходе в цифровом формате с использованием детекторов, от- личных от кремниевых, и предназначенные для космического применения или для воз- душного базирования I.12.2.3. Аппаратура формирования изображений не- посредственного наблюдения в видимом или инфракрасном диапазоне, включающая одно из следующих устройств: I.12.2.3.1. электронно-оптические преобразователи 854020300; для усиления яркости изображения, ука- 854099000 занные в пункте I.12.2.1.2.; I.12.2.3.2. матрицы в фокальной плоскости, указан- 854099000 ные в пункте I.12.2.1.3. Примечания: 1. Термин "непосредственное наблюдение" относится к аппаратуре получения изо- бражений в видимой и инфракрасной ча- сти спектра, которая дает наблюдателю видимое изображение без преобразова- ния в электронный сигнал телевизион- ного дисплея и не обеспечивает записи или хранения изображения фотографиче- ским, электронным или каким-либо еще способом 2. Экспортный контроль по пункту I.12.2.3.2. не распространяется на следующую аппара- туру с фотокатодами, отличными от фотока- тодов на ГаАс или ГаИнАс: промышленные или гражданские датчи- ки охраны, системы учета или контроля дорожного или производственного дви- жения; медицинская аппаратура; промышленная аппаратура для конт- роля, анализа или сортировки ма- териалов; детекторы пламени для промышленных печей; аппаратура, специально разработан- ная для промышленного использова- ния I.12.2.4. Специализированные компоненты для опти- ческих датчиков: I.12.2.4.1. космического применения с криогенным 901380000; охлаждением 901390000 I.12.2.4.2. некосмического применения с криогенным 901380000; охлаждением 901390000 I.12.2.4.2.1. замкнутого цикла со средним временем 901380000; наработки на отказ или средним време- 901390000 нем между отказами свыше 2500 ч; I.12.2.4.2.2. саморегулирующиеся охладители Джоуля- 901380000; Томсона с диаметром отверстия менее 901390000 8 мм I.12.2.5. Оптоволоконные датчики: I.12.2.5.1. специально изготовленные композиционно 900190900; или структурно, или модифицированные пу- 901380000 тем покрытия, с чувствительностью к акус- тическим, термическим, инерционным, элект- ромагнитным или ядерным эффектам; I.12.2.5.2. модифицированные структурно для достиже- 900190900; ния длины биений менее чем 50 мм (наи- 901380000 большее двулучепреломление) I.12.3. Камеры I.12.3.1. Инструментальные камеры I.12.3.1.1. Высокоскоростные записывающие кинокамеры 900711000; с любым форматом пленки от 8 мм до 46 мм 900719000 включительно, в которых пленка движется в процессе записи и в которых запись может производиться со скоростью свыше 13150 кадров в секунду Примечание Экспортный контроль по пункту I.12.3.1.1. не распространяется на кинокамеры для гражданских целей I.12.3.1.2. Механические высокоскоростные камеры, в 900719000 которых пленка не движется, способные вести запись со скоростью свыше 106 кад- ров в секунду для пленки шириной 35 мм, или для пропорционально более высоких скоростей более узкой пленки, или для пропорционально меньших скоростей бо- лее широкой пленки I.12.3.1.3. Механические или электронные камеры-фо- 900719000 тохронографы со скоростью записи свыше 10 мм/мкс 1.12.3.1.4. Электронная кадровая камера со скоростью 900719000 свыше 106 кадров в секунду I.12.3.1.5. Электронные камеры, имеющие скорость 900719000 электронного затвора (скорость стробиро- вания) менее 1 мкс на полный кадр и время считывания, позволяющие получать более чем 125 полных кадров в секунду I.12.3.2. Камеры для получения видеоизображений Примечание Экспортный контроль по пункту I.12.3.2. не распространяется на телевизионные и и видеокамеры для телевидения I.12.3.2.1. Видеокамеры, включающие твердотельные 852190000 чувствительные элементы, имеющие одну из следующих характеристик: более 4*106 активных пикселей на твер- 852190000 дотельную матрицу для монохромной (чер- но-белой) камеры; более 4*106 активных пикселей на твер- 852190000 дотельной матрице для цветных камер с тремя твердотельными матрицами; более 12*106 активных пикселей для 852190000 цветных камер с одной твердотельной матрицей I.12.3.2.2. Сканирующие камеры и системы сканирующих 852190000 камер, включающие линейную решетку детек- торов с более чем 8192 элементами на решет- ке, и с механическим сканированием в одном направлении I.12.3.2.3. Камеры для получения видеоизображения, 852190000 включающие преобразователь для усиления яркости изображения, указанный в пункте I.12.2.1.2.1. I.12.3.2.4. Камеры для получения видеоизображения, 852190000 включающие матрицы в фокальной плоскос- ти, указанные в пункте I.12.2.1.3. I.12.4. Лазеры, компоненты, оптическое обору- 852190000 дование для них Примечания: 1. Импульсные лазеры включают лазеры, работающие в непрерывном режиме с наложением импульса; 2. Лазеры импульсного возбуждения вклю- чают лазеры, работающие в режиме не- прерывного возбуждения с наложением импульса; 3. Статус экспортного контроля рамановского лазера определяется параметрами лазе- ра источника накачки. Лазеры источника накачки могут быть любыми из ниже описанных I.12.4.1. Газовые лазеры I.12.4.1.1. Эксимерные лазеры, имеющие одну из следующих характеристик: I.12.4.1.1.1. длину волны выходного излучения, не пре- 901320000 вышающую 150 нм, выходную энергию более 50 мДж на импульс или среднюю, или не- прерывную мощность более 1 Вт; I.12.4.1.1.2. длину волны выходного излучения более 901320000 150 нм, но не превышающую 190 нм, вы- ходную энергию на импульс, превышающую 1,5 Дж или среднюю, или непрерывную мощность, превышающую 120 Вт; I.12.4.1.1.3. длину волны выходного излучения, превы- 901320000 шающую 190 нм, но не более 360 нм, вы- ходную энергию на импульс, превышающую 10 Дж или среднюю, или непрерывную вы- ходную мощность, превышающую 500 Вт; I.12.4.1.1.4. длину волны выходного излучения, превы- 901320000 шающую 369 нм, выходную энергию на им- пульс, превышающую 1,5 Дж, или среднюю, или непрерывную выходную мощность более 30 Вт I.12.4.1.2. Лазеры на парах металлов: I.12.4.1.2.1. медные (Цу) лазеры со средней или не- 901320000 прерывной выходной мощностью более 20 Вт; I.12.4.1.2.2. золотые (Ау) лазеры со средней или не- 901320000 прерывной выходной мощностью более 5 Вт; I.12.4.1.2.3. натриевые (На) лазеры с выходной мощно- 901320000 стью более 5 Вт; I.12.4.1.2.4. бариевые (Ба) лазеры со средней или не- 901320000 прерывной выходной мощностью более 2 Вт I.12.4.1.3. Лазеры на моноокиси углерода (СО) с: I.12.4.1.3.1. выходной энергией более 2 Дж на импульс 901320000 и импульсной пиковой мощностью более 5 кВт; I.12.4.1.3.2. средней или непрерывной выходной мощ- 901320000 ностью более 5 кВт I.12.4.1.4. Лазеры на двуокиси углерода (СО2) с: I.12.4.1.4.1. непрерывной выходной мощностью более 901320000 10кВт; I.12.4.1.4.2. импульсным излучением с длительностью 901320000 импульса более 10 мкс, средней вы- ходной мощностью свыше 10 кВт или импульсной пиковоймощностью более 100 кВт; I.12.4.1.4.3. импульсным излучением с длительностью импульса равным или менее 10 мкс, энер- гией импульса более 5 Дж, импульсной пи- ковой мощностью свыше 2,5 кВт или сред- ней,или непрерывной выходной мощностью более 2,5 кВт I.12.4.1.5. Химические лазеры: I.12.4.1.5.1. водородно-фторовые (ХФ) лазеры; 901320000 I.12.4.1.5.2. дейтерий-фторовые ( ) лазеры; 901320000 I.12.4.1.5.3. переходные лазеры: I.12.4.1.5.3.1. кислородно-иодовые лазеры (О2-И); 901320000 I.12.4.1.5.3.2. дейтерий-фторовые-двуокись углеродные 901320000 ( -СО2) лазеры I.12.4.1.6. Газоразрядные и ионные лазеры (на ионах криптона или аргона), имеющие: I.12.4.1.6.1. выходную энергию более 1,5 Дж на 901320000 импульс и импульсную пиковую мощность более 50 Вт; I.12.4.1.6.2. среднюю или непрерывную мощность более 901320000 50 Вт I.12.4.1.7. Другие газовые лазеры за исключением азотных лазеров с: I.12.4.1.7.1. длиной волны выходного излучения не 901320000 более 150 нм, выходной энергией на им- пульс свыше 50 мДж, импульсной пико- вой мощностью более 1 Вт или средней, или непрерывной выходной мощностью бо- лее 1 Вт; I.12.4.1.7.2. длиной волны выходного излучения бо- 901320000 лее 150 нм, но не более 800 нм, выход- ной энергией более 1,5 Дж на импульс, импульсной пиковой мощностью более 30 Вт или средней, или непрерывной выходной мощностью более 30 Вт; I.12.4.1.7.3. длиной волны выходного излучения бо- 901320000 лее 800 нм, но не более 1400 нм, выход- ной энергией на импульс более 0,25 Дж, импульсной пиковой мощностью более 10 Вт или средней, или непрерывной выходной мощностью более 10 Вт; I.12.4.1.7.4 длиной волны выходного излучения 901320000 свыше 1400 нм и средней или непрерыв- ной мощностью более 1 Вт I.12.4.2. Полупроводниковые лазеры Примечания: 1. Полупроводниковые лазеры обычно назы- ваются лазерными диодами 2. Статус экспортного контроля полупровод- никовых лазеров, специально разработан- ных для другой аппаратуры, определяется статусом этой аппаратуры I.12.4.2.1. Отдельные полупроводниковые одномодовые 901320000 лазеры с поперечной модой, имеющие сред- нюю выходную мощность свыше 100 мВт или длину волны более 1050 нм I.12.4.2.2. Отдельные полупроводниковые многомодовые лазеры с поперечными модами, или масси- вы лазеров с: I.12.4.2.2.1. выходной энергией более 500 мкДж на им- 901320000 пульс-импульсной пиковой мощностью свыше 10 Вт; I.12.4.2.2.2. средней или непрерывной выходной мощ- 901320000 ностью свыше 10 Вт; I.12.4.2.2.3. длиной волны более 1050 нм 901320000 I.12.4.3. Твердотельные лазеры I.12.4.3.1. Перестраиваемые твердотельные лазеры, имеющие следующие характеристики: Примечание Пункт I.12.4.3.1. включает титаново-сапфи- ровые (Ти:Ал2О3), тулий-ЫА (Тм:ЫА ), ту- лий-ЫС (Тм:ЫС ), александрит(Цр:БеАл2О4) лазеры и лазеры с окрашенным центром I.12.4.3.1.1. длина волны излучения менее 600 нм, вы- 901320000 ходная энергия более 50 мДж на импульс, импульсная пиковая мощность более 1 Вт или средняя, или непрерывная выходная мощность более 1 Вт; I.12.4.3.1.2. длина волны 600 нм или более, но не бо- 901320000 лее 1400 нм, выходная энергия более 1 Дж в импульсе, импульсная пиковая мощность свыше 20 Вт или средняя, или непрерывная выходная мощность свыше 20 Вт; I.12.4.3.1.3. длина волны выходного излучения более 901320000 1400 нм, выходная энергия свыше 50 мДж на импульс, импульсная пиковая мощ- ность более 1 Вт или средняя, или непре- рывная выходная мощность более 1 Вт I.12.4.3.2. Неперестраиваемые лазеры Примечание Пункты I.12.4.3.2.-I.12.4.3.2.4.4. включают твердотельные лазеры на атомных переходах I.12.4.3.2.1. Рубиновые лазеры с выходной энергией бо- 901320000 лее 20 Дж в импульсе I.12.4.3.2.2. Лазеры на неодимовом стекле: I.12.4.3.2.2.1. лазеры с модуляцией добротности, имею- 901320000 щие выходную энергию свыше 20 Дж, но не более 50 Дж в импульсе, среднюю выход- ную мощность более 10 Вт или выходную энергию свыше 50 Дж в импульсе; I.12.4.3.2.2.2. лазеры без модуляции добротности, имею- 901320000 щие выходную энергию свыше 50 Дж, но не более 100 Дж в импульсе, среднюю выход- ную мощность более 20 Вт или выходную энергию более 100 Дж в импульсе I.12.4.3.2.3. Лазеры с растворенным неодимом с длиной волны более 1000 нм, но не свыше 1100 нм: Примечание Лазеры с растворенным неодимом и длиной волны излучения менее 1000 нм или более 1100 нм включены в пункт I.12.4.3.2.4. I.12.4.3.2.3.1. лазеры с модуляцией добротности, им- 901320000 пульсным возбуждением и синхронизацией мод с длительностью импульса менее 1 нс, имеющие пиковую мощность более 5 ГВт, среднюю выходную мощность более 10 Вт или импульсную энергию более 0,1 Дж; I.12.4.3.2.3.2. лазеры с модуляцией добротности и син- хронизацией мод с длительностью импуль- са, равной или большей 1 нс, имеющие: I.12.4.3.2.3.2.1. одномодовое излучение, с пико- 901320000 вой мощностью более 100 МВт, средней выходной мощностью более 20 Вт или импульсной энергией свыше 2 Дж; I.12.4.3.2.3.2.2. многомодовое излучение с пиковой 901320000 мощностью более 200 МВт, средней выходной мощностью более 50 Вт или им- пульсной энергией более 2 Дж I.12.4.3.2.3.3. лазеры с импульсным возбуждением без мо- дуляции добротности, имеющие: I.12.4.3.2.3.3.1. одномодовое излучение с пиковой мощ- 901320000 ностью более 500 кВт или средней вы- ходной мощностью более 150 Вт; I.12.4.3.2.3.3.2. многомодовое излучение с пиковой мощ- 901320000 ностью более 1 МВт или средней мощно- стью свыше 500 Вт I.12.4.3.2.3.4. лазеры непрерывного возбуждения, имею- щие: I.12.4.3.2.3.4.1. одномодовое излучение с пиковой мощ- 901320000 ностью более 500 кВт или средней, или непрерывной мощностью свыше 150 Вт; I.12.4.3.2.3.4.2. многомодовое излучение с пиковой мощ- 901320000 ностью более 1 МВт или средней, или не- прерывной мощностью свыше 500 Вт I.12.4.3.2.4. Другие неперестраиваемые лазеры I.12.4.3.2.4.1. неперестраиваемые лазеры с длиной волны 901320000 менее 150 нм, выходной энергией более 50 мДж в импульсе, импульсной пиковой мощ- ностью более 1 Вт или средней, или непре- рывной выходной мощностью более 1 Вт; I.12.4.3.2.4.2 неперестраиваемые лазеры с длиной волны 901320000 не менее 150 нм, но не более 800 нм, вы- ходной энергией более 1,5 Дж на импульс и импульсной пиковой мощностью более 30 Вт или средней, или непрерывной мощностью бо- лее 30 Вт; I.12.4.3.2.4.3. неперестраиваемые лазеры с длиной волны более 800 нм, но не более 1400 нм, а именно: I.12.4.3.2.4.3.1. лазеры с модуляцией добротности с вы- 901320000 ходной энергией более 0,5 Дж в импуль- се и импульсной пиковой мощностью бо- лее 50 Вт или средней выходной мощно- стью, превышающей 10 Вт для одномодо- вых лазеров и 30 Вт для многомодовых лазеров; I.12.4..2.4.3.2. лазеры без модуляции добротности с вы- 901320000 ходной энергией более 2 Дж в импульсе и импульсной пиковой мощностью свыше 50 Вт или средней, или непрерывной вы- ходной мощностью более 50 Вт; I.12.4.3.2.4.4. неперестраиваемые лазеры с длиной волны 901320000 более 1400 нм, выходной энергией более 100 мДж в импульсе и импульсной пиковой мощностью свыше 1 Вт или средней, или не- прерывной мощностью более 1 Вт I.12.4.4. Лазеры на красителях и других жидкостях, имеющие: I.12.4.4.1. длину волны менее 150 нм, выходную энер- 901320000 гию более 50 мДж в импульсе, импульсную пиковую мощность более 1 Вт или среднюю, или непрерывную выходную мощность более 1 Вт; I.12.4.4.2. длину волны 150 нм или более, но не свы- 901320000 ше 800 нм, выходную энергию более 1,5 Дж в импульсе, импульсную пиковую мощность свыше 20 Вт или среднюю, или непрерывную выходную мощность более 20 Вт, или име- ющие генератор одиночной продольной моды со средней выходной мощностью более 1 Вт и частотой повторения более 1 кГц при длительности импульса менее 100 нс; I.12.4.4.3. длину волны более 800 нм, но не свыше 901320000 1400 нм, выходную энергию более 500 мДж в импульсе, импульсную пиковую мощность более 10 Вт или среднюю, или непрерывную выходную мощность более 10 Вт; I.12.4.4.4. длину волны более 1400 нм, выходную 901320000 энергию более 100 мДж в импульсе, им- пульсную пиковую мощность более 1 Вт или среднюю, или непрерывную выходную мощность более 1 Вт I.12.4.5. Лазеры на свободных электронах 901320000 I.12.4.6. Компоненты I.12.4.6.1. Зеркала, охлаждаемые либо активным ох- 901320000; лаждением, либо трубчатой охладительной 900290990 системой Примечание Активным охлаждением является метод ох- лаждения оптических компонент, в котором используется течение жидкости по субпо- верхности (расположенной обычно менее чем в 1 мм от оптической поверхности) опти- ческой компоненты для отвода тепла от оп- тики I.12.4.6.2. Оптические зеркала или прозрачные, или 901320000; частично прозрачные, оптические или элек- 900290990 трооптические компоненты для использова- ния в лазерах, подлежащих экспортному контролю I.12.4.7. Оптическое оборудование I.12.4.7.1. Оборудование для динамического измерения фазы волнового фронта с более 50 позици- ями на волновом фронте луча с: I.12.4.7.1.1. частотой кадра, равной или более 901320000; 100 Гц, и фазовой дискриминацией 5 % 903140000 и более длины волны луча; I.12.4.7.1.2. частотой кадра, равной или более 901320000; 1000 Гц, и фазовой дискриминацией 20 % 903140000 и более длины волны луча I.12.4.7.2. Оборудование лазерной диагностики со 901320000; способностью измерения ошибок управле- 903140000 ния луча лазера сверхвысокой мощности с точностью, равной или менее 10 мкрад I.12.4.7.3. Оптическая аппаратура, узлы и компоненты 901320000; для системы лазера сверхвысокой мощности 903140000 с фазированнным сложением лучей с точно- стью 1/10 длины волны или 0,1 мкм (в за- висимости от того, что меньше) I.12.4.7.4. Защищенные объективы для использования с 901320000; системами лазеров сверхвысокой мощности 900219000 I.12.4.8. Специально разработанное или модифициро- ванное оборудование, включая инструмен- ты, красители, контрольно-измерительные приборы и другие специальные компоненты и вспомогательные элементы: I.12.4.8.1. для производства или осмотра магнитных 901320000; систем и фотоинжекторов лазеров на сво- 901490000 бодных электронах; I.12.4.8.2. для юстировки в пределах требуемой по- 901320000; грешности продольного магнитного поля 901490000 лазеров на свободных электронах I.12.5. Оптоволоконные кабели связи, оптические волокна и специально разработанные ком- поненты и вспомогательное оборудование I.12.5.1. Оптические волокна или кабели, длиной свы- выше 50 м: I.12.5.1.1. разработанные для функционирования в 900110900; одномодовом режиме; 901320000 I.12.5.1.2. способные выдерживать напряжение (меха- 900110900; ническое) 2*109 Н/кв.м или более в 901320000 контрольном тесте Примечание Контрольный тест: проверка на стадиях изготовления или после изготовления за- ключается в приложении заданного напря- жения к волокну длиной от 0,5 до 3 м на скорости хода от 2 до 5 м/с при прохож- дении между ведущими валами приблизитель- но 150 мм в диаметре. Окружающая темпера- тура имеет номинальное значение 293 К о (20 С) и относительная влажность равна 40 % I.12.5.2. Компоненты и вспомогательное оборудова- 900110900; ние, специально разработанные для опти- 901320000 ческих волокон или кабелей, указанных в пункте I.12.5.1., за исключением соеди- нителей для использования с оптическими волокнами или кабелями, имеющими потери соединения 0,5 дБ или более I.12.5.3. Оптоволоконные кабели и вспомогательное 900110900; оборудование, разработанные для использо- 901320000 вания под водой (для оптоволоконных соеди- нителей и измерителей излучения экспортный контроль осуществляется в соответствии с пунктами I.13.2.1.3. и I.13.2.3.) I.12.5.4. Кабель из волокон на основе соединений 900110900 фтора или оптические волокна с поглоще- нием менее 4 дБ/км в диапазоне длин волн более 1000 нм, но не более 3000 нм Раздел I.13. Транспортные средства и специально разработанное для них оборудование I.13.1. Подводные аппараты или надводные суда I.13.1.1. Пилотируемые человеком, управляемые по 890600910 проводам подводные аппараты, спроектиро- ванные для операций на глубинах, превы- шающих 1000 м I.13.1.2. Пилотируемые человеком, неуправляемые по проводам подводные аппараты: I.13.1.2.1. спроектированные для автономного плава- 890600910 ния и имеющие характеристику по подъем- ной силе 10 % или более их собственного веса (веса в воздухе) или 15 кН или более; Примечания: 1. При автономном плавании аппарат полно- стью погружается без шнорхеля, все сис- темы функционируют и обеспечивают пла- вание при минимальной скорости, при ко- торой погружение может безопасно управ- ляться (с учетом необходимой динамики по глубине погружения) с использованием только глубинных рулей, без участия над- водных судов поддержки или базы (бере- говой или корабля-матки), аппарат имеет двигательную систему для движения в по- груженном или надводном состоянии. 2. Подъемная сила задается для полезной нагрузки без учета массы экипажа I.13.1.2.2. спроектированные для плавания на глуби- 890600910 нах, превышающих 1000 м; I.13.1.2.3. спроектированные для экипажа из 4 и 890600910 более человек, предназначенные для ав- тономного плавания в течение 10 часов и более, имеющие радиус действия 25 морских миль или более и длину 21 м или менее Примечание Радиус действия равен половине макси- мального расстояния, которое аппарат может преодолеть в погруженном состоя- нии I.13.1.3. Непилотируемые человеком, управляемые по проводам подводные аппараты, спроек- тированные для плавания на глубинах, превышающих 1000 м: I.13.1.3.1. спроектированные для самоходного манев- 890600910 ра, используя двигатели и ускорители, указанные в пункте I.13.2.1.2.; I.13.1.3.2. имеющие оптоволоконные линии обмена 890600910 данными I.13.1.4. Непилотируемые человеком, неуправляемые по проводам подводные аппараты: I.13.1.4.1. спроектированные для решения задачи до- 890600910 стижения (прокладки курса) любого гео- графического ориентира без участия чело- века в реальном масштабе времени; I.13.1.4.2. имеющие канал передачи акустических 890600910 данных или команд; I.13.1.4.3. имеющие оптоволоконную линию передачи 890600910 данных или линию передачи команд, пре- вышающую по длине 1000 м I.13.1.5. Океанские системы спасения с подъемной силой, превышающей 5 МН, для спасения объектов с глубин, превышающих 250 м, имеющие одну из следующих характеристик: I.13.1.5.1. системы динамического управления по- 890590100; ложением, способные стабилизироваться в 890600910 пределах (внутри) 20 м относительно заданной точки, фиксируемой навига- ционной системой; I.13.1.5.2. системы придонной навигации и навигаци- 890590100; онной интеграции для глубин, превышающих 890600910 1000 м, с точностью обеспечения положения в пределах (внутри) 10 м относительно заданной точки I.13.1.6. Суда с поверхностным эффектом (с полнос- 890600910 тью изменяемой поверхностной конфигура- цией),обладающие максимальной проектной скоростью, превышающей при полной загрузке 30 узлов, при высоте волны 1,25 м (Морская статья 3) или более, с амортизирующим дав- лением свыше 3830 Па и соотношением водо- измещения незагруженного и полнозагружен- ного судна менее 0,7 I.13.1.7. Суда с поверхностным эффектом (с неизме- 890600910 няемой поверхностной конфигурацией) с максимальной проектной скоростью, превы- шающей при полной загрузке 40 узлов, при высоте волны 3,25 м (Морская статья 5) или более I.13.1.8. Суда с гидрокрылом и активными система- 890600910 ми для автоматического управления крылом с максимальной проектной скоростью при полной загрузке в 40 узлов или более и высоте волны 3,25 м (Морская статья 5) или более I.13.1.9. Суда на небольшом подводном крыле : I.13.1.9.1. водоизмещением при полной загрузке, 890600910 превышающим 500 т, с максимальной проектной скоростью, превышающей при полной загрузке 35 узлов при высоте волны 3,25 м (Морская статья 5) или более; I.13.1.9.2. водоизмещением при полной загрузке, 890600910 превышающим 1500 т, с максимальной проектной скоростью при полной загрузке, превышающей 25 узлов, при высоте волны 4 м (Морская статья 6) или более Примечание Судно на небольшом подводном крыле опре- деляется следующей формулой:

площадь это- го крыла при известном значении водоиз- мещения при операционной проектной осадке меньше 2*V2/3 (где V-водоизмещение при операционной проектной осадке) I.13.2. Системы и оборудование для транспортных средств I.13.2.1. Системы или оборудование, специально спроектированные или модифицированные для подводных судов, спроектированных для плавания на глубинах, превышающих 1000 м: I.13.2.1.1. помещения под давлением или корпуса под 890590100; давлением с максимальным внутренним 890600900 диаметром камеры, превышающим 1,5 м; I.13.2.1.2. электродвигатели постоянного тока или 850133910; тяговые двигатели; 850134500; 850134990 I.13.2.1.3. кабельные разъемы и соединители, в том 854800000; числе использующие оптоволокно и име- 901390000 ющие силовые элементы из синтетических материалов I.13.2.2. Системы, специально спроектированные или модифицированные, для автоматического уп- равления движением подводных судов, ука- занных в пунктах I.13.1.-I.13.1.5.2., ис- пользующие навигационные данные и имеющие закрытые с обратной связью серво-контро- лирующие средства: I.13.2.2.1. способные управлять движением судна в 901480000 пределах (внутри) 10 м относительно за- данной точки водяного столба; I.13.2.2.2. позволяющие поддерживать положение 901480000 судна в пределах (внутри) 10 м отно- сительно заданной точки водяного столба; I.13.2.2.3. позволяющие поддерживать положение 901480000 судна в пределах (внутри) 10 м при следовании наморском аппарате-матке или на тросе (кабеле) под ним I.13.2.3. Оптоволоконные корпусные разъемы или со- 901390000 единители, специально спроектированные для применения под водой I.13.2.4. Кромки, корпуса, уплотнения и выдвижные элементы, имеющие следующие характерис- тики: I.13.2.4.1. спроектированные для внешних давлений в 847990980; 3830 Па или более, функционирующие при 890600910 высоте волны 1,25 м (Морская статья 3) или более и специально спроектированные для судов с поверхостным эффектом (пол- ностью изменяемой поверхностной конфи- гурацией), указанных в пункте I.13.1.6.; I.13.2.4.2. спроектированные для внешних давлений 847990980; в 6224 Па или более, функционирую- 890600910 щие при высоте волны 3,25 м (Морская статья 5) или более и специально спроектированные для судов с поверхостным эффектом (с неизменяемой поверхностной конфигурацией), указанных в пункте I.13.1.7. I.13.2.5. Полностью погружаемые подкавитационные 847990980; или суперкавитационные гидрокрылья для 890600910 судов, указанных в пункте I.13.1.8. I.13.2.6. Активные системы компенсации движения 847990980; морской среды, специально спроектиро- 890600910 ванные или модифицированные для обес- печения автоматического управления лод- ками или судами, указанными в пунктах I.13.1.6.-I.13.1.9. Раздел I.14. Испытательное оборудование I.14.1. Гидроканалы, имеющие шумовой фон менее 903120000 100 дБ (эталон - 1 мкПа, 1 Гц) в час- тотном диапазоне от 0 до 500 Гц, спро- ектированные для измерения акустических полей, генерируемых гидропотоком около моделей системы движителя I.14.2. Измерительно-информационные системы , ра- ботающие в реальном масштабе времени, ин- струменты (включая датчики) или автомати- ческие накопители данных, специально раз- работанные для использования в следующих аэродинамических трубах или установках: I.14.2.1. в устройствах для моделирования набегаю- 903120000 щего потока с числами Маха, превышающими 5, включая тепловые, плазменно-дуговые и ударные аэродинамические трубы, а также аэродинамические трубы с газовым поршнем и газовые пушки; I.14.2.2. в аэродинамических трубах или установ- 903120000 ках, отличных от двумерных, способных моделировать обтекание потоками при числах Рейнольдса свыше 25*106 I.14.3. Датчики, специально разработанные для 902519990 непосредственного измерения поверхност- ного трения на стенке в потоке с темпе- о ратурой торможения свыше 833 К (560 С) Раздел I.15. Робототехника I.15.1. Роботы, специально спроектированные для подводного применения, управляемые с использованием программно-управляе- мой специализированной ЭВМ I.15.1.1. Роботы, имеющие системы, управляющие 847989500 с использованием информации от датчи- ков, которые измеряют усилие или момент вращения, прикладываемые к внешнему объ- екту, расстояние до внешнего объекта или контактное (тактильное) взаимодействие между роботом и внешним объектом I.15.1.2. Роботы, способные создавать усилие в 847989500 250 Н или более, или момент вращения 250 Н*м или более, и использующие спла- вы на основе титана или волоконные, или нитевидные композиционные материалы в элементах конструкции I.15.2. Дистанционно управляемые шарнирные ма- нипуляторы, специально спроектированные или модифицированные для использования с подводными судами I.15.2.1. Манипуляторы, имеющие системы, использую- 847989500 щие информацию от датчиков, измеряющих усилие или момент вращения, прикладывае- мые к внешнему объекту, или контактное (тактильное) взаимодействие между мани- пулятором и внешним объектом I.15.2.2. Манипуляторы, управляемые способами про- 847989500 порционального управления "ведущий-ведо- мый" или с применением программно-управ- ляемой специализированной ЭВМ, и имеющие пять или более степеней свободы движения Примечание При определении количества степеней сво- боды движения в расчет принимаются толь- ко функции, имеющие пропорциональное уп- равление с применением позиционной обрат- ной связи или с применением программного компьютера, обеспеченного библиотекой программ Раздел I.16. Радиоэлектроника I.16.1. Электронные приборы и элементная база I.16.1.1. Интегральные схемы Примечания: 1. Необходимость экспортного контроля на готовые пластины или полуфабрикаты, на которых воспроизведена конкретная фун- кция, оцениваются по параметрам, ука- занным в пунктах I.16.1.1.-I.16.1.1.8.2. 2. Понятие "интегральные схемы" включа- ет в себя следующие типы: твердотельные интегральные схемы; гибридные интегральные схемы; многокристаллические интегральные схемы; пленочные интегральные схемы, вклю- чая интегральные схемы типа "кремний на сапфире"; оптические интегральные схемы I.16.1.1.1. Микропроцессорные микросхемы, микро- компьютерные микросхемы и микросхемы микроконтроллеров, имеющие хотя бы одну из следующих характеристик: Примечания: 1. Экспортный контроль по пункту I.16.1.1.1. не распространяется на кремниевые микро- компьютерные микросхемы и микросхемы мик- роконтроллеров, имеющие длину операнда (данных) 8 бит и менее 2. Пункт I.16.1.1.1. включает в себя цифровые сигнальные процессоры, ци- фровые матричные процессоры и цифро- вые сопроцессоры I.16.1.1.1.1. разрядность внешней шины данных превы- 854211870 шает 32 бита, либо разрядность доступа к арифметико-логическому устройству пре- вышает 32 бита; I.16.1.1.1.2. тактовая частота превышает 40 МГц; 8542 I.16.1.1.1.3. внешняя шина данных имеет разрядность 854211870 32 бита и более, а производительность равна 12,5 млн. команд в секунду и бо- лее; Примечание Если производительность не определена, следует воспользоваться величиной, об- ратной средней длительности команды (в микросекундах) I.16.1.1.1.4. процессор параллельного типа оснащен 854211760 для внешнего подключения более чем од- ной шиной данных или команд, или пос- ледовательным портом связи с пропуск- ной способностью свыше 2,4 Мбайт/с I.16.1.1.2. Интегральные схемы памяти I.16.1.1.2.1. Электрически перепрограммируемые полу- 854211720 постоянные запоминающие устройства с емкостью памяти, превышающей 1 Мбит на один корпус, или превышающей 256 кбит на один корпус, и имеющие максимальное время доступа менее 80 нс I.16.1.1.2.2. Статические запоминающие устройства с 854211550 произвольной выборкой с емкостью памя- ти, превышающей 1 Мбит на один корпус, или превышающей 256 кбит на один кор- пус, и имеющие максимальное время дос- тупа менее 25 нс I.16.1.1.2.3. Интегральные схемы памяти, изготовлен- 854211760 ные на основе сложного полупроводника I.16.1.1.3. Электронно-оптические или оптические 854219 интегральные схемы для обработки сиг- налов, имеющие: один внутренний лазерный диод или более; один внутренний светочувствительный элемент или более; оптические волноводы I.16.1.1.4. Программируемые у пользователя базовые матричные кристаллы, имеющие хотя бы одну из следующих характеристик: I.16.1.1.4.1. эквивалентное количество вентилей 854211300 свыше 30000 (в пересчете на двух- входовые); I.16.1.1.4.2. типовое время задержки распростра- 854211300 нения сигнала в базовом вентиле менее 0,4 нс I.16.1.1.5. Программируемые у пользователя логи- ческие матрицы, имеющие хотя бы одну из следующих характеристик: I.16.1.1.5.1. эквивалентное количество вентилей 854211910 свыше 5000 (в пересчете на двухвхо- довые); I.16.1.1.5.2. частота переключения превышает 100 854211910 МГц I.16.1.1.6. Интегральные схемы для нейронных сетей 854219 I.16.1.1.7. Заказные интегральные схемы, имеющие хотя бы одну из следующих характеристик: I.16.1.1.7.1. число выводов свыше 144; 854219 I.16.1.1.7.2. типовое время задержки распростра- 854219 нения сигнала в базовом вентиле менее 0,4 нс; I.16.1.1.7.3. рабочая частота свыше 3 ГГц 854219 I.16.1.1.8. Цифровые интегральные схемы, отличаю- щиеся от описанных в пунктах I.16.1.1.1. -I.16.1.1.7., созданные на основе любо- го сложного полупроводника и имеющие хо- тя бы одну из следующих характеристик: I.16.1.1.8.1. эквивалентное количество вентилей 854211990 свыше 300 (в пересчете на двухвхо- довые); I.16.1.1.8.2. частота переключения свыше 1,2 ГГц 854211990 I.16.1.2. Приборы микроволнового или миллиметро- вого диапазона I.16.1.2.1. Электронные вакуумные лампы и катоды Примечание Экспортный контроль по пункту I.16.1.2.1. не распространяется на лампы, предназна- ченные для работы в стандартном диапазоне частот гражданской телекоммуникации, с час- тотами, не превышающими 31 ГГц I.16.1.2.1.1. Лампы бегущей волны импульсного или не- прерывного действия: I.16.1.2.1.1.1. работающие на частотах свыше 31 ГГц; 854049000 I.16.1.2.1.1.2. имеющие элемент подогрева катода со 854049000 временем от включения до выхода лам- пы на номинальную радиочастотную мощ- ность менее 3 с; I.16.1.2.1.1.3. с сопряженными резонаторами или их 854049000 модификации; I.16.1.2.1.1.4. со спиралью или их модификации, имеющие хотя бы один из следующих признаков: I.16.1.2.1.1.4.1. мгновенная ширина полосы частот 854049000 составляет пол-октавы и более, и произведение номинальной средней выходной мощности (в киловаттах) на максимальную рабочую частоту (в ГГц) превышает 0,2; I.16.1.2.1.1.4.2. мгновенная ширина полосы частот 854049000 составляет менее пол-октавы и про- изведение номинальной средней вы- ходной мощности (в киловаттах) на максимальную рабочую частоту (в ГГц) превышает 0,4; I.16.1.2.1.1.4.3. по техническим условиям пригодны 854049000 для космического применения I.16.1.2.1.2. СВЧ-приборы-усилители магнетронного типа 854041000 с коэффициентом усиления более 17 дБ I.16.1.2.1.3. Импрегнированные катоды для электронных ламп, имеющие хотя бы один из следующих признаков: I.16.1.2.1.3.1. время от включения до выхода на номи- 854049000 нальную эмиссию менее 3 с; I.16.1.2.1.3.2. плотность тока при непрерывной эмиссии 854049000 и штатных условиях функционирования свы- ше 5 А/кв.см I.16.1.2.2. Интегральные схемы или модули микровол- 854049000 нового диапазона, содержащие твердо- тельные интегральные схемы, работающие на частотах свыше 31 ГГц Примечание Экспортный контроль по пункту I.16.1.2.2. не распространяется на схемы или модули для оборудования, разработанного или пригод- ного для работы в стандартном диапазоне частот гражданской телекоммуникации, с частотами, не превышающими 31 ГГц I.16.1.2.3. Микроволновые транзисторы, предназна- 854049000 ченные для работы на частотах, превы- шающих 31 ГГц I.16.1.2.4. Микроволновые твердотельные усилители: I.16.1.2.4.1. работающие на частотах свыше 10,5 ГГц 854049000 и имеющие ширину рабочей полосы частот более пол-октавы; I.16.1.2.4.2. работающие на частотах свыше 31 ГГц 854049000 Примечания: Экспортный контроль по пункту I.16.1.2.4. не распространяется на усилители: 1. Специально спроектированные для меди- цинских целей 2. Специально спроектированные для про- стых учебных приборов 3. Имеющие выходную мощность не более 10 Вт и специально спроектированные для: промышленных или гражданских сис- тем защиты периметра, обнаружения посторонних лиц, охранной сиг- нализации; автодорожных или промышленных сис- тем управления движением и систем подсчета; систем обнаружения экологического загрязнения воздуха или воды I.16.1.2.5. Полосовые или заграждающие фильтры с 854049000 электронной или магнитной настройкой, имеющие свыше 5 настраиваемых резонато- ров, обеспечивающих настройку в полосе частот с соотношением максимальной и минимальной частот 1,5/1 менее чем за 10 мкс, причем полоса пропускания сос- тавляет более 0,5 % от резонансной час- тоты или полоса подавления составляет менее 0,5 % от резонансной частоты I.16.1.2.6. Микроволновые сборки, способные рабо- 854049000 тать на частотах, превышающих 31 ГГц I.16.1.2.7. Гибкие волноводы, спроектированные для 852910700 использования на частотах свыше 40 ГГц I.16.1.3. Приборы на акустических волнах и специ- ально спроектированные для них компонен- ты I.16.1.3.1. Приборы на поверхностных акустических волнах и на акустических волнах в тон- кой подложке (т.е. приборы для обработ- ки сигналов, использующие упругие волны в материале), имеющие хотя бы один из следующих признаков: Примечание Экспортный контроль по пункту I.16.1.3.1. не распространяется на приборы, специально спроектированные для бытовой электроники или развлечений I.16.1.3.1.1. несущая частота превышает 1 ГГц; 854160000 I.16.1.3.1.2. несущая частота 1 ГГц и менее, частот- 854160000 ное подавление боковых лепестков диаг- раммы направленности превышает 55 дБ, произведение максимального времени за- держки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) больше 100 или задержка распро- странения превышает 10 мкс I.16.1.3.2. Приборы на объемных акустических волнах 854160000 (т.е. приборы для обработки сигналов, использующие упругие волны в материа- ле), обеспечивающие непосредственную обработку сигналов на частотах свыше 1 ГГц I.16.1.3.3. Акустооптические приборы обработки 854160000 сигналов, использующие взаимодействие между акустическими волнами (объемными или поверхностными) и световыми волна- ми, что обеспечивает непосредственную обработку сигналов или изображения, включая анализ спектра, корреляцию или свертку Примечание Экспортный контроль по пункту I.16.1.3.3. не распространяется на приборы, специально спроектированные для гражданского телевиде- ния, видео- или амплитудно модулированной и частотно модулированной широковещательной аппаратуры I.16.1.4. Электронные приборы или схемы, содержа- щие элементы, изготовленные из сверх- проводящих материалов, специально спро- ектированные для работы при температурах ниже критической температуры хотя бы одной из сверхпроводящих составляющих, имеющие хотя бы один из следующих приз- наков: I.16.1.4.1. наличие электромагнитного усиления на 854280000 частотах, равных или ниже 31 ГГц, с уровнем шумов ниже 0,5 дБ или на час- тотах свыше 31 ГГц; I.16.1.4.2. наличие токовых переключателей для циф- 854280000 ровых схем, использующих сверхпроводя- щие вентили, у которых произведение вре- мени задержки на вентиль (в секундах) на рассеяние мощности на вентиль ( в ваттах) ниже 10-14 Дж; I.16.1.4.3. обеспечение селекции частоты на всех диа- 854280000 пазонах частот с использованием резонанс- ных контуров с добротностью свыше 10000 I.16.1.5. Вращающиеся преобразователи абсолютного углового положения вала в код, имеющие хотя бы один из следующих признаков: I.16.1.5.1. разрешение лучше чем 1/265000 от полно- 854390900 го диапазона (18 бит); I.16.1.5.2. точность лучше чем +2,5 угл.с 854390900 I.16.2. Электронная аппаратура общего назначе- ния I.16.2.1. Записывающая аппаратура I.16.2.1.1. Накопители на магнитной ленте для ана- 852039900 логовой аппаратуры, включая накопители с возможностью записи цифровых сигналов (т.е. использующие модуль цифровой за- писи высокой плотности), имеющие хотя бы один из следующих признаков: I.16.2.1.1.1. полоса частот превышает 4 МГц на элек- 852039900 тронный канал или дорожку; I.16.2.1.1.2. полоса частот превышает 2 МГц на элек- 852039900 тронный канал или дорожку при числе до- рожек более 42; I.16.2.1.1.3. ошибка рассогласования временной шкалы 852039900 менее +0,1 мкс I.16.2.1.2. Цифровые видеомагнитофоны, имеющие ма- 852110 ксимальную пропускную способность циф- 852190000 рового интерфейса свыше 180 Мбит/с, кроме специально спроектированных для телевизионной записи по стандартам или рекомендациям для гражданского телеви- дения I.16.2.1.3. Накопители на магнитной ленте для циф- ровой аппаратуры, имеющие хотя бы один из следующих признаков: I.16.2.1.3.1. максимальная пропускная способность ци- 852110 фрового интерфейса свыше 60 Мбит/с и использование методов спирального скани- рования; I.16.2.1.3.2. максимальная пропускная способность ци- 852110 фрового интерфейса свыше 120 Мбит/с и использование фиксированных магнитных головок; I.16.2.1.3.3. по техническим условиям пригодны для 852110 космического применения Примечание Экспортный контроль по пункту I.16.2.1.3. не распространяется на аналоговые накопи- тели на магнитной ленте, оснащенные элек- троникой для преобразования в цифровую запись высокой плотности и предназначенные для записи только цифровых данных I.16.2.1.4. Аппаратура с максимальной пропускной 852190000 способностью цифрового интерфейса свыше 60 Мбит/с, спроектированная для пере- делки цифровых видеомагнитофонов в уст- ройства записи данных цифровой аппара- туры I.16.2.2. Сборки синтезаторов частоты, имеющие 854380900 время переключения с одной заданной частоты на другую менее 1 мс I.16.2.3. Анализаторы сигналов: I.16.2.3.1. способные анализировать частоты, пре- 854380900 вышающие 31 ГГц I.16.2.3.2. динамические анализаторы сигналов с по- 854380900 лосой пропускания в реальном масштабе времени, превышающей 25,6 кГц, кроме тех, которые используют фильтры с поло- сой пропускания фиксированных долей (из- вестные также как октавные или дробно- октавные фильтры) I.16.2.4. Генераторы сигналов синтезированных ча- стот, формирующие выходные частоты с управлением по параметрам точности, кратковременной и долговременной ста- бильности, на основе или с помощью внут- ренней эталонной частоты, имеющие хотя бы один из следующих признаков: I.16.2.4.1. максимальная синтезируемая частота пре- 854320000 вышает 31 ГГц; I.16.2.4.2. время переключения частоты с одной за- 854320000 данной частоты на другую менее 1 мс; I.16.2.4.3. фазовый шум одной боковой полосы (ОБП) 854320000 лучше, чем -(126 + 20 лг( ) - 20 лг(ф) в единицах дБ/Гц, где - смещение ра- бочей частоты в Гц, а ф - рабочая час- тота в МГц Примечание Экспортный контроль по пункту I.16.2.4. не распространяется на аппаратуру, в ко- торой выходная частота либо создается путем сложения или вычитания частот с двух и более кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычитания с последующим умноже- нием результирующей частоты I.16.2.5. Сетевые анализаторы с максимальной ра- 854380900 бочей частотой, превышающей 31 ГГц Примечание Экспортный контроль по пункту I.16.2.5. не распространяется на сетевые анализа- торы с качающейся частотой, рабочая час- тота которых не превосходит 40 ГГц, и ко- торые имеют шины данных для интерфейса дистанционного управления I.16.2.6. Приемники-тестеры микроволнового диапа- 852790990 зона, имеющие максимальную рабочую час- тоту более 31 ГГц и способные одновре- менно измерять амплитуду и фазу I.16.2.7. Атомные эталоны частоты, имеющие хотя бы один из следующих признаков: I.16.2.7.1. долговременная стабильность (старение) 854320000 менее (лучше)1*10-11/мес; I.16.2.7.2. по техническим условиям пригодны для 854320000 космического применения Примечание Экспортный контроль по пункту I.16.2.7.1. не распространяется на рубидиевые этало- ны, не предназначенные для космического применения I.16.2.8. Эмуляторы микросхем, указанных в пунктах 854380900 I.16.1.1.1. или I.16.1.1.6. Примечание Экспортный контроль по пункту I.16.2.8. не распространяется на эмуляторы, спро- ектированные под семейство, содержащее хотя бы один прибор, не подлежащий экс- портному контролю по пунктам I.16.1.1.1. или I.16.1.1.6. I.16.3. Оборудование для производства и испы- тания полупроводниковых приборов I.16.3.1. Снабженные программно-управляемым за- поминающим устройством установки для эпитаксиального выращивания I.16.3.1.1. Установки для эпитаксиального выращива- 841989900 ния, способные выдерживать толщину эпи- таксиального слоя с отклонением не более +2,5 % на протяжении не менее 75 мм вдоль пластины I.16.3.1.2. Установки химического осаждения металл- 841989900 органических паров, специально предназ- наченные для выращивания кристаллов сложных полупроводников с помощью хими- ческих реакций материалов, указанных в пунктах I.6.11.-I.6.11.4. или I.6.12. I.16.3.1.3. Установки молекулярно-лучевой эпитаксии, 841780100 использующие газовые источники I.16.3.2. Многофункциональные фокусируемые ионно- лучевые системы, снабженные программно- управляющим запоминающим устройством, специально спроектированные для произ- водства, ремонта, анализа физической топологии и тестирования масок или по- лупроводниковых приборов, имеющие хотя бы один из следующих признаков: I.16.3.2.1. точность управления положением пучка 845610000 на мишени 0,25 мкм или лучше; I.16.3.2.2. разрешающая способность цифро-аналого- 845610000 вого преобразования свыше 12 бит I.16.3.3. Многокамерный центр обработки полупро- 845610000; водниковых пластин с автоматической 845690000 загрузкой и программно-управляющим за- поминающим устройством, имеющий уст- ройства для загрузки и выгрузки плас- тин, к которому должны быть присоеди- нены более двух установок технологи- ческой обработки полупроводников, об- разующих комплексную вакуумированную си- стему для последовательной многопози- ционной обработки пластин Примечание Экспортный контроль по пункту I.16.3.3. не распространяется на автоматические ро- бототехнические системы обработки плас- тин, не предназначенные для работы в вакууме I.16.3.4. Установки литографии, снабженные прог- раммно-управляющим запоминающим устрой- ством I.16.3.4.1. Установки многократного совмещения и экспонирования для обработки пластин методами фотооптической или рентгенов- ской литографии, имеющие хотя бы один из следующих признаков: I.16.3.4.1.1. наличие источника освещения с длиной 900922900 волны короче 400 нм; I.16.3.4.1.2. цифровая апертура свыше 0,40; 900922900 I.16.3.4.1.3. точность совмещения +0,20 мкм (3 сиг- 900922900 ма) или лучше Примечание Экспортный контроль по пункту I.16.3.4.1. не распространяется на установки много- кратного совмещения и экспонирования, име- ющие длину волны источника освещения 436 нм или больше, цифровую апертуру 0,38 или мень- ше, диаметр изображения 22 мм и меньше I.16.3.4.2. Установки, специально спроектированные для производства масок или обработки по- лупроводниковых приборов с использова- нием отклоняемого фокусируемого элект- ронного пучка, ионного пучка или лазер- ного пучка, имеющие хотя бы один из следующих признаков: I.16.3.4.2.1. размер пятна меньше чем 0,2 мкм; 845610000 I.16.3.4.2.2. способность производить структуру с 845610000 минимальными размерами менее 1 мкм; I.16.3.4.2.3. точность совмещения лучше +0,2 мкм 845610000 (3 сигма) I.16.3.5. Маски или фотошаблоны I.16.3.5.1. Маски или фотошаблоны для интегральных 901090000 схем, указанных в пунктах I.16.1.- I.16.1.1.8.2. I.16.3.5.2. Многослойные маски, оснащенные фазосдви- 901090000 гающим слоем I.16.3.6. Испытательная аппаратура, снабженная про- граммно-управляющим запоминающим устройст- вом, специально спроектированная для испы- тания полупроводниковых приборов и бескор- пусных кристаллов I.16.3.6.1. Аппаратура для замера параметров матрицы 903180390 рассеяния на частотах свыше 31 ГГц I.16.3.6.2. Аппаратура для испытания интегральных 903180390 схем и их сборок, способная выполнять функциональное тестирование (по таблицам истинности) с частотой тестирования строк свыше 40 МГц Примечание Экспортный контроль по пункту I.16.3.6.2. не распространяется на аппаратуру, специ- ально спроектированную для испытаний: сборок или класса сборок для быто- вой электроники или развлечений; электронных компонентов, сборок или интегральных схем, не подлежащих экс- портному контролю I.16.3.6.3. Аппаратура для испытания микроволновых 903180390 интегральных схем на частотах, превыша- ющих 31 ГГц Примечание Экспортный контроль по пункту I.16.3.6.3. не распространяется на аппаратуру, специ- ально спроектированную для испытаний мик- роволновых интегральных схем, для обору- дования, предназначенного или пригодного по техническим условиям для работы в стан- дартном гражданском диапазоне на частотах, не превышающих 31 ГГц I.16.3.6.4. Электронно-лучевые системы, спроектиро- 903180390 ванные для работы при энергиях ниже 3 кэВ, или лазерные лучевые системы для бесконтактного зондирования запитанных полупроводниковых приборов, имеющие од- новременно стробоскопический режим либо с затенением луча, либо с детекторным стробированием и электронный спектрометр для замера напряжений менее 0,5 В Примечание Экспортный контроль по пункту I.16.3.6.4. не распространяется на сканирующие элек- тронные микроскопы, кроме тех, которые специально спроектированы и оснащены для бесконтактного зондирования запитанных полупроводниковых приборов I.16.4. Радиолокационные станции (РЛС), аппара- тура, узлы и специально разработанные компоненты: Примечание Экспортный контроль по пункту I.16.4. не распространяется на: РЛС с активным ответом; автомобильные РЛС для предотвращения столкновений; дисплеи и мониторы, используемые для контроля воздушного движения, имеющие разрешение не более 12 элементов на мм I.16.4.1. РЛС, работающие на частотах от 40 ГГц до 852610900 230 ГГц и имеющие среднюю выходную мощ- ность более 100 мВт I.16.4.2. РЛС, рабочая частота которых может пере- 852610900 страиваться в пределах более чем +6,25 % от центральной рабочей частоты Примечание Центральная рабочая частота равна полу- сумме наибольшей и наименьшей несущих частот, на которых может работать РЛС I.16.4.3. РЛС, имеющие возможность работать на 852610900 двух или более несущих частотах I.16.4.4. РЛС воздушного базирования, имеющие воз- 852610900 можность функционирования в режимах син- тезированной апертуры, обратной синтези- рованной апертуры или бокового обзора I.16.4.5. РЛС, включающие фазированные антенные 852610900 решетки для электронного управления лу- чом I.16.4.6. РЛС, обладающие способностью нахождения 852610900 высотных одиночных целей Примечание Экспортный контроль по пункту I.16.4.6. не распространяется на аппаратуру РЛС точной посадки, удовлетворяющую стандар- там ИКАО, и метеорологические (погодные) РЛС I.16.4.7. РЛС, предназначенные специально для воз- 852610900 душного базирования и имеющие доплеров- скую обработку сигнала для обнаружения движущихся целей I.16.4.8. РЛС, использующие обработку сигнала ме- 852610900 тодами расширения спектра или перес- тройки частоты I.16.4.9. РЛС, обеспечивающие наземное функциони- 852610900 рование с максимальной инструментальной дальностью свыше 185 км Примечание Экспортный контроль по пункту I.16.4.9. не распространяется на наземные РЛС наблюдения рыбных косяков I.16.4.10. Лазерные локационные станции или ла- зерные дальномеры (ЛИДАРы): I.16.4.10.1. имеющие космическое применение; 901380000 I.16.4.10.2. использующие методы когерентного гете- 901380000 родинного или гомодинного детектирова- ния и имеющие угловое разрешение менее (лучше) 20 мкрад Примечание Экспортный контроль по пунктам I.16.4.10.-I.16.4.10.2 не распрост- раняется на ЛИДАРы, специально спро- ектированные для метеорологических наблюдений I.16.4.11. РЛС, имеющие подсистемы обработки сиг- 852610900 нала в виде сжатия импульса с коэффи- циентом сжатия свыше 150 или шириной импульса менее 200 нс I.16.4.12. РЛС, имеющие подсистемы обработки дан- ных: I.16.4.12.1. с автоматическим сопровождением целей, 852610900 обеспечивающим при любом вращении антен- ны предполагаемое положение цели далее, чем до следующего прохождения луча ан- тенны; Примечание Экспортный контроль по пункту I.16.4.12.1. не распространяется на средства выдачи сиг- нала для предупреждения столкновений в сис- темах контроля воздушного движения, морских или прибрежных РЛС I.16.4.12.2. с вычислением скорости цели относитель- 852610900 но РЛС, имеющей непериодическое сканиро- вание; I.16.4.12.3. для автоматического распознавания обра- 852610900 зов (выделение признаков) и сравнения с базами данных характеристик цели (сигна- лов или образов) для идентификации или классификации целей; I.16.4.12.4. с наложением, корреляцией или слиянием 852610900 данных цели от двух или более простран- ственно распределенных на местности и взаимосвязанных датчиков РЛС для улучше- ния различения целей Примечание Экспортный контроль по пункту I.16.4.12.4. не распространяется на системы, оборудование и узлы для контроля морского движения I.16.4.13. Импульсные РЛС измерения площади попе- 852610900 речного сечения с длительностью импуль- са 100 нс или менее и специальными ком- понентами I.16.4.14. Антенные фазированные решетки, функцио- 852910900 нирующие на частотах выше 10,5 ГГц, со- держащие активные элементы и распреде- ленные компоненты, позволяющие осущест- влять электронное управление формой и направлением луча, за исключением систем посадки с аппаратурой, удовлетворяющей стандартам ИКАО (система посадки СВЧ- диапазона) I.16.5. Телекоммуникационная аппаратура, узлы и компоненты I.16.5.1. Любой тип телекоммуникационного оборудо- вания, имеющего хотя бы одну из перечис- ленных характеристик, свойств или ка- честв: I.16.5.1.1. специально разработанное для защиты от 8517; транзисторного эффекта или электромаг- 852520900; нитного импульса, возникающих при ядер- 852790990; ном взрыве; 854380900 I.16.5.1.2. специально разработанное с повышенной 8517; стойкостью к гамма, нейтронному или ион- 852520900; ному излучению; 852790990; 854380900 I.16.5.1.3. специально разработанное для функциони- 8471; рования за пределами интервала темпера- 852520900; о о тур от 219К (-54 С) до 397К (124 С) 852790990; 854380900 Примечания: 1. Пункт I.16.5.1.3. применяется только в отношении к электронной аппаратуре 2. Пункты I.16.5.1.2. и I.16.5.1.3. не применяются в отношении к бортовой аппаратуре спутников I.16.5.2. Телекоммуникационная аппаратура передачи или специально разработанные компоненты и вспомогательное оборудование, содержа- щие: Примечание К телекоммуникационной аппаратуре пере- дачи, указанной в пунктах I.16.5.2.1.- I.16.5.2.11.3., относится аппаратура: а) определяемая по одной из следующих категорий или их комбинаций: 1. радиоаппаратура (например, передат- чики, приемники и трансиверы); 2. оконечная аппаратура линий; 3. аппаратура промежуточных усилите- лей; 4. ретрансляционная аппаратура; 5. аппаратура ретрансляции с восста- новлением сигнала; 6. трансляционные кодеры (транскоде- ры); 7. аппаратура уплотнения (включая статистическое уплотнение); 8. модуляторы/демодуляторы (модемы); 9. трансмультиплексная аппаратура; 10. цифровая коммутационная аппаратура с встроенным программным управле- нием; 11. ключи и мосты; 12. аппаратура доступа к телекоммуни- кационной среде б) разработанная для использования в одно- канальных или многоканальных линиях свя- зи через: провода (линии); коаксиальный кабель; оптоволоконный кабель; электромагнитное излучение I.16.5.2.1. аппаратуру, использующую цифровые мето- 852520900 ды, включая цифровую обработку аналого- вых сигналов, разработанную для функци- онирования при скорости цифровой пере- дачи на верхнем пределе уплотнения свы- ше 45 Мбит/с или общей скорости цифро- вой передачи свыше 90 Мбит/с; Примечание Экспортный контроль по пункту I.16.5.2.1. не распространяется на аппаратуру, специ- ально разработанную для включения и функ- ционирования в любой спутниковой системе гражданского назначения I.16.5.2.2. аппаратуру цифровой коммутации со встро- 852520900 енным программным управлением и скоро- стью цифровой передачи свыше 8,5 Мбит/с на порт; I.16.5.2.3. аппаратуру, включающую: I.16.5.2.3.1. модемы, использующие полосу одного 852520900 телефонного канала, со скоростью циф- ровой передачи свыше 9600 бит/с; I.16.5.2.3.2. контроллеры канала связи с цифровым 852520900 выходом, имеющие скорость передачи свыше 64000 бит/с на канал; I.16.5.2.3.3. контроллеры доступа в сеть и связан- 852520900 ную с ними общую среду со скоростью передачи свыше 33 Мбит/с; Примечание Если не подпадающее под экспортный конт- роль оборудование содержит контроллер доступа в сеть, то оно не должно иметь какой-либо тип телекоммуникационного интерфейса, за исключением описанного в пунктах I.16.5.2.3.-I.16.5.3.3.,но с па- раметрами ниже приведенных I.16.5.2.4. аппаратуру, использующую лазер и имеющую хотя бы одну из следующих характеристик: I.16.5.2.4.1. длина волны свыше 1000 нм; 852520900 I.16.5.2.4.2. использование аналоговых методов и по- 852520900 лосы частот более 45 МГц; I.16.5.2.4.3. использование когерентной оптической 852520900 передачи или когерентных методов опти- ческого детектирования (также называе- мых оптическими гетеродинными или гомо- динными методами); I.16.5.2.4.4. использование методов уплотнения с раз- 852520900 делением по длине волны; I.16.5.2.4.5. осуществление оптического усиления; 852520900 I.16.5.2.5. радиоаппаратуру, функционирующую на час- тотах входного или выходного сигнала свыше: I.16.5.2.5.1. 31 ГГц для применения на наземных стан- 852520900 циях систем спутниковой связи; I.16.5.2.5.2. 26,5 ГГц для других применений; 852520900 Примечание Экспортный контроль по пункту I.16.4.5.2. не распространяется на радиоаппаратуру, расчитанную на гражданское применение, функционирующую в диапазоне частот 26,5-31 ГГц в соответстствии с рекоменда- циями Международного Союза Электросвязи I.16.5.2.6. радиоаппаратуру, использующую квадратур- 852520900 ную амплитудную модуляцию выше уровня 4 или другие цифровые методы модуляции и имеющую спектральную эффективность свы- ше 3 бит/(с*Гц); Примечание Экспортный контроль по пункту I.16.5.2.6. не распространяется на аппаратуру, специ- ально разработанную для включения и работы в любой спутниковой системе гражданского назначения I.16.5.2.7. радиоаппаратуру, функционирующую в диа- пазоне 1,5-87,5 МГц и имеющую какую-либо из указанных ниже характеристик: I.16.5.2.7.1. автоматические прогнозирование и выбор 852520900 значений частот и общей скорости цифро- вой передачи для ее оптимизации; I.16.5.2.7.2. наличие линейного усилителя мощности, 852520900 способного одновременно поддерживать множественные сигналы с выходной мощнос- тью 1 кВт или более в частотном диапазо- не 1,5-30 МГц, или 250 Вт или более в час- тотном диапазоне 30-87,5 МГц, свыше пре- делов мгновенной полосы одной октавы или более и с содержанием гармоник и искаже- ний на выходе лучше 80 дБ; I.16.5.2.7.3. включающая адаптивные методы, обеспечи- 852520900 вающие подавления помехового сигнала бо- лее чем на 15 дБ; I.16.5.2.8. радиоаппаратуру, использующую расшире- 852520900 ние спектра или методы перестройки час- тоты, имеющую коды расширения, програм- мируемые пользователем, или общую шири- ну полосы частот передачи в 100 или бо- лее раз превышающую полосу частот одно- го информационного канала и составляю- щую более чем 50 кГц; I.16.5.2.9. радиоприемники с цифровым управлением и 852520900 более чем 1000 каналами, которые ищут или сканируют в части электромагнитного спектра, идентифицируют принятый сигнал или тип передатчика и имеют время пере- ключения частоты менее 1 мс; I.16.5.2.10. аппаратуру, обеспечивающую цифровую об- работку сигналов в виде: I.16.5.2.10.1. кодирования речи со скоростью менее 852520900 2400 бит/с; I.16.5.2.10.2. использования схем, обеспечивающих 852520900 программируемость пользователем схем цифровой обработки сигналов, превыша- ющих пределы ограничения по пункту I.16.9.7.; I.16.5.2.11. системы подводной связи, имеющие любую из следующих характеристик: I.16.5.2.11.1. использование акустической несущей 851850900 частоты за пределами интервала от 20 до 60 кГц; I.16.5.2.11.2. использование электромагнитной несущей 852520900 частоты ниже 30 кГц; I.16.5.2.11.3. использование методов электронного ска- 852520900 нирования луча I.16.5.3. Аппаратура коммутации с встроенным про- граммным управлением и связанные систе- мы сигналообразования, имеющая любую из приведенных ниже характеристик, функций или качеств и специально разработанные компоненты и вспомогательное оборудова- ние Примечание Статистические мультиплексоры с цифро- вым входом и выходом, которые обеспечи- вают коммутацию, рассматриваются как коммутаторы со встроенным программным управлением I.16.5.3.1. Системы сигналообразования общего 854380900 канала Примечание Системы сигналообразования, в которых сигнал поступает и используется в виде не более 32 уплотненных каналов, форми- рующих телефонную линию со скоростью не более 2,1 Мбит/с, и в которой применено временное уплотнение без использования служебных сообщений, не считаются систе- мами общего сигналообразования I.16.5.3.2. Аппаратура коммутации, выполняющая функ- ции цифровых сетей интегрального обслу- живания (ЦСИО) и имеющая любое из следу- ющих устройств или характеристик: I.16.5.3.2.1. интерфейс переключения терминалов (на- 854380900 пример, линии пользователя) со скоро- стью цифровой передачи в наивысшем уровне уплотнения 192 кбит/с, включая связанный канал передачи; I.16.5.3.2.2. способность передачи сообщения, приня- 854380900 того коммутатором по данному каналу, связанному или другому коммутатору Примечание Пункт I.16.5.3.2. не препятствует оценке и соответствующим действиям со стороны принимающего коммутатора I.16.5.3.3. Аппаратура коммутации, имеющая многоу- 854380900 ровневый приоритет и иерархию цепей ком- мутации Примечание Пункт I.16.5.3.3. не распространяется на иерархию одноуровневых вызовов I.16.5.3.4. Аппаратура коммутации, имеющая адаптив- 854380900 ную динамическую маршрутизацию I.16.5.3.5. Аппаратура коммутации, имеющая маршру- 854380900 тизацию или коммутацию дейтограммных пакетов I.16.5.3.6. Аппаратура коммутации, имеющая маршру- 854380900 тизацию или коммутацию пакетов быстро- го выбора Примечание Экспортный контроль по пунктам I.16.5.3.5 и I.16.5.3.6. не распространяется на сети, использующие только контроллеры доступа в сеть, или на сами контроллеры доступа в сеть I.16.5.3.7. Аппаратура коммутации, разработанная 854380900 для автоматического вызова сотового ра- дио к другим сотовым коммутаторам или для автоматического соединения абонен- тов с централизованной базой данных, являющейся общей более чем для одного коммутатора I.16.5.3.8. Коммутаторы пакетов, каналов и маршру- тизаторы с портами или каналами, пара- метры которых превышают: I.16.5.3.8.1. скорость передачи данных 64 кбит/с на 854380900 канал для контроллера канала связи; Примечание Пункт I.16.5.3.8.1. не препятствует уп- лотнению по составной линии каналов свя- зи, не подлежащих экспортному контролю I.16.5.3.8.2. скорость цифровой передачи 33 Мбит/с 854380900 для контроллера доступа к сети и свя- занной общей среды I.16.5.3.9. Аппаратура оптической коммутации 854380900 I.16.5.3.10. Аппаратура коммутации, использующая ме- 854380900 тоды асинхронного режима передачи I.16.5.3.11. Аппаратура коммутации, содержащая обо- 854380900 рудование цифровой кросс-коммутации со встроенным программным управлением со скоростью передачи более 8,5 Мбит/с на порт I.16.5.4. Комплекс аппаратуры централизованного 852790990; управления сети, осуществляющий прием 854380900 данных от узлов и обработку этих данных для контроля нагрузки, не требующую ре- шения оператора, осуществляя таким обра- зом динамическую адаптивную маршрутизацию Примечание Пункт I.16.5.4. не препятствует конт- ролю нагрузки как функции предсказуемых статистических условий I.16.6. Системы, аппаратура, специальные узлы, модули или интегральные схемы для защи- ты информации и другие специально разра- ботанные компоненты I.16.6.1. Аппаратура, узлы и компоненты, разра- 854380900 ботанные или модифицированные для ис- пользования в криптографии с примене- нием цифровых методов обеспечения за- щиты информации I.16.6.2. Аппаратура, узлы и компоненты, разра- 854380900 ботанные или модифицированные для вы- полнения криптоаналитических функций I.16.6.3. Аппаратура, узлы и компоненты, разра- 854380900 ботанные или модифицированные для ис- пользования в криптографии с примене- нием аналоговых методов для обеспече- ния защиты информации, за исключением: аппаратуры с использованием посто- янного полосового скремблирования, не превышающего 8 полос, в которой транспозиции происходят не чаще 1 раза в секунду; аппаратуры с использованием посто- янного полосового скремблирования числом полос более 8, причем транс- позиции происходят не чаще 1 раза в 10 секунд; аппаратуры с использованием фиксиро- ванной частотной инверсии, в которой транспозиции происходят не чаще 1 ра- за в секунду; аппаратуры факсимильной связи; аппаратуры вещания в ограниченной аудитории; аппаратуры гражданского телевидения I.16.6.4. Аппаратура, узлы и компоненты, разра- 854380900 ботанные или модифицированные для по- давления нежелательной утечки сигнала, содержащего информацию Примечание Экспортный контроль по пункту I.16.6.4. не распространяется на аппаратуру специально- го подавления утечки излучений, вредных для здоровья или безопасности окружающих I.16.6.5. Аппаратура, узлы и компоненты, разра- 854380900 ботанные или модифицированные для при- менения криптографических методов ге- нерации кода расширения спектра или перестройки частоты I.16.6.6. Аппаратура, узлы и компоненты, разра- 854380900 ботанные или модифицированные для обе- спечения сертифицированной или подле- жащей сертификации многоуровневой за- щиты или изоляции пользователя на уро- вне, превышающем класс В2 критерия оценки надежности компьютерных систем или эквивалентном ему уровне I.16.6.7. Кабельные системы связи, разработанные 854380900 или модифицированные с использованием механических, электрических или элект- ронных средств для обнаружения несанк- ционированного доступа I.16.7. Цифровые ЭВМ, специально разработанные 8471 или приспособленные для решения задач (кроме криптографии и оснащенные оборудованием 847110) и программными средствами для защиты ин- формации I.16.8. Гибридные ЭВМ, а также сборки и специ- ально созданная для них элементная база: I.16.8.1. имеющие в своем составе цифровые ЭВМ, 847110 указанные в пункте I.16.9. I.16.8.2. имеющие в своем составе аналого-цифро- 847110 вые и цифро-аналоговые преобразовате- ли, содержащие не менее 32 каналов и имеющие разрешающую способность 14 бит (плюс знаковый разряд) или выше, со ско- ростью 200000 преобразований в секунду или выше I.16.9 Цифровые ЭВМ, а также сборки и сопутст- вующее оборудование, а также специально созданная для них элементная база Примечания: 1. Пункты I.16.9.-I.16.9.10. включают век- тор-процессоры, матричные процессоры, логические процессоры и аппаратуру для улучшения качества изображения или обра- ботки сигналов. 2. Оценка необходимости введения экспорт- ного контроля по цифровым ЭВМ и сопут- ствующему оборудованию, указанным в пун- ктах I.16.9-I.16.9.10., определяется оценкой другого оборудования или других систем в том случае, если: цифровые ЭВМ или сопутствующее обо- рудование существенно для работы другого оборудования или других си- стем; цифровые ЭВМ или сопутствующее обо- рудование не являются основным эле- ментом другого оборудования или дру- гих систем; оценка необходимости введения экспорт- ного контроля по оборудованию обработ- ки сигналов или улучшения качества изо- бражения, указанному в пункте I.16.9.7. и специально спроектированному для другого оборудования с функциями, ог- раниченными функциональным назначени- ем другого оборудования, определяется оценкой другого оборудования, даже ес- ли первое соответствует критерию ос- новного элемента 3. Экспортный контроль не распространяется на цифровые ЭВМ или сопутствующее обо- рудование, указанное в пунктах I.16.9.- I.16.9.10., в том случае, если: они существенны для применения в медицине; по своему устройству и характеру работы они ограничены лишь приме- нением в медицине; эта аппаратура не имеет режима программирования пользователем, кроме такого, при котором обеспе- чивается возможность ввода исход- ных или модифицированных программ, поставляемых их первоначальным из- готовителем; совокупная теоретическая произ- водительность любой цифровой ЭВМ, не спроектированной и не модифицированной для применения в медицине, но существенной для этого применения, не должна пре- вышать 20 миллионов теоретичес- ких операций в секунду (мегатоп- сов) I.16.9.1. Цифровые ЭВМ, а также сборки, спроек- 8471 тированные для комбинированного рас- (кроме познавания, понимания и интерпретации 847110) изображений или непрерывной (связной) речи I.16.9.2. Цифровые ЭВМ, а также сборки, спроек- 8471 тированные или модифицированные для (кроме обеспечения отказоустойчивости 847110) Примечание Применительно к пункту I.16.9.2. циф- ровые ЭВМ и сопутствующее оборудование не считаются спроектированными или мо- дифицированными для обеспечения отка- зоустойчивости, если в них используют- ся: алгоритмы обнаружения или исправления ошибок, хранимые в оперативной памяти; взаимосвязь двух цифровых ЭВМ, та- кая, что если активный центральный про- цессор отказывает, ждущий, но отслежи- вающий центральный процессор может про- должить функционирование системы; взаимосвязь двух центральных процессо- ров посредством каналов передач данных или с применением общей памяти, чтобы обеспечить одному центральному процес- сору возможность выполнить другую рабо- ту, пока не откажет второй центральный процессор, тогда первый центральный процессор принимает его работу на себя, чтобы продолжить функционирование сис- темы; синхронизация двух центральных процес- соров посредством программного обеспе- чения такая, что один центральный про- цессор распознает, когда отказывает дру- гой центральный процессор, и восстанав- ливает задачи отказавшего устройства I.16.9.3. Цифровые ЭВМ, имеющие совокупную тео- 8471 ретическую производительность (СТП) (кроме свыше 12,5 миллионов теоретических опе- 847110) раций в секунду (мегатопсов) I.16.9.4. Сборки цифровых ЭВМ, специально спроек- тированные или модифицированные для по- вышения производительности путем объе- динения вычислительных элементов: Примечания: 1. Пункт I.16.9.4. распространяется лишь на сборки и программируемые взаимо- связи, не превышающие границы, ука- занной в пункте I.16.9.3., при пос- тавке в виде необъединенных сборок. Он неприменим к сборкам, по констру- кции своей пригодным лишь для исполь- зования в качестве сопутствующего оборудования, на которое распростра- няется экспортный контроль по пунктам I.16.9.5.-I.16.9.10. 2. Пункт I.16.9.4. распространяет экспорт- ный контроль на сборки, специально спро- ектированные для продукции или целого семейства продуктов, в своей макси- мальной конфигурации не превышающих границы, указанной в пункте I.16.9.3. I.16.9.4.1. по проекту способные к объединению в 8471 конфигурации из 16 и более вычислитель- (кроме ных элементов; 847110) I.16.9.4.2. с суммой максимальных скоростей пере- 8471 сылки данных по всем каналам пере- (кроме дачи данных, имеющимся для связи со 847110) смежными процессорами, превышающей 40 Мбайт/с I.16.9.5. Накопители на дисках и твердотельные приборы памяти I.16.9.5.1. Накопители на магнитных, перезаписывае- 847193500 мых оптических или магнитооптических дисках с максимальной скоростью пере- дачи информации, превышающей 25 Мбит/с I.16.9.5.2. Твердотельные приборы памяти, не относя- 847193500 щиеся к оперативной памяти (известные также под названием твердотельные (жест- кие) диски или диски с произвольным дос- тупом), с максимальной скоростью пере- дачи информации, превышающей 36 Мбит/с I.16.9.6. Устройства управления вводом-выводом, 847192900 спроектированные дл применения с оборудованием, на которое распростра- няется экспортный контроль по пунктам I.16.9.5.1.-I.16.9.5.2. I.16.9.7.

Аппаратура для обработки сигналов или 854380900 улучшения качества изображения, имею- щая совокупную теоретическую произво- дительность свыше 8,5 миллионов тео- ретических операций в секунду (мега- топсов) I.16.9.8. Графические акселераторы или графичес- 854380900 кие сопроцессоры, превышающие скорость исчисления трехмерных векторов, равную 400000, а если аппаратно поддержива- ются только двумерные вектора, то пре- вышающие скорость исчисления двумерных векторов, равную 600000 Примечание Пункт I.16.9.8. не распространяется на рабочие станции, созданные и ограничен- ные: графическим искусством (например, по- лиграфией, книгопечатанием); отображением двумерных векторов I.16.9.9. Цветные дисплеи или мониторы, имеющие 852810690 более 12 разрешающих элементов на мил- лиметр в направлении максимальной плот- ности пикселей Примечание Пункт I.16.9.9. не распространяет экс- портный контроль на дисплеи или монито- ры, не спроектированные специально для ЭВМ I.16.9.10. Аппаратура, содержащая в своем составе 852520900 терминальный интерфейс, превосходящий пределы, установленные пунктом I.16.5.2.3. Примечание Применительно к пункту I.16.9.10. в по- нятие "терминальный интерфейс" входят ин- терфейсы локальных сетей, модемы и дру- гие интерфейсы связи (стыки). Интерфей- сы локальных вычислительных сетей оце- ниваются как контроллеры доступа к сети I.16.10. Вычислительные машины и специально спро- ектированное сопутствующее оборудование, их сборки и элементная база I.16.10.1. Систолические матричные вычислительные 8471 машины I.16.10.2. Нейронные вычислительные машины 8471 I.16.10.3. Оптические вычислительные машины 8471 Часть II. Технологии и научно-техническая информация ------------------------------------------------------------------------------- Номер ¦ позиции ¦ Наименование ¦ ------------------------------------------------------------------------------- Раздел II.1. Металлические материалы II.1.1. Технология производства алюминидов никеля или титана в виде сырья или полуфабрикатов: II.1.1.1. алюминидов никеля с содержанием алюминия 10 или более процентов (по массе); II.1.1.2. алюминидов титана с содержанием алюминия 12 или более процентов (по массе) II.1.2. Технология производства металлических сплавов методом порошковой металлургии или вводимых гранул материалов, указанных в пунктах I.1.8.-I.1.8.5., включая: II.1.2.1. никелевые сплавы: II.1.2.1.1. с пределом длительной прочности 550 МПа (55 кгс/кв.мм) о при температуре 923 К (650 С) за 10000 ч и более; II.1.2.1.2. с малоцикловой выносливостью при максимальном напряжении 700 МПа (70 кгс/кв.мм) на базе 10000 циклов о и более при температуре 823 К (550 С) II.1.2.2. ниобиевые сплавы: II.1.2.2.1. с пределом длительной прочности 400 МПа (40 кгс/кв.мм) о при температуре 1073 К (800 С) за 10000 ч и более; II.1.2.2.2. с малоцикловой выносливостью при максимальном напряже- нии 700 МПа (70 кгс/кв.мм) на базе 10000 циклов и о более при температуре 973 (700 С) II.1.2.3. титановые сплавы: II.1.2.3.1. с пределом длительной прочности 200 МПа (20 кгс/кв.мм) о при температуре 723 К (450 С) за 10000 ч и более; II.1.2.3.2. с малоцикловой выносливостью при максимальном напряже- нии 400 МПа (40 кгс/кв.мм) на базе 10000 циклов и о более при температуре 723 (450 С) II.1.2.4. алюминиевые сплавы с пределом длительной прочности: II.1.2.4.1. 240 МПа (24 кгс/кв.мм) и более при температуре 473 К о (200 С); II.1.2.4.2. 415 МПа (41,5 кгс/кв.мм) и более при температуре о 298 К (25 С); II.1.2.5. магниевые сплавы с пределом длительной прочности 240 МПа (24 кгс/кв.мм) и более и скоростью коррозии менее 1 мм в год в 3-процентном водном растворе хлорида натрия II.1.3. Технология производства титановых сплавов (в том числе вторичных) с пределом длительной прочности свыше 1200 МПа (120 кгс/кв.мм) и пределом ползучести свыше 150 МПа о (15 кгс/кв.мм) при температуре 873 К (600 С) II.1.4. Технологии производства алюминий-литиевых сплавов (в том числе содержащих скандий) с содержанием лития более 6 %, скандия более 3 %, а именно: II.1.4.1. системы алюминий-магний-литий (скандий), обладающие в совокупности следующими характеристиками: плотностью менее 2,47 г/куб.см; модулем упругости более 78000 МПа (7800 кгс/кв.мм); удельной прочностью более 19 км; II.1.4.2. системы алюминий-медь-магний-литий (скандий), обладаю- щие в совокупности следующими характеристиками: плотностью менее 2,56 г/куб.см; модулем упругости более 80000 МПа (8000 кгс/кв.мм); удельной прочностью более 19 км; II.1.4.3. системы алюминий-медь-литий (скандий), обладающие в совокупности следующими характеристиками: плотностью менее 2,6 г/куб.см; модулем упругости более 80000 МПа (8000 кгс/кв.мм); удельной прочностью более 22 км; II.1.4.4. системы алюминий-литий (скандий), обладающие в сово- купности следующими характеристиками: плотностью менее 2,4 г/куб.см; модулем упругости более 80000 МПа (8000 кгс/кв.мм); удельной прочностью более 20 км II.1.5. Технология производства деформируемых магниевых сплавов (в том числе гранулированных) с пределом длительной прочности более 350 МПа (35 кгс/кв.мм) II.1.6. Технология производства литейных магниевых сплавов с пределом длительной прочности более 280 МПа (28 кгс/кв.мм) при рабочей температуре более 523 К о (250 С) II.1.7. Технология производства урано-титановых сплавов или вольфрамовых сплавов с матрицей на основе железа, ни- келя или меди: с плотностью свыше 17,5 г/куб.см; с пределом упругости свыше 1250 МПа; с пределом прочности на разрыв более 1270 МПа; с относительным удлинением свыше 8 % II.1.8. Технология производства порошков металлических сплавов или вводимых гранул для материалов, указанных в пунктах I.1.1.-I.1.2.5., получаемых в контролируемой среде посредством одного из нижеследующих процессов: распылением в вакууме; газоструйным распылением; центробежным распылением; спиннингованием; расплавлением с вращением и кристаллизацией; экстракцией расплава; механическим легированием и изготовленных из любой системы: II.1.8.1. никелевых сплавов (Ни-Ал-Ь, Ни-Ь-Ал), предназначенных для использования в составе частей или компонентов турбин двигателей, т.е. с менее чем тремя неметаллическими частицами (введенными в процессе производства) крупнее 100 мкм в 10 частицах сплава; II.1.8.2. ниобиевых сплавов (Нб-Ал-Ь или Нб-Ь-Ал, Нб-Си-Ь или Нб-Ь-Си,Нб-Ти-Ь или Нб-Ь-Ти); II.1.8.3. титановых сплавов (Ти-Ал-Ь или Ти-Ь-Ал); II.1.8.4. алюминиевых сплавов (Ал-Мг-Ь или Ал-Ь-Мг, Ал-Зн-Ь или Ал-Ь-Зн, Ал-Фе-Ь или Ал-Ь-Фе); II.1.8.5. магниевых сплавов (Мг-Ал-Ь или Мг-Ь-Ал) Примечание Х служит показателем равенства содержания в сплаве одного или более составляющих элементов (примесей) II.1.9. Технология производства сплавленных материалов в виде неизмельченных гранул, стружки или тонких стержней, из- готовляемых в контролируемой среде методом спиннин- гования, расплавления с вращением или экстракцией расплава, используемых при производстве порошка для ме- таллических сплавов или вводимых гранул, указанных в пунктах I.1.8.-I.1.8.5. II.1.10. Технология производства магнитных материалов всех типов и любой формы II.1.10.1. Технология производства магнитных материалов с начальной относительной проницаемостью 120000 или более и толщиной 0,05 мм или менее II.1.10.2. Технология производства магнитострикционных сплавов: II.1.10.2.1. с магнитострикционным насыщением более 5*10-4; II.1.10.2.2. с коэффициентом магнитомеханического сцепления более 0,8 II.1.10.3. Технология производства магнитного сплава в виде аморф- ной стружки с составом минимум 75 % (по массе) железа, кобальта или никеля, магнитной индукцией насыщения не менее 1,6 Т, толщиной стружки не более 0,02 мм и удельным электрическим сопротивлением не менее 2*10-4 Ом/см Раздел II.2. Полимеры, пластические массы, химические волокна и нити, каучуки и изделия из них II.2.1. Технология производства полимерных веществ II.2.1.1. Технология производства бисмалеимида II.2.1.2. Технология производства ароматических полиимидных о материалов с термостойкостью выше 723 К (450 С) II.2.1.3. Технология производства ароматических полихиноксалинов и материалов на их основе II.2.1.4. Технология производства ароматических полиэфиримидов, о имеющих температуру стеклования более 503 К (230 С) II.2.1.5. Технология производства ароматических полиамидов Примечание Технологии производства неплавких порошков для формо- образования под давлением или подготовки форм из мате- риалов, указанных в пунктах II.2.1.1., II.2.1.3., II.2.1.5., II.2.1.6., II.2.1.13., экспортному контролю не подлежат II.2.1.6. Технология производства изделий из нефторированных полимерных веществ, указанных в пунктах I.2.1.5.- I.2.1.10., I.2.1.13., в виде пленки, листа, ленты или полосы: II.2.1.6.1. при толщине свыше 0,254 мм; II.2.1.6.2. покрытых углеродом, графитом, металлами или магнитными веществами II.2.1.7. Технология производства термопластических жидкокристал- лических сополимеров, имеющих температуру тепловой де- о формации более 523 К (250 С), измеренную при нагрузке 1,82 Н/кв.мм, и образованных сочетанием: пара-фенилена, пара-пара'-бифенилена или 2,6 нафтали- на; метила, третичного бутила или фенил-замещенного фени- лена, бифенилена или нафталина с любой из следующих кислот: терефталевой кислотой; 6-гидрокси-2 нафтойной кислотой; 6-гидрокси-2 нафтойной кислотой; 4-гидроксибензойной кислотой II.2.1.8. Технология производства полиариленовых эфирных кетонов: II.2.1.8.1. полиэфироэфирокетона (ПЭЭК); II.2.1.8.2. полиэфирокетон-кетона (ПЭКК); II.2.1.8.3. полиэфирокетона (ПЭК); II.2.1.8.4. полиэфирокетон эфирокетон-кетона (ПЭКЭКК) II.2.1.9. Технология производства полиариленовых кетонов II.2.1.10. Технология производства полиариленовых сульфидов, где ариленовая группа представляет собой бифенилен, трифени- лен или их комбинации II.2.1.11. Технология производства полибифениленэфирсульфона II.2.1.12. Технология производства материалов-полуфабрикатов (т.е. полимерных или металлоорганических материалов специали- зированного назначения): II.2.1.12.1. полидиорганосиланов (для производства карбида крем- ния); II.2.1.12.2. полисилазанов (для производства нитрида кремния); II.2.1.12.3. поликарбосилазанов (для производства керамики с крем- ниевыми, углеродными или азотными компонентами) II.2.1.13. Технология производства полибензотиазолов или полибен- зоксозолов II.2.2. Технология производства фторсодержащих веществ II.2.2.1. Технология производства необработанных соединений фтора: II.2.2.1.1. сополимеров винилиденфторида, содержащих 75 % или бо- лее бета-кристаллической структуры, полученной без вы- тягивания; II.2.2.1.2. фтористых полиимидов, содержащих 30 % или более свя- занного фтора; II.2.2.1.3. фтористых фосфазеновых эластомеров, содержащих 30 % или более связанного фтора II.2.2.2. Технология производства фтористых эластомерных соеди- нений, содержащих по крайней мере один дивинилэфирный мономер II.2.2.3. Технология производства уплотнений, прокладок, седел клапанов, трубчатых уплотнений или диафрагм из фторэластомеров, содержащих по крайней мере один виниловый мономер, специально предназначенных для авиационной и аэрокосмической техники, и указанных в пункте I.2.2.3. II.2.2.4. Технология производства пьезоэлектрических полимеров и сополимеров, изготовленных из фтористого винилидена в виде пленки или листа толщиной более 200 мкм II.2.3. Технология производства электропроводных полимерных материалов с удельной электрической проводимостью свыше 10 сименс/м или поверхностным сопротивлением менее 10 Ом/кв.м, выполненных на основе следующих полимеров: II.2.3.1. полианилина; II.2.3.2. полипиррола; II.2.3.3. политиофена; II.2.3.4. полифенилен-винилена; II.2.3.5. политиофинилен-винилена II.2.3.6. Технологии для нанесения, эксплуатации или восстановле- ния (ремонта) материалов, указанных в пунктах I.2.3.- I.2.3.5. II.2.4. Технология производства ароматических полиамидных воло- кон II.2.5. Технология производства волокнистых или нитевидных мате- риалов на основе: II.2.5.1. полиэфиримидов, указанных в пункте I.2.1.13. II.2.5.2. материалов, указанных в пунктах I.2.1.15.-I.2.1.19. II.2.6. Технология производства фторсилоксановых каучуков, рабо- о тоспособных при температурах ниже 213 К (-60 С) и о выше 473 К (200 С) II.2.7. Технология производства герметиков на основе жидкого тиокола, работоспособных при температурах ниже 213 К о о (-60 С) и выше 423 К (150 С) II.2.8. Технология производства кремнийорганических герметиков, работоспособных при температурах ниже 213 К о о (-60 С) и выше 523 К (250 С) II.2.9. Технология производства органических полимерных фотопри- емников для пространственно-временных модуляторов света II.2.10. Технология производства дипараксилилена (мономера Д-2) Раздел II.3. Композиционные и керамические материалы II.3.1. Технологии производства материалов на керамической ос- нове, некомпозиционных керамических материалов, мате- риалов типа "композит" с керамической матрицей, а также их полуфабрикатов: II.3.1.1. основных материалов из простых или сложных боридов титана, имеющих металлические примеси (кроме специаль- ных добавок) на уровне менее 5000 частиц на миллион, при среднем размере частицы, равном или меньшем 5 мкм (при этом не более 10 % частиц размером более 10 мкм); II.3.1.2. некомпозиционных керамических материалов в виде сырых полуфабрикатов (кроме абразивов) на основе боридов титана с плотностью 98 % или более от теоретического значения II.3.1.3. Технологии для восстановления композиционных структур, слоистых структур или материалов, указанных в пунктах I.3.3.-I.3.3.2. II.3.2. Технология производства трехмерно-армированных углерод- углеродных материалов типа КИМФ с повышенной эрозионной стойкостью, характеризующейся скоростью уноса массы о менее 3 мм/с при температуре 3773 К (3500 С) и выше и давлении 150 атм и выше II.3.3. Технология производства объемно-армированных углерод- углеродных материалов типа "ЗАРЯ", с повышенной эрозион- ной стойкостью, характеризующейся скоростью уноса массы о менее 0,05 мм/с при температуре 3773 К (3500 С) и выше и давлении 150 атм и выше II.3.4. Технология производства жаростойких углеродных материа- о лов на рабочие температуры более 2025 К (1750 С) с пределом прочности более 300 МПа (30 кгс/кв.мм) (для применения в углерод-углеродных материалах) и более 200 МПа (20 кгс/кв.мм) (для применения в углерод-керамических материалах) II.3.5. Технология производства теплоизоляционных термостабиль- ных (десятки тысяч часов в диапазоне температур до 1025 о К (750 С) экологически чистых материалов типа КГ-3 на основе графита с плотностью 0,2 г/куб.см и коэффициентом теплопроводности 0,1 Вт/(м*К) II.3.6. Базовые материалы или некомпозиционные керамические ма- териалы II.3.6.1. Технология производства базовых материалов с суммарными металлическими примесями (включая вносимые преднамерен- но) менее чем 1000 частей на миллион для комплексных со- единений и единичных карбидов, 5000 частей на миллион для комплексных соединений или единичных нитридов, сред- ним размером частиц, равным или менее 5 мкм, и не более чем 10 % частиц с размерами более 10 мкм, содержащих пластинки с отношением длины к толщине, превышающим значение 5, короткие стержни (усы) с отношением длины к диаметру более 10 для диаметров стержней менее чем 2 мкм и длинные или рубленные волокна с диаметром меньшим 10 мкм, из следующих материалов: II.3.6.1.1. единичных или комплексных оксидов циркония и комплекс- ных оксидов кремния или алюминия; II.3.6.1.2. единичных нитридов бора (с кубическими формами крис- таллов); II.3.6.1.3. единичных или комплексных карбидов кремния или бора; II.3.6.1.4. единичных или комплексных нитридов кремния Примечание Для циркония представленные выше пределы размеров час- тиц соответствуют 1 мкм и 5 мкм соответственно II.3.6.2. Технология производства некомпозитных керамических мате- риалов (кроме абразивов), указанных в пунктах II.3.6.1.- II.3.6.1.4. II.3.7. Технология производства пенопласта с микросферами для применения под водой на морских глубинах более 1000 м и с плотностью менее 561 кг/куб.м II.3.7.1. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения пенопласта с микросферами для применения под водой на морских глубинах более 1000 м и плотностью менее 561 кг/куб.м Раздел II.4. Жидкости и смазочные материалы II.4.1. Технология производства гидравлических жидкостей, содер- жащих в качестве основных составляющих любые из следую- щих веществ или материалов: II.4.1.1. синтетические углеводородные масла или кремний-угле- водородные масла с точкой возгорания свыше 477 К о о (204 С), точкой застывания 239 К (-34 С) или ниже, коэффициентом вязкости 75 или более, о термостабильностью при 616 К (343 С); Примечание Указанные в пункте II.4.1.1. кремний-углеводородные мас- ла содержат исключительно кремний, водород и углерод II.4.1.2. хлоро-фторуглероды с температурой самовоспламенения о свыше 977 К (704 С), точкой застывания 219 К о (-54 С), коэффициентом вязкости 80 или более и о точкой кипения 473 К (200 С) или более Примечание Указанные в пункте II.4.1.2. хлоро-фторуглероды содер- жат исключительно хлор, фтор и углерод II.4.2. Технология производства смазочных материалов, содержащих в качестве основных составляющих следующие вещества и материалы: II.4.2.1. фениленовые или алкилфениленовые эфиры или тиоэфиры или их смеси, содержащие более двух эфирных или тиоэфирных функций или смесей; II.4.2.2. фторированные кремнийсодержащие жидкости, характери- зуемые кинематической вязкостью менее 5000 кв.мм/с о (5000 сантистоксов) при температуре 298 К (25 С) II.4.3. Технология производства увлажняющих или флотирующих жидкостей с показателем чистоты более 99,8 %, содержащих менее 25 частиц размером 200 мкм или более на 100 мл и изготовленных по меньшей мере на 85 % из следующих веществ и материалов: II.4.3.1. дибромтетрафторэтана; II.4.3.2. полихлортрифторэтилена (только маслянистые и воско- образные модификации); II.4.3.3. полибромтрифторэтилена Раздел II.5. Фармацевтические препараты II.5.1. Технология производства полианатоксинов II.5.2. Технология производства вакцины инактивированной, кон- центрированной, очищенной для профилактики венесуэльс- кого энцефаломиелита на основе оригинального штамма СМ-27 II.5.3. Технология производства дивакцины инактивированной, культуральной, очищенной для профилактики восточного и западного энцефаломиелита лошадей II.5.4. Технология производства препаратов группы холинэстераз для определения фосфорорганических ОВ и информация по использованию препаратов II.5.5. Технология получения и использования иммуноглобулинов полигрупповых люминесцирующих риккетсиозных, позволяющих проводить индикацию риккетсий группы сыпного тифа, клещевой пятнистой лихорадки и ку-риккетсиоза при иммунофлуоресцентном анализе II.5.6. Диагностикум, технология получения и использования культурального, поливалентного диагностикума геморраги- ческой лихорадки с почечным синдромом для непрямого метода иммунофлуоресценции II.5.7. Гибридомная технология получения иммунодиагностикума моноклонального люминесцирующего к вирусу клещевого эн- цефалита и информация об использовании диагностикума Раздел II.6. Токсичные вещества II.6.1. Информация о синтезе и оценке физико-химических токси- кологических характеристик нейротоксикантов особо высокой токсичности со средней летальной дозой менее 0,1 мг/кг в целях поиска нейротоксикантов высокой эффек- тивности Раздел II.7. Материалы и полуфабрикаты для производства изделий электронной техники и оптики II.7.1. Технология изготовления и нанесения радиопоглощающих покрытий типа ФП-1 и ФП-3 с коэффициентом отражения ме- о нее 15 % при температуре до 623 К (350 С) II.7.2. Технология производства многослойных структур кадмий- ртуть-теллур (КРТ) с использованием вакуумного синтеза II.7.3. Технологии производства материалов для оптических датчи- ков: II.7.3.1. Технология производства элементарного теллура (Те) чис- тотой, равной или более 99,9995 % II.7.3.2. Технология производства монокристаллов теллурида кадмия (ЦдТе) любой чистоты, включая эпитаксиальные пластины II.7.3.3. Технология производства заготовок оптических волокон, специально предназначенных для производства волокон с высоким двулучепреломлением, использующихся в оптоволо- конных датчиках, указанных в пунктах I.12.2.4.3.- I.12.2.4.3.2. II.7.4. Технологии производства оптических материалов: II.7.4.1. Технология производства селенида цинка (ЗнСе) и сульфида цинка (ЗнС) в виде пластин-подложек, изготовляемых в процессе химического осаждения паров, объемом более 100 куб.см или диаметром более 80 мм при толщине, равной или более 20 мм II.7.4.2. Технологии производства слитков следующих электрооп- тических материалов: II.7.4.2.1. арсенида титаната калия (КТА); II.7.4.2.2. смешанного селенида серебра и галлия (АгГаСе2); II.7.4.2.3. смешанного селенида таллия и мышьяка (Тл3АсСе3), также известного как ТАС II.7.4.3. Технология производства нелинейных оптических материа- лов, имеющих восприимчивость третьего порядка (3), рав- ную или меньшую 1 Вт/кв.м, время отклика менее 1 мс II.7.4.4. Технология производства пластинчатых подложек карбида кремния или осажденных материалов бериллия/бериллия (Бе/Бе ) свыше 300 мм в диаметре или длины наибольшей оси II.7.4.5. Технологии производства материалов с малым оптическим поглощением: II.7.4.5.1. Технология производства сложных соединений фтора, содер- жащих ингредиенты с чистотой 99,999 % или более Примечание Пункт II.7.4.5.1. распространяется только на технологию производства фторидов циркония или алюминия и подобных соединений II.7.4.5.2. Технология производства объемных фторсодержащих стекол, указанных в пункте I.6.9.5.2. II.7.4.6. Технология производства стекол, содержащих расплавы кремния, стекол из фосфатов, фторфосфатов, фторида цир- кония (ЗрФ4) и фторида гафния (ХфФ4) с концентрацией гидроксильных ионов (ОН-) менее 5 промилле, интегральными уровнями чистоты металлов менее 1 промилле, высокой однородностью (вариацией показателя преломления менее 5*10-6) II.7.4.7. Технология производства синтетического алмазного мате- риала с поглощением менее 10-5см на длине волны свыше 200 нм, но не более 14000 нм II.7.4.8. Технология производства оптоволоконных заготовок, изго- товленных из объемных соединений фторидов, содержащих ингредиенты с чистотой 99,999 % или лучше, специально разработанных для производства фторидных волокон, указанных в пункте I.12.5.4. II.7.5. Технологии производства материалов для кристаллических основ лазеров: II.7.5.1. сапфира с имплантированным титаном; II.7.5.2. александрита II.7.6. Технологии производства материалов резистов и подложек, покрытых резистами: II.7.6.1. Технология производства позитивных резистов со спект- ральной чувствительностью, оптимизированной на излуче- ние менее 370 нм II.7.6.2. Технология производства всех резистов, используемых для экспонирования электронными или ионными пучками, с чувствительностью не хуже 0,01 мкКл/кв.мм II.7.6.3. Технология производства всех резистов, используемых для экспонирования рентгеновскими лучами, с чувствитель- ностью не хуже 2,5 мДж/кв.мм II.7.6.4. Технология производства всех резистов, оптимизированных под технологию формирования рисунка, включая силициро- ванные резисты II.7.7. Технология производства металл-органических соединений алюминия, галлия или индия, имеющих чистоту (металли- ческой основы) более 99,999 % II.7.8. Технология производства гидридов фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющих чистоту более 99,999 % даже после раз- бавления нейтральными газами Примечание Технология производства гидридов, содержащих 20 и более мольных процентов инертных газов или водорода, не подле- жит экспортному контролю согласно пункту II.7.8. II.7.9. Технология производства заготовок стекла или любых дру- гих материалов, оптимизированных для производства опти- ческих волокон, указанных в пункте I.12.5. II.7.10. Технология нанесения покрытий на оптические волокна, специально предназначенные для подводного применения Раздел II.8. Электротехника и энергетика II.8.1. Технология производства сверхпроводящих композитных материалов длиной более 100 м или массой, превышающей 100 г: II.8.1.1. Технология производства многожильных сверхпроводящих композитных материалов, содержащих одну ниобиевую нить или более: II.8.1.1.1. уложенных в матрицу не из меди или не на основе медь- содержащего материала; II.8.1.1.2. с площадью поперечного сечения менее 0,28*10-4кв.мм (6 мкм в диаметре в случае нитей круглого сечения) II.8.1.2. Технология производства сверхпроводящих композитных ма- териалов не из ниобий-титана, состоящих из одной или более сверхпроводящих нитей: с критической температурой при нулевой магнитной ин- о дукции, превышающей 9,85 К (-263,31 С), но не ниже о 24 К (-249,16 С); с площадью поперечного сечения менее 0,28*10-4 кв.мм; которые остаются в состоянии сверхпроводимости при температуре 4,2 К о (-268,96 С), находясь в магнитном поле с магнитной индукцией 12 Т II.8.2. Информация о результатах исследований и разработок высо- котемпературных сверхпроводников с критическим магнитным полем, с магнитной индукцией более 150 Т и критическим током более 1000 МА/кв.м при температуре 77 К о (-196 С) для техники магнитного ускорения объектов II.8.3. Информация о конструкционных и технологических решениях в области создания импульсных источников электроэнергии на основе формирующих линий с мощностью, превышающей 100 ТВт при энергии, превышающей 5 МДж II.8.4. Информация о конструкционных и технологических решениях в области создания импульсных источников электроэнергии на основе униполярных генераторов, предназначенных для медленного отбора мощности (более 1 с) с запасом энергии более 100 МДж и быстрого отбора мощности (менее 1 мс) с запасом энергии 1 МДж II.8.5. Конструкция и технология производства батарей Примечание Экспортный контроль не распространяется на конструкцию и технологию производства батарей с объемом 26 куб.см и меньше (например, стандартные угольные элементы), ука- занных в пунктах II.8.5.-II.8.5.3. II.8.5.1. Конструкция и технология производства первичных элемен- тов и батарей с плотностью энергии выше 350 Вт*ч/кг, пригодных по техническим условиям для работы в диапазоне о температур от 243 К (-30 С) и ниже до 343 К о (70 С) и выше II.8.5.2. Конструкция и технология производства подзаряжаемых эле- ментов и батарей с плотностью энергии свыше 150 Вт*ч/кг после 75 циклов заряда-разряда при токе разряда, равном С/5 ч (здесь С - номинальная емкость в А*ч), и при рабо- о те в диапазоне температур от 253 К (-20 С) и ниже о до 333 К (60 С) и выше II.8.5.3. Конструкция и технология производства радиационно- стойких батарей на фотоэлектрических элементах с удельной мощностью свыше 160 Вт/кв.м при рабочей тем- о пературе 301 К (28 С) и вольфрамовом источнике, о нагретом до 2800 К (2527 С) и создающем энергетическую освещенность 1 кВт/кв.м, пригодных по техническим условиям для космического применения II.8.5.4. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования батарей, указанных в пунктах I.7.2.- I.7.2.3. II.8.6. Конструкция и технология производства накопителей энер- гии II.8.6.1. Конструкция и технология производства накопителей энер- гии с частотой повторения менее 10 Гц (одноразовых нако- пителей), имеющих номинальное напряжение не менее 5 кВ, плотность энергии не менее 250 Дж/кг и общую энергию не менее 25 кДж II.8.6.2. Конструкция и технология производства накопителей энер- гии с частотой повторения менее 10 Гц и больше (много- разовых накопителей), имеющих номинальное напряжение не менее 5 кВ, плотность энергии не менее 50 Дж/кг, общую энергию не менее 100 Дж и количество циклов заряда-раз- ряда не менее 10000 II.8.6.3. Конструкция и технология производства схем или систем для накопления электромагнитной энергии, содержащих ком- поненты из сверхпроводящих материалов, специально спро- ектированных для работы при температурах ниже критичес- кой температуры с хотя бы одной из сверхпроводящих со- ставляющих, имеющих рабочие резонансные частоты свыше 1 МГц, плотность запасаемой энергии не менее 1 МДж/куб.м и время разряда менее 1 мс II.8.6.4. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования накопителей энергии, указанных в пунктах I.7.3.-I.7.3.3. II.8.7. Конструкция и технология производства сверхпроводящих электромагнитов или соленоидов, специально спроектиро- ванных на полный заряд или разряд менее чем за минуту, имеющих максимальную энергию в разряде, деленную на дли- тельность разряда, свыше 500 кДж/мин, внутренний диаметр токопроводящих обмоток свыше 250 мм и номинальную маг- нитную индукцию свыше 8 Т или суммарную плотность тока в обмотке больше 300 А/кв.мм Примечание Экспортный контроль не распространяется на конструкцию и технологию производства сверхпроводящих электромагнитов или соленоидов, специально спроектированных для медицин- ской аппаратуры магниторезонансной томографии II.8.7.1. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования сверхпроводящих электромагнитов или соле- ноидов, указанных в пункте I.7.4. II.8.8. Конструкция и технология производства рентгеновских систем с короткоимпульсным разрядом, имеющих пиковую мощность, превышающую 500 МВт, выходное напряжение, превышающее 500 кВт, и ширину импульса менее 0,2 мкс II.8.8.1. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования рентгеновских систем с короткоимпульсным разрядом, указанных в пункте I.7.5. II.8.9. Информация о конструкторских решениях, технологиях, ма- териалах, основных узлах и системах бортовых ядерных электроэнергоустановок, позволяющая осуществить непос- редственное воспроизведение или способствующая ускорению реализации подобных проектов II.8.10. Информация о конструкционных и технологических решениях, позволяющих создать короткоимпульсные электронные и протонные ускорители с энергией более 8 МэВ и током в импульсе более 1 кА Раздел II.9. Функциональное оборудование, узлы и детали II.9.1. Конструкция и технология производства антифрикционных подшипников или систем подшипников и их компонентов Примечание Экспортный контроль не распространяется на конструкцию и технологию производства шарикоподшипников с допусками, устанавливаемыми производителями в соответствии со стан- дартом ИСО 3290 класс 5 или хуже II.9.1.1. Конструкция и технология производства шариковых или роликовых подшипников (кроме конических роликовых под- шипников), имеющих допуски, устанавливаемые производи- телем в соответствии со стандартом ИСО, имеющих любую из следующих характеристик: II.9.1.1.1. кольца, шарики или ролики из медно-никелевого сплава или бериллия; II.9.1.1.2. изготовленные для применения при рабочих температурах о выше 573 К (300 С) либо с применением специальных материалов или специальной тепловой обработки; II.9.1.1.3. с элементами смазки или компонентом, модифицирующим этот элемент, который в соответствии со спецификацией изготовителя специально спроектирован для подшипников, работающих при скоростях, соответствующих значению КСВ более 2,3*106 II.9.1.2. Конструкция и технология производства других шариковых или роликовых подшипников (кроме конических роликовых подшипников), имеющих допуски, устанавливаемые произво- дителем в соответствии со стандартом ИСО класс 2 или лучше (или национальными эквивалентами) II.9.1.3. Конструкция и технология производства конических ролико- вых подшипников, имеющих любую из следующих характерис- тик: II.9.1.3.1. с элементами смазки или компонентом, модифицирующим этот элемент, который в соответствии со спецификацией изготовителя специально спроектирован для подшипников, работающих при скоростях, соответствующих значению КСВ более 2,3*106; II.9.1.3.2. изготовленные для применения при рабочих температурах о о ниже 219 К (-54 С) или выше 423 К (150 С) II.9.1.4. Конструкция и технология производства тонкостенных под- шипников с газовой смазкой, изготовленных для применения о при рабочих температурах 561 К (288 С) или выше, и со способностью выдерживать единичную нагрузку, превышающую 1 МПа II.9.1.5. Конструкция и технология производства активных магнитных подшипниковых систем II.9.1.6. Конструкция и технология производства серийно изго- тавливаемых самоцентрирующихся или серийно изготав- ливаемых и устанавливаемых на шейку вала подшипников скольжения, изготовленных для использования при рабочих о температурах ниже 219 К (-54 С) или выше 423 К о (150 С) II.9.1.7. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования и производства подшипников, указанных в пунктах I.8.1.-I.8.1.6. Раздел II.10. Обработка материалов II.10.1. Производственные процессы металлообработки II.10.1.1. Технологии проектирования станков (инструмента), пресс- форм или зажимных приспособлений, специально спроектиро- ванных для следующих процессов: II.10.1.1.1. сверхпластичного деформирования; II.10.1.1.2. термодиффузионного сращивания; II.10.1.1.3. гидравлического прессования прямого действия II.10.1.2. Технические данные, включающие параметры или методы реа- лизации процесса, перечисленные ниже и используемые для управления: II.10.1.2.1. сверхпластичным деформированием алюминиевых, титановых сплавов или суперсплавов, включая: подготовку поверхности; степень деформации; температуру; давление; Примечание К суперсплавам относятся сплавы на основе никеля, кобальта или железа, сохраняющие высокую прочность при о температурах свыше 922 К (649 С) в тяжелых условиях функционирования и окружающей среды II.10.1.2.2. термодиффузионным сращиванием суперсплавов или титановых сплавов, включая: подготовку поверхности; температуру; давление II.10.1.2.3. гидравлическим прессованием прямого действия алюминиевых или титановых сплавов, включая: давление; время цикла II.10.1.2.4. горячей изостатической деформацией титановых, алюминиевых сплавов и суперсплавов, включая: температуру; давление; время цикла II.10.2. Конструкция и технология производства гидравлических вы- тяжных формовочных машин и матриц для изготовления лег- ких корпусных конструкций II.10.3. Конструкция и технология производства универсальных станков (без программного управления) для получения оп- тически качественных поверхностей: II.10.3.1. токарных станков, использующих единственную точку фрезерования и обладающих всеми нижеследующими характеристиками: точность положения суппорта меньше (лучше) чем 0,0005 мм на 300 мм перемещения; повторяемость двунаправленного положения суппорта меньше (лучше) чем 0,00025 мм на 300 мм перемещения; биение и эксцентриситет шпинделя меньше (лучше) чем 0,0004 мм по индикатору общего считывания; угловая девиация движения суппорта (рыскание, тангаж и вращение вокруг продольной оси) меньше (лучше) чем 2 дуговые секунды по индикатору общего считывания на полном перемещении; перпендикулярность суппорта меньше (лучше) чем 0,001 мм на 300 мм перемещения; II.10.3.2. станков с летучей фрезой, имеющих биение и эксцентриситет меньше (лучше) чем 0,0004 мм по индикатору общего считывания и угловую девиацию движения суппорта (рыскание, тангаж и вращение вокруг продольной оси) меньше (лучше) чем 2 дуговые секунды по индикатору общего считывания на полном перемещении II.10.4. Конструкция и технология производства станков с ЧПУ или станков с ручным управлением, включая специально спроек- тированные компоненты, элементы управления и приспособ- ления для них, специально спроектированных для фрезеро- вания, финишной обработки, полирования или хонингования закаленных (Рц= 40 или более) конических или цилиндрических шестерен в соответствии с пунктами 1.9.3.-I.9.3.2 II.10.5. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства и применения программно-управляемых станков, указанных в пунктах I.9.3.-I.9.3.2. II.10.6. Конструкция и технология производства оборудования, спе- циально спроектированного для реализации процесса и управления процессом нанесения неорганических покрытий, защитных слоев и поверхностного модифицирования, а также специально спроектированных средств автоматизированного регулирования, установок, манипуляторов и компонентов управления II.10.6.1. Конструкция и технология производства снабженных прог- раммно-управляемым запоминающим устройством производ- ственных установок для нанесения твердого покрытия из парообразных химических соединений, указанных в пункте I.9.4.1. II.10.6.2. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения производственных установок для нанесения покрытия из парообразных химических соединений, указан- ных в пункте I.9.4.1. II.10.6.3. Конструкция и технология производства снабженных прог- раммно-управляемым запоминающим устройством производ- ственных установок для ионной имплантации, указанных в пункте I.9.4.2. II.10.6.4. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения производственных установок для ионной имплан- тации, указанных в пункте I.9.4.2. II.10.6.5. Конструкция и технология производства снабженных прог- раммно-управляемым запоминающим устройством электронно- лучевых установок для нанесения покрытий методом физи- ческого осаждения паров, указанных в пункте I.9.4.3. II.10.6.6. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения электронно-лучевых установок для нанесения покрытий методом физического осаждения паров, указанных в пункте I.9.4.3. II.10.6.7. Конструкция и технология производства снабженных прог- раммно-управляемым запоминающим устройством производ- ственных установок для плазменного напыления, указанных в пунктах I.9.4.4.-I.9.4.4.2. II.10.6.8. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения производственных установок для плазменного напыления, указанных в пунктах I.9.4.4.-I.9.4.4.2. II.10.6.9. Конструкция и технология производства снабженных прог- раммно-управляемым запоминающим устройством производ- ственных установок для металлизации напылением, способ- ных обеспечить плотность тока 0,1 мА/мм или более с производительностью напыления 15 мкм в час или более II.10.6.10. Программное обеспечение, специально созданное или моди- фицированное для разработки, производства или применения производственных установок металлизации напылением, ука- занных в пункте I.9.4.5. II.10.6.11. Конструкция и технология производства снабженных прог- раммно-управляемым запоминающим устройством производ- ственных установок для катодно-дугового напыления, вклю- чающих систему электромагнитов для управления плотностью тока дуги на катоде II.10.6.12. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения производственных установок для катодно-ду- гового напыления, указанного в пункте I.9.4.6. II.10.6.13. Конструкция и технология производства снабженных прог- раммно-управляемым запоминающим устройством производ- ственных установок для ионной металлизации, указанных в пункте I.9.4.7. Примечание Экспортный контроль не распространяется на конструкцию и технологию производства стандартных производственных установок для покрытий, образуемых ионной металлизацией на режущем инструменте металлообрабатывающих станков II.10.6.14. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения производственных установок для ионной метал- лизации, указанных в пункте I.9.4.7. II.10.6.15. Конструкция и технология производства снабженных прог- раммно-управляемыми запоминающими устройствами производ- ственных установок для сухого травления анизотропной плазмой, указанных в пунктах I.9.4.8.-I.9.4.8.2. II.10.6.16. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения производственных установок для сухого травле- ния анизотропной плазмой, указанных в пунктах I.9.4.8.- I.9.4.8.2. II.10.6.17. Конструкция и технология производства снабженных прог- раммно-управляемыми запоминающими устройствами производ- ственных установок для химического парофазового осажде- ния покрытий плазменной стимуляцией, указанных в пунктах I.9.4.9.-I.9.4.9.2. II.10.6.18. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения производственных установок для химического парофазового осаждения покрытий, указанных в пунктах I.9.4.9.-I.9.4.9.2. II.10.7. Процессы нанесения покрытий и модификации поверхности II.10.7.1. Технологии нанесения (твердых) покрытий из парообразных химических соединений Примечания: 1. Нанесение (твердого) покрытия из парообразных хими- ческих соединений - это процесс нанесения чисто внеш- него покрытия или покрытия с модификацией покрываемой поверхности, когда металл, сплав, композит, диэлект- рик или керамика наносится на нагретое изделие. Газо- образные продукты (пары, реактанты) разлагаются или соединяются на поверхности изделия, в результате чего на ней образуются желаемые элементы, сплавы или ком- паунды. Энергия для такого разложения или химичес- кой реакции может быть обеспечена нагревом изделия, свечением плазменного разряда или лучом лазера 2. Нанесение (твердого) покрытия путем осаждения хими- ческих соединений из паровой фазы включает следующие процессы: беспорошковое нанесение покрытия прямым газовым пото- ком; пульсирующее химическое осаждение паров; управ- ляемое термическое нанесение покрытий с ядерным дроб- лением, а также с применением мощного потока плазмы или реализация химического осаждения паров с ее учас- тием 3. Порошковое нанесение означает погружение изделия в порошок из нескольких составляющих 4. Газообразные продукты (пары, реактанты), используемые в беспорошковом процессе, применяются с несколькими базовыми реакциями и параметрами, такими как порошко- вая цементация, кроме того случая, когда на изделие наносится покрытие без контакта со смесью порошка II.10.7.1.1. Технология нанесения алюминидов на внутренние поверхнос- ти изделий из суперсплавов II.10.7.1.2. Технологии нанесения силицидов на: II.10.7.1.2.1. керамики и стекла с малым коэффициентом расширения; II.10.7.1.2.2. углерод-углеродные композиционные материалы Примечание Стекла с малым коэффициентом расширения, указанные в пунктах II.10.7.1.2.1., II.10.7.1.3., II.10.7.1.4.1., II.10.7.2.1.10.1., II.10.7.2.2.1.1., II.10.7.2.3.1.1. II.10.7.2.3.3., II.10.7.6.6.2., II.10.7.6.7.1., II.10.7.6.8.1., определяются как стекла, имеющие коэффи- циент температурного расширения в 1*10-7К-1или о менее, измеренный при 293 К (20 С) II.10.7.1.3. Технология нанесения карбидов на керамики и стекла с ма- лым коэффициентом расширения II.10.7.1.4. Технология нанесения диэлектрических слоевых покрытий на: II.10.7.1.4.1. керамики и стекла с малым коэффициентом расширения; II.10.7.1.4.2. керамики и металлические матричные композиты; II.10.7.1.4.3. карбид, цементируемый вольфрамом; Примечание Карбид, цементируемый вольфрамом, указанный в пунктах II.10.7.1.4.3., II.10.7.1.5.2., II.10.7.1.7.1., II.10.7.2.1.7.3., II.10.7.2.1.9.1., II.10.7.2.1.10.4., II.10.7.2.2.1.4., II.10.7.2.3.1.4., II.10.7.6.8.4., II.10.7.6.16.1., II.10.7.6.17.1., II.10.7.7.3.2., II.10.7.7.4., не включает материалы, применяемые для резания и формования металла, состоящие из карбида вольфрама/(кобальт, никель), карбида титана/(кобальт, никель), хрома карбидоникель-хрома и хрома карбид/никеля II.10.7.1.4.4. молибден и его сплавы; II.10.7.1.4.5. бериллий и его сплавы; II.10.7.1.4.6. материалы окон датчиков Примечания: 1. Материалы окон датчиков, указанные в пунктах II.10.7.1.4.6., II.10.7.2.1.10.8., II.10.7.2.2.1.8., II.10.7.2.3.1.8., II.10.7.2.3.2., следующие: алюмин (окись алюминия), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, а также следующие галогениды металлов: иодистый калий, фтористый калий или материалы окон датчиков диаметром более 40 мм из бромистого таллия и хлоробромистого таллия. 2. Диэлектрические слоевые покрытия, упомянутые в пунк- тах II.10.7.1.4., II.10.7.2.1.10., II.10.7.2.2.1., II.10.7.2.3.1., II.10.7.6.8., определяются как много- слойные изолирующие материалы, в которых интерфе- ренционные свойства конструкции сочетаются с различ- ными индексами переотражения, что используется для отражения, передачи или поглощения различных диапазо- нов длин волн. Диэлектрические слои определяются по количеству более четырех или по качеству как компо- зит: диэлектрик/металл. II.10.7.1.5. Технологии нанесения карбидов и их смесей на: II.10.7.1.5.1. керамики и металлические матричные композиты; II.10.7.1.5.2. карбид, цементируемый вольфрамом; II.10.7.1.5.3. карбиды кремния Примечание. Смеси, упомянутые в пунктах II.10.7.1.5., II.10.7.1.7., II.10.7.2.1.1.-II.10.7.2.1.9., II.10.7.3.1., II.10.7.3.2., II.10.7.4.1., II.10.7.4.2., II.10.7.4.7., II.10.7.5.3., II.10.7.5.4., II.10.7.6.1.- II.10.7.6.7., II.10.7.6.15.-II.10.7.6.17., включают инфильтрирующий материал, композиции, выравнивающие температуру процесса, присадки и многоуровневые материалы и реализуются одним или несколькими процессами нанесения покрытий II.10.7.1.6. Технология нанесения тугоплавких металлов и их сплавов на керамики и металлические матричные композиты Примечание Тугоплавкие металлы, указанные в пунктах II.10.7.1.6., II.10.7.2.1.8., II.10.7.3.3.2., II.10.7.3.6., II.10.7.4.8.1., II.10.7.4.9.1., II.10.7.4.10.1., II.10.7.5.1., II.10.7.5.2., II.10.7.6.11.2., II.10.7.6.12.2., II.10.7.6.13.2., II.10.7.6.14.2., II.10.7.6.15., состоят из следующих металлов и их спла- вов: ниобия (колумбия - в США), молибдена, вольфрама и тантала II.10.7.1.7. Технологии нанесения вольфрама и его смеси на: II.10.7.1.7.1. карбид, цементируемый вольфрамом; II.10.7.1.7.2. карбиды кремния II.10.7.2. Технологии нанесения покрытий методами физического осаж- дения паров термовыпариванием Примечания: 1. Физическое осаждение паров испарением (термовыпарива- нием) - это процесс чисто внешнего покрытия в вакууме с давлением, меньшим 0,1 Па, когда источник тепловой энергии используется для превращения в пар наносимого материала. В результате процесса конденсат или по- крытие осаждается на соответствующие части поверхно- сти изделия. Появляющиеся в вакуумной камере газы в процессе осаждения поглощаются в большинстве модифи- каций процесса элементами сложного состава (компаун- дами) покрытия. Использование ионного или электронно- го излучения или плазмы для активизации или участия в нанесении покрытия также свойственно большинству модификаций процесса физического осаждения паров тер- термовыпариванием. Применение мониторов для обеспече- ния измерения в ходе процесса оптических характерис- тик или толщины покрытия может быть реализовано в бу- дущем для процессов этого типа. 2. Ионное плакирование - специальная модификация гене- рального процесса физического осаждения паров термо- выпариванием, в котором плазменный или ионный источ- ник используется для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательный заряд изделия способствует осаждению составляющих покрытия из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также использование мониторов, обеспечива- ющих измерения (в процессе нанесения покрытий) опти- ческих характеристик и толщины покрытий, свойственны обычным модификациям процесса физического осаждения паров термовыпариванием. II.10.7.2.1. Технологии нанесения покрытий методом электронно-лучево- го физического осаждения паров Примечание Электронно-лучевое физическое осаждение использует электронный луч для нагревания и испарения материала, наносимого на изделие II.10.7.2.1.1. Технологии нанесения сплавов силицидов и их смесей на суперсплавы II.10.7.2.1.2. Технологии нанесения силицидов и их смеси на: II.10.7.2.1.2.1. суперсплавы; II.10.7.2.1.2.2. керамики и металлические матричные композиты; II.10.7.2.1.2.3. углерод-углеродные композиционные материалы II.10.7.2.1.3.

Технология нанесения сплавов алюминидов и их смесей на суперсплавы Примечание Термин "покрытие сплавами на основе алюминидов", упомя- нутый в пунктах II.10.7.2.1.3., II.10.7.2.4.2., II.10.7.4.6., включает единичное или многослойное нанесение покрытий, в котором на элемент или элементы осаждается покрытие прежде или в течение процесса алитирования, даже если на эти элементы были осаждены покрытия другим процессом. Это, однако, исключает многократное использование одношагового процесса порош- кового алитирования для получения сплавов алюминидов II.10.7.2.1.4. Технологии нанесения МЦрАлЬ и их смесей на: II.10.7.2.1.4.1. суперсплавы; II.10.7.2.1.4.2. коррозионно-стойкие стали Примечание МЦрАлЬ, указанный в пунктах II.10.7.2.1.4., II.10.7.2.4.3., II.10.7.4.1., II.10.7.6.4., соответ- ствует сложному составу покрытия, где М эквивалентно кобальту, железу, никелю или их комбинации, а Х - эквивалентно гафнию, иттрию, кремнию, танталу в любом количестве или другим специально внесенным добавкам свыше 0,01 % по весу в различных пропорциях и комбина- циях, кроме: ЦоЦрАлЫ-покрытий, содержащих меньше 22 % по весу хрома, меньше 7 % по весу алюминия и меньше 2 % по весу иттрия; ЦоЦрАлЫ-покрытий, содержащих 22-24 % по весу хрома, 0,5-0,7 % по весу иттрия; НиЦрАлЫ-покрытий, содержащих 21-23 % по весу хрома, 10-12 % по весу алюминия и 0,9-1,1 % по весу иттрия II.10.7.2.1.5. Технологии нанесения модифицированного оксида циркония и смесей на его основе на: II.10.7.2.1.5.1. суперсплавы; II.10.7.2.1.5.2. коррозионно-стойкие стали II.10.7.2.1.6. Технология нанесения алюминидов и их смесей на супер- сплавы II.10.7.2.1.7. Технологии нанесения карбидов и их смесей на: II.10.7.2.1.7.1. углерод-углеродные композиционные материалы; II.10.7.2.1.7.2. керамики и металлические матричные композиты; II.10.7.2.1.7.3. карбид, цементируемый вольфрамом; II.10.7.2.1.7.4. карбид кремния II.10.7.2.1.8. Технологии нанесения тугоплавких металлов и их сплавов на: II.10.7.2.1.8.1. керамики и металлические матричные композиты; II.10.7.2.1.8.2. углерод-углеродные композиционные материалы II.10.7.2.1.9. Технологии нанесения вольфрама и его смеси на: II.10.7.2.1.9.1. карбид, цементируемый вольфрамом; II.10.7.2.1.9.2. карбид кремния II.10.7.2.1.10. Технологии нанесения диэлектрических слоевых покрытий на: II.10.7.2.1.10.1. керамики и стекла с малым коэффициентом расширения; II.10.7.2.1.10.2. углерод-углеродные композиционные материалы; II.10.7.2.1.10.3. керамики и металлические матричные композиты; II.10.7.2.1.10.4. карбид, цементируемый вольфрамом; II.10.7.2.1.10.5. карбид кремния; II.10.7.2.1.10.6. молибден и его сплавы; II.10.7.2.1.10.7. бериллий и его сплавы; II.10.7.2.1.10.8. материалы окон датчиков II.10.7.2.1.11. Технология нанесения боридов на титановые сплавы Примечание Титановые сплавы, указанные в пунктах II.10.7.2.1.11., II.10.7.2.1.12., II.10.7.3.3.1., II.10.7.3.4., II.10.7.3.5., II.10.7.4.3.2., II.10.7.4.4.2., II.10.7.4.5.2., II.10.7.4.6.2., II.10.7.4.8.2., II.10.7.4.9.2., II.10.7.4.10.2., II.10.7.7.2.1., II.10.7.7.3.1., определяются как аэрокосмические сплавы с предельным значением прочности на разрыв в 900 МПа или о более, измеренным при 293 К (20 С) II.10.7.2.1.12. Технология нанесения нитридов на титановые сплавы II.10.7.2.2. Нанесение покрытий методом физического осаждения паров с ионизацией посредством резистивного нагрева (ионное по- крытие) Примечание Физическое осаждение с терморезистором использует электрическое сопротивление в качестве источника тепла, способного обеспечить контролируемый и равномерный (од- нородный) поток паров материала покрытия II.10.7.2.2.1. Технологии нанесения диэлектрических слоевых покрытий на: II.10.7.2.2.1.1. керамики и стекла с малым коэффициентом расширения; II.10.7.2.2.1.2. углерод-углеродные композиционные материалы; II.10.7.2.2.1.3. керамики и металлические матричные композиты; II.10.7.2.2.1.4. карбид, цементируемый вольфрамом; II.10.7.2.2.1.5. карбиды кремния; II.10.7.2.2.1.6. молибден и его сплавы; II.10.7.2.2.1.7. бериллий и его сплавы; II.10.7.2.2.1.8. материалы окон датчиков II.10.7.2.3. Нанесение покрытий методом физического осаждения паров с применением лазерного испарения Примечание Лазерное испарение использует импульсный или непрерывный лазерный луч для нагрева материала, который формирует покрытие II.10.7.2.3.1. Технологии нанесения диэлектрических слоевых покрытий на: II.10.7.2.3.1.1. керамики и стекла с малым коэффициентом расширения; II.10.7.2.3.1.2. углерод-углеродные композиционные материалы; II.10.7.2.3.1.3. керамики и металлические матричные композиты; II.10.7.2.3.1.4. карбид, цементируемый вольфрамом; II.10.7.2.3.1.5. карбиды кремния; II.10.7.2.3.1.6. молибден и его сплавы; II.10.7.2.3.1.7. бериллий и его сплавы; II.10.7.2.3.1.8. материалы окон датчиков II.10.7.2.3.2. Технология нанесения алмазоподобного углерода на мате- риалы окон датчиков II.10.7.2.3.3. Технология нанесения силицидов на керамики и стекла с малым коэффициентом расширения II.10.7.2.4. Технологии нанесения покрытий методом физического осаж- дения паров с применением катодно-дугового разряда Примечание Процесс покрытия с применением катодной дуги использует расходуемый катод как материал, который формирует покры- тие, и имеет установившийся разряд дуги на поверхности катода после моментального контакта с заземленным пуско- вым устройством (триггером). Контролируемая дуговая эро- зия поверхности катода приводит к образованию высокоио- низированной плазмы. Анод может быть или коническим и расположенным по периферии катода через изолятор, или сама камера может играть роль анода. Для нелинейного уп- равления нанесением изоляции используются изделия с ре- гулированием их положения. Это определение не включает нанесение покрытий беспоря- дочной (произвольной) катодной дугой с фиксированным по- ложением изделия II.10.7.2.4.1. Технология нанесения сплавов силицидов на супер- сплавы II.10.7.2.4.2. Технология нанесения сплавов алюминидов на супер- сплавы II.10.7.2.4.3. Технология нанесения МЦрАлЬ на суперсплавы II.10.7.2.4.4. Технологии нанесения боридов на: II.10.7.2.4.4.1. полимеры; Примечание Упомянутые в пунктах II.10.7.2.4.4.1., II.10.7.2.4.5.1., II.10.7.2.4.6.1. полимеры влючают: полиамид, полиэфир, полисульфид, поликарбонаты и полиуретаны II.10.7.2.4.4.2. органические матричные композиты II.10.7.2.4.5. Технологии нанесения карбидов на: II.10.7.2.4.5.1. полимеры; II.10.7.2.4.5.2. органические матричные композиты II.10.7.2.4.6. Технологии нанесения нитридов на: II.10.7.2.4.6.1. полимеры; II.10.7.2.4.6.2. органические матричные композиты II.10.7.3. Технологии нанесения покрытий методом цементации Примечания: 1. Технология для одношаговой порошковой цементации твердых профилей крыльев экспортному контролю не под- лежит. 2. Порошковая цементация - модификация метода нанесения покрытия на поверхность или процесс нанесения чисто внешнего покрытия, когда изделие погружено в пудру - смесь нескольких компонентов (в пакет), которая сос- тоит из: металлических порошков, которые входят в состав покрытия (обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации); активатора (в большинстве случаев галогенидная соль); инертной пудры, наиболее часто оксида алюминия. Изделие и порошок содержатся внутри реторты (камеры), о которая нагревается от 1030 К (757 С) до 1375 К о (1102 С) на время, достаточное для нанесения покрытия II.10.7.3.1. Технологии нанесения силицидов и их смесей на: II.10.7.3.1.1. углерод-углеродные композиционные материалы; II.10.7.3.1.2. керамики и металлические матричные композиты II.10.7.3.2. Технологии нанесения карбидов и их смесей на: II.10.7.3.2.1. углерод-углеродные композиционные материалы; II.10.7.3.2.2. керамики и металлические матричные композиты II.10.7.3.3. Технологии нанесения силицидов на: II.10.7.3.3.1. титановые сплавы; II.10.7.3.3.2. тугоплавкие металлы и их сплавы II.10.7.3.4. Технология нанесения алюминидов на титановые сплавы II.10.7.3.5. Технология нанесения сплавов алюминидов на титановые сплавы II.10.7.3.6. Технология нанесения оксидов на тугоплавкие металлы и их сплавы II.10.7.4. Технологии нанесения покрытий методом плазменного напы- ления Примечания: 1. Плазменное напыление - процесс нанесения чисто внеш- него покрытия, когда плазменная пушка (горелка напыления), в которой образуется и управляется плаз- ма, принимая пудру и пруток (проволоку) из материала покрытия, расплавляет их и направляет на изделие, где формируется интегрально связанное покрытие. Плазмен- ное напыление может быть построено на напылении плаз- мой низкого давления или высокоскоростной плазмой, реализуемой под водой 2. Низкое давление означает давление ниже атмосферного 3. Высокоскоростная плазма определяется скоростью газа на срезе сопла (горелки напыления), превышающей о 750 м/с, рассчитанной при температуре 293 К (20 С) и давлении 0,1 МПа II.10.7.4.1. Технология нанесения МГрАлЬ и их смесей на: II.10.7.4.1.1. суперсплавы; II.10.7.4.1.2. алюминиевые сплавы; Примечание Термин "алюминиевые сплавы", упомянутый в пунктах II.10.7.4.1.2., II.10.7.4.2.2., II.10.7.4.7., соответст- вует сплавам с предельным значением прочности на разрыв в 190 МПа или более, измеренным при температуре 293 К о (20 С) II.10.7.4.1.3. коррозионностойкие стали II.10.7.4.2. Технология нанесения модифицированного оксида циркония и его смесей на: II.10.7.4.2.1. суперсплавы; II.10.7.4.2.2. алюминиевые сплавы; II.10.7.4.2.3. коррозионностойкие стали Примечание Указанный в пунктах II.10.7.4.2., II.10.7.6.5. модифи- цированный оксид циркония соответствует добавкам оксидов других металлов (таких как кальций, магний, иттрий, гаф- ний, редкоземельных оксидов и т.д.) в оксид циркония в соответствии с условиями стабильности определенных крис- таллографических фаз и фазы смещения. Термостойкие по- крытия из оксида циркония, модифицированные кальцием или оксидом магния методом смешения или расплава, экспорт- ному контролю не подвергаются II.10.7.4.3. Технология нанесения эрозионностойкого никель-графита на: II.10.7.4.3.1. суперсплавы; II.10.7.4.3.2. титановые сплавы II.10.7.4.4. Технология нанесения эрозионностойкого никель-хром-алю- миний-бетонита на: II.10.7.4.4.1. суперсплавы; II.10.7.4.4.2. титановые сплавы II.10.7.4.5. Технология нанесения эрозионностойкого алюминий-кремний- полиэфира на: II.10.7.4.5.1. суперсплавы; II.10.7.4.5.2. титановые сплавы II.10.7.4.6. Технология нанесения сплавов алюминидов на: II.10.7.4.6.1. суперсплавы; II.10.7.4.6.2. титановые сплавы II.10.7.4.7. Технологии нанесения силицидов и их смесей на алюминие- вые сплавы II.10.7.4.8. Технология нанесения алюминидов на: II.10.7.4.8.1. тугоплавкие металлы и их сплавы; II.10.7.4.8.2. титановые сплавы II.10.7.4.9. Технология нанесения силицидов на: II.10.7.4.9.1. тугоплавкие металлы и их сплавы; II.10.7.4.9.2. титановые сплавы II.10.7.4.10. Технология нанесения карбидов на: II.10.7.4.10.1. тугоплавкие металлы и их сплавы; II.10.7.4.10.2. титановые сплавы II.10.7.5. Технологии нанесения покрытий методом осаждения суспен- зии Примечание Осаждение суспензии - это процесс нанесения покрытия с модификацией покрываемой поверхности или чисто внешнего покрытия, когда металлическая или керамическая пудра с органическим связующим, суспензированными в жидкости, связываются с изделием напылением, погружением или ок- раской, с последующим воздушным или печным осушением, и тепловой обработкой для достижения необходимых свойств покрытия II.10.7.5.1. Технология нанесения легкоплавких силицидов на тугоплав- кие металлы и их сплавы II.10.7.5.2. Технология нанесения легкоплавких алюминидов (кроме ма- териалов для теплостойких элементов) на тугоплавкие ме- таллы и их сплавы II.10.7.5.3. Технология нанесения силицидов и их смесей на: II.10.7.5.3.1. углерод-углеродные композиционные материалы; II.10.7.5.3.2. керамические и металлические матричные композиты II.10.7.5.4. Технология нанесения карбидов и их смесей на: II.10.7.5.4.1. углерод-углеродные композиционные материалы; II.10.7.5.4.2. керамические и металлические матричные композиты II.10.7.6. Технология нанесения покрытий методом металлизации рас- пылением Примечания: 1. Металлизация распылением - это процесс нанесения чисто внешнего покрытия, базирующийся на феномене передачи количества движения, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле по направлению к поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая энергия ударов ионов достаточна для образования на поверхности мишени атомов материала покрытия с подхо- дящим размещением их на изделии 2. Учитываются только триодная, магнетронная или реакти- вная металлизация распылением, которые применяются для увеличения адгезии материала покрытия и скорости его нанесения, а также радиочастотное усиление напы- ления, используемое при нанесении парообразующих неметаллических материалов покрытий 3. Низкоэнергетические ионные лучи (меньше 5 кэВ) могут быть использованы для ускорения (активизации) процес- са нанесения покрытия II.10.7.6.1. Технология нанесения сплавов силицидов и их смесей на суперсплавы II.10.7.6.2. Технология нанесения сплавов алюминидов и их смесей на: II.10.7.6.2.1. суперсплавы; II.10.7.6.2.2. титановые сплавы II.10.7.6.3. Технология нанесения покрытий на основе алюминидов, модифицированных благородными металлами, на суперсплавы Примечание Термин "покрытие на основе алюминидов с модификацией благородным металлом" включает многошаговое нанесение покрытий, при котором благородный металл или благородные металлы нанесены ранее каким-либо другим процессом до применения метода нанесения алюминида II.10.7.6.4. Технология нанесения МЦрАлЬ и их смесей на суперсплавы II.10.7.6.5. Технология нанесения модифицированного оксида циркония и его смеси на суперсплавы II.10.7.6.6. Технология нанесения платины и ее смеси на: II.10.7.6.6.1. суперсплавы; II.10.7.6.6.2. керамики и стекла с малым коэффициентом расширения II.10.7.6.7. Технология нанесения силицидов и их смесей на: II.10.7.6.7.1. керамики и стекла с малым коэффициентом расширения; II.10.7.6.7.2. углерод-углеродные композиционные материалы; II.10.7.6.7.3. керамики и металлические матричные композиты II.10.7.6.8. Технология нанесения диэлектрических слоевых покрытий на: II.10.7.6.8.1. керамики и стекла с малым коэффициентом расширения; II.10.7.6.8.2. углерод-углеродные композиционные материалы; II.10.7.6.8.3. керамики и металлические матричные композиты; II.10.7.6.8.4. карбид, цементируемый вольфрамом; II.10.7.6.8.5. карбид кремния; II.10.7.6.8.6. молибден и его сплавы; II.10.7.6.8.7. бериллий и его сплавы; II.10.7.6.8.8. материалы окон датчиков II.10.7.6.9. Технология нанесения боридов на титановые сплавы II.10.7.6.10. Технология нанесения нитридов на титановые сплавы II.10.7.6.11. Технология нанесения оксидов на: II.10.7.6.11.1. титановые сплавы; II.10.7.6.11.2. тугоплавкие металлы и их сплавы II.10.7.6.12. Технология нанесения силицидов на: II.10.7.6.12.1. титановые сплавы; II.10.7.6.12.2. тугоплавкие металлы и их сплавы II.10.7.6.13. Технология нанесения алюминидов на: II.10.7.6.13.1. титановые сплавы; II.10.7.6.13.2. тугоплавкие металлы и их сплавы II.10.7.6.14. Технология нанесения карбидов на: II.10.7.6.14.1. титановые сплавы; II.10.7.6.14.2. тугоплавкие металлы и их сплавы II.10.7.6.15. Технология нанесения тугоплавких металлов и их смесей на: II.10.7.6.15.1. углерод-углеродные композиционные материалы; II.10.7.6.15.2. керамики и металлические матричные композиты II.10.7.6.16. Технология нанесения карбидов и их смесей на: II.10.7.6.16.1. карбид, цементируемый вольфрамом; II.10.7.6.16.2. карбид кремния II.10.7.6.17. Технология нанесения вольфрама и его смесей на: II.10.7.6.17.1. карбид, цементируемый вольфрамом; II.10.7.6.17.2. карбид кремния II.10.7.7. Технологии нанесения покрытий методом ионной имплантации Примечание Ионная имплантация - это процесс нанесения покрытия с модификацией поверхности изделия, в котором материал (сплав) ионизируется, ускоряется системой, обладающей градиентом потенциала, и насыщается (имплантируется) на участок поверхности изделия. К этим процессам с ионным насыщением относятся и процес- сы, в которых ионное насыщение самопроизвольно выпол- няется с выпариванием электронным лучом или метал- лизацией распылением II.10.7.7.1. Технологии нанесения добавок хрома, тантала или ниобия (колумбия) на жаропрочные стали II.10.7.7.2. Технология нанесения боридов на: II.10.7.7.2.1. титановые сплавы; II.10.7.7.2.2. бериллий и его сплавы II.10.7.7.3. Технология нанесения нитридов на: II.10.7.7.3.1. титановые сплавы; II.10.7.7.3.2. карбид, цементируемый вольфрамом; II.10.7.7.4. Технология нанесения карбидов на карбиды, цементируемые вольфрамом II.10.8. Конструкция и технология производства специально разра- ботанного оборудования, инструментов или приспособлений для производства или измерения параметров лопаток га- зовых турбин, литых лопастей или краев кожухов II.10.8.1. Конструкция и технология производства автоматического измерительного оборудования, использующего немеханичес- кие методы измерения толщины стенок несущих профилей лопаток II.10.8.2. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения автомати- ческого измерительного оборудования, указанного в пункте I.9.5.1. II.10.8.3. Конструкция и технология производства инструментов, фиксационного и измерительного оборудования для лазерно- го, водоструйного или электроэрозионного электротехни- ческого сверления отверстий (полостей), указанных в пунктах I.9.5.2.-I.9.5.2.2. II.10.8.4. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения инструмен- тов, фиксационного и измерительного оборудования для лазерного, водоструйного или электроэрозионного электро- технического сверления отверстий (полостей), указанных в пунктах I.9.5.2.-I.9.5.2.2. II.10.8.5. Конструкция и технология производства керамических стержней (ядер, сердечников) или патронов (вкладышей) II.10.8.6. Конструкция и технология производства керамических стержней (ядер, сердечников) производственного оборудо- вания или инструментов II.10.8.7. Конструкция и технология производства керамических сердечников для выщелачивающего оборудования II.10.8.8. Конструкция и технология производства керамических патронов (оболочек) оборудования для изготовления вос- ковых моделей II.10.8.9. Конструкция и технология производства керамических патронов (вкладышей, оболочек) оборудования для обжи- гания или выжигания (вжигания) II.10.9. Конструкция и технология производства систем для конт- роля в реальном масштабе времени, приборов (включая датчики) или оборудования с ЧПУ, специально разработан- ных для производства газотурбинных двигателей, техноло- гически объединенных агрегатов или компонентов, указанных в пунктах I.11.8.1.-I.11.8.13. II.10.10. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения систем для контроля приборов или оборудования с ЧПУ, указанных в пункте I.9.6. II.10.11. Конструкция и технология производства оборудования, специально разработанного для производства и испытания (проверки) креплений лопаток газовых турбин, разработан- ных для функционирования при скоростях на концах лопа- ток, превышающих 335 м/с и специально разработанные приспособления или детали для них II.10.12. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения оборудования для производства и испытаний креплений лопаток газовых турбин, указанных в пункте I.9.7. II.10.13. Конструкция и технология производства инструментов, штампов и зажимных приспособлений для соединения в твер- дом состоянии (термодиффузионным сращиванием) элементов газотурбинных двигателей из суперсплавов и титана II.10.14. Программное обеспечение для проектирования и производ- ства инструментов, штампов и зажимных приспособлений, указанных в пункте I.9.8. II.10.15. Конструкция и технология производства инструментов (ос- настки) для производства методом порошковой металлургии и гранульной технологии элементов роторов турбин двига- телей, способных функционировать при напряжении на уров- не 60 % или более предельной прочности на растяжение и о температуре металла 873 К (600 С) или более II.10.16. Программное обеспечение для проектирования, производства или применения инструментов (оснастки), указанных в пункте I.9.9. II.10.17. Конструкция и технология производства оборудования для разработки и производства накопителей на магнитных и оптических дисках II.10.17.1. Конструкция и технология производства оборудования, специально спроектированного для нанесения магнитного покрытия на жесткие (не гибкие) магнитные или магнито- оптические носители, указанные в пункте I.16.9.5.1. Примечание Пункт II.10.17.1. не распространяется на конструкцию и технологию производства оборудования общего назначения для напыления II.10.17.2. Конструкция и технология производства оборудования, снабженного программно-управляемым запоминающим уст- ройством и специально спроектированного для обеспечения качества, сортировки по качеству, прогонов или тести- рования жестких магнитных носителей, указанного в пункте II.16.9.5.2. II.10.17.3. Конструкция и технология производства оборудования, специально спроектированного для производства или юсти- ровки головок или головок в сборке с диском, примени- тельно к подлежащим экспортному контролю жестким магнит- ным и магнитооптическим накопителям, а также их электро- механических или оптических узлов, указанных в пунктах I.16.9.5.-I.16.9.5.2. II.10.18. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или использования оборудования для разработки и производства накопителей на магнитных и оптических дисках, указанных в пунктах I.9.10.-I.9.10.3. Раздел II.11. Датчики, измерительная аппаратура и приборы II.11.1. Конструкция и технология производства оборудования для неразрушающего контроля, способного обнаруживать дефекты в трех измерениях, используя методы ультразвуковой или рентгеновской томографии, специально созданного для композитных материалов II.11.2. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения в оборудовании для неразрушающего контроля, указанного в пункте I.10.1. II.11.3. Конструкция и технология производства магнитометров, магнитных градиометров, эталонных магнитных градиометров и компенсационных систем и специально разработанных ком- понентов Примечание Экспортный контроль по пунктам II.11.3.-II.11.3.12. не распространяется на конструкцию и технологию производ- ства специальных инструментов для биомагнитных измерений медицинской диагностики, если они не содержат датчиков, указанных в пунктах I.10.2.8.-I.10.2.8.4. II.11.3.1. Конструкция и технология производства магнитометров, использующих технологии сверхпроводимости с оптической накачкой или ядерной прецессией (протонной/Оверхаузе- ра) и имеющих среднеквадратическое значение уровня шумов (чувствительность) менее (лучше) 0,05 нТ,деленные на ко- рень квадратный из частоты в Гц II.11.3.2. Конструкция и технология производства магнитометров с катушкой индуктивности, имеющих среднеквадратическое значение уровня шумов меньше (лучше): II.11.3.2.1. 0,05 нТ, деленные на корень квадратный из частоты в Гц - на частоте менее 1 Гц; II.11.3.2.2. 1*10-3 нТ, деленные на корень квадратный из частоты в Гц-на частоте 1 Гц или более, но не более 10 Гц; II.11.3.2.3. 1*10-4 нТ, деленные на корень квадратный из частоты в Гц-на частоте более 10 Гц; II.11.3.3. Конструкция и технология производства волоконноопти- ческих магнитометров со среднеквадратическим значением уровня шума (чувствительностью) менее (лучше) чем 1 нТ, деленная на корень квадратный из частоты в Гц II.11.3.4. Конструкция и технология производства магнитных градио- метров, использующих наборы магнитометров, указанных в пунктах I.10.2.1., I.10.2.2. или I.10.2.3. II.11.3.5. Конструкция и технология производства волоконноопти- ческих эталонных магнитных градиометров со среднеквад- ратическим значением уровня шума (чувствительностью) градиента магнитного поля менее (лучше) 0,3 нТ, де- ленные на метр и корень квадратный из частоты в Гц II.11.3.6. Конструкция и технология производства эталонных магнит- ных градиометров с использованием технологии, отличной от оптоволоконной, со среднеквадратическим значением уровня шума (чувствительностью) градиента магнитного поля менее (лучше) 0,015 нТ, деленные на метр и корень квадратный из частоты в Гц II.11.3.7. Конструкция и технология производства магнитокомпенса- ционных систем для магнитных датчиков, предназначенных для работы на подвижных платформах II.11.3.8. Конструкция и технология производства электромагнитных датчиков для измерения электромагнитного поля на частотах 1 кГц и менее, содержащих компоненты, хотя бы один из которых является сверхпроводником (включая устройства на эффекте Джозефсона или сверхпроводящие устройства квантовой интерференции (СКВИД), разрабо- танных для функционирования при температурах ниже крити- ческой, и имеющих одну из следующих характеристик: II.11.3.8.1. включающие тонкопленочные СКВИД с минимальным характерным размером менее 2 мкм и соответствующими схемами соединения входа и выхода; II.11.3.8.2. разработанные для функционирования при максимальной скорости нарастания магнитного поля более 10 квантов магнитного потока в секунду; II.11.3.8.3. разработанные для функционирования без магнитного экрана в окружающем земном магнитном поле; II.11.3.8.4. имеющие температурный коэффициент менее 0,1 кванта магнитного потока на кельвин II.11.3.9. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства и использования магнитомет- ров, градиометров, компенсационных систем и специально разработанных компонентов, указанных в пунктах I.10.2.- I.10.2.8.4. II.11.3.10. Специализированное программное обеспечение для магни- токомпенсационных систем для магнитных датчиков подвиж- ных платформ (транспортных средств) II.11.3.11. Специализированное программное обеспечение для обна- ружения магнитных аномалий на подвижных платформах (транспортных средствах) II.11.3.12. Технология производства феррозондовых магнитометров или систем феррозондовых магнитометров с уровнем шумов менее чем 0,05 нТ, деленные на корень квадратный из частоты в Гц - на частотах менее 1 Гц (среднеквадратическое значе- ние) или 1*10-3 нТ, деленные на корень квадратный из частоты в Гц - на частотах 1 Гц или более (среднеквадратическое значение) II.11.4. Конструкция и технология производства гравитометров II.11.4.1. Конструкция и технология производства гравитометров для наземного использования со статистической точностью менее (лучше) 1 * 10-7 м/с2 (10 мкГал) Примечание Экспортный контроль по пункту II.11.4.1. не распрост- раняется на конструкцию и технологию производства назем- ных гравитометров типа кварцевых элементов Уордена II.11.4.2. Конструкция и технология производства аппаратуры для настройки и калибровки наземных гравитометров со статис- тической погрешностью не хуже чем 7 * 10-6 м/с2 (0,7 мГал) II.11.5. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства и использования наземных гравитометров и аппаратуры для их настройки и калиб- ровки, указанных в пунктах I.10.3.-I.10.3.2. II.11.6. Специально разработанное программное обеспечение для коррекции влияния движения гравитометров или гравита- ционных градиометров II.11.7. Конструкция и технология производства бортовых альти- метров, действующих на частотах, отличных от 4,2 до 4,4 ГГц включительно, имеющих одну из следующих характерис- тик: II.11.7.1. управление мощностью; II.11.7.2. использующих амплитудную модуляцию с переменной фазой II.11.8. Программное обеспечение для проектирования или произ- водства бортовых альтиметров, указанных в пунктах I.10.4.-I.10.4.2. II.11.9. Конструкция и технология производства гироскопов, имею- щих характеристики, указанные в пункте I.10.5. II.11.10. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования или производства гироскопов, имеющих характеристики, указанные в пункте I.10.5. II.11.11. Конструкция и технология производства инерциальных на- вигационных систем (платформенных и бесплатформенных) и инерциального оборудования, указанного в пунктах I.10.6. -I.10.6.2. II.11.12. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования или производства инерциальных навигационных систем и инерциального оборудования, указанного в пунктах I.10.6.-I.10.6.2. II.11.13. Конструкция и технология производства приемной аппа- ратуры и специально разработанных компонентов глобаль- ной спутниковой навигационной системы, указанных в пунктах I.10.7.-I.10.7.2. II.11.14. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования и производства при- емной аппаратуры и специально разработанных компонентов глобальной спутниковой системы, указанных в пунктах I.10.7.-I.10.7.2. II.11.15. Программное обеспечение для использования в любом инерциальном навигационном оборудовании и в системе определения курсового направления самолета в воздухе (кроме платформенной системы определения положения самолета в воздухе) Примечание Система определения положения курсового направ- ления самолета в воздухе обычно отличается от инерциальной навигационной системы (ИНС) тем, что система определения углового (курсового) положения самолета в воздухе обеспечивает информацией о направлении и не обеспечивает информацией об ускорении, скорости и положении (координате), снимаемой с ИНС II.11.16. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для улучшения действующих характеристик или уменьшения навигационной ошибки инерциальных навига- ционных систем (платформенных и бесплатформенных) и инерциального оборудования для определения местоположе- ния, наведения и управления до уровней, указанных в пункте I.10.6.1. II.11.17. Исходная программа для гибридных комплексных систем, которая улучшает действующие характеристики или уменьшает навигационную ошибку систем до 0,8 морской мили в час и менее, при комбинировании (сочетании) инерциальных данных с любыми из следующих навигационных данных: II.11.17.1. доплеровским определителем (радара) скорости; II.11.17.2. глобальной спутниковой навигационной системой определения местоположения; II.11.17.3. базой данных о местности II.11.18. Конструкция и технология производства систем подводного наблюдения II.11.18.1. Конструкция и технология производства телевизионных систем (включая камеру, осветительные приборы, оборудо- вание мониторинга и передачи сигнала), имеющих предель- ное разрешение, ограниченное более чем 500 линиями при измерении его в воздушной среде, а также телесистем, специально спроектированных или модифицированных для дистанционного управления подводным судном II.11.18.2. Конструкция и технология производства подводных телека- мер, имеющих предельное разрешение более чем 700 линий при измерении разрешения в воздушной среде II.11.18.3. Конструкция и технология производства систем, специально спроектированных или модифицированных для дистанционного управления подводным судном, использующих способы мини- мизации эффектов обратного рассеяния, включая РЛС облу- чения в узком диапазоне или лазерные системы II.11.18.4. Конструкция и технология производства телевизионных ка- мер, предназначенных для съемки объектов с низким уров- нем освещенности, специально спроектированных или моди- фицированных для использования под водой и содержащих трубки с микроканальным усилителем изображения, указан- ные в пункте I.12.2.1.2.1., и имеющих более чем 150000 активных каналов на площади твердотельного приемника II.11.18.5. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения систем подводного наблюдения, указанных в пунктах I.10.9.-I.10.9.4. II.11.18.6. Конструкция и технология производства фотодиапозитивных камер, специально спроектированных или модифицированных для подводного применения, указанных в пункте I.10.9.5. II.11.18.7. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения фотодиапозитивных камер, указанных в пункте I.10.9.5. II.11.18.8. Конструкция и технология производства электронных систем наблюдения, специально спроектированных или моди- фицированных для подводного использования, способных хранить в цифровой форме более чем 50 экспонированных кадров II.11.18.9. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения электронных систем наблюдения, указанных в пункте I.10.9.6. II.11.19. Конструкция и технология производства систем подсветки, специально спроектированных или модифицированных для применения под водой: II.11.19.1. стробоскопических световых систем с энергией выхода более чем 300 Дж в одной вспышке; II.11.19.2. аргонодуговых световых систем, специально спроектиро- ванных для использования под водой на глубинах ниже 1000 м; II.11.19.3. программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения систем подсветки, указанных в пунктах I.10.10.-I.10.10.2. II.11.20. Конструкция и технология производства акустической аппаратуры, оборудования и систем II.11.20.1. Конструкция и технология производства морских акус- тических систем, аппаратуры или специально разработанных компонентов II.11.20.1.1. Конструкция и технология производства активных (пере- дающих или приемопередающих) акустических систем обору- дования или специально разработанных компонентов Примечание Экспортный контроль по пункту II.11.20.1.1. не распрост- раняется на конструкцию и технологию производства звуко- вых измерителей глубины вертикального действия без сканирования луча в пределах свыше +10о, имеющих ограниченное применение для измерения глубины или расстояния до погруженного или заглубленного объекта, а также косяков рыбы II.11.20.1.1.1. Конструкция и технология производства широкообзорных акустических систем морского картографирования, разра- ботанных: II.11.20.1.1.1.1. для измерения при углах отклонения от вертикали более 10о и измерения глубин более 600 м от поверхности воды; II.11.20.1.1.1.2. для использования набора лучей, каждый из которых не шире 2о, или для обеспечения точности измерений лучше 0,5 % глубины воды, полученной усреднением отдельных измерений II.11.20.1.1.2. Конструкция и технология производства акустических систем обнаружения или определения местоположения объекта, имеющих одну из следующих характеристик: II.11.20.1.1.2.1. рабочую частоту менее 10 кГц; II.11.20.1.1.2.2. уровень звукового давления свыше 224 дБ (1 мкПа на 1 м) для аппаратуры с рабочей частотой в диапазоне от 10 до 24 кГц; II.11.20.1.1.2.3. уровень звукового давления свыше 235 дБ (1 мкПа на 1 м) для аппаратуры с рабочей частотой в диапазоне от 24 до 30 кГц; II.11.20.1.1.2.4. формирование луча уже 1о по любой оси и рабочую частоту ниже 100 кГц; II.11.20.1.1.2.5. разработанные для нормального функционирования на глубинах свыше 1000 м и имеющих передатчик с одной из следующих характеристик: II.11.20.1.1.2.5.1. динамически подстраиваемый под давление; II.11.20.1.1.2.5.2. содержащий излучающий элемент, отличный от титаната цирконата; II.11.20.1.1.2.5.3. разработанный для измерения расстояний до объектов более 5120 м II.11.20.1.1.3. Конструкция и технология производства акустических прожекторов, включающих излучатели с пьезоэлектри- ческими, магнитострикционными, электрострикционными, электродинамическими или гидравлическими элементами, функционирующих независимо или в совокупности и имеющих одну из следующих характеристик: II.11.20.1.1.3.1. плотность мгновенно излучаемой акустической мощности, превышающую 0,01 мВт/(кв.мм * Гц) для приборов, дей- ствующих на частотах ниже 10 кГц; II.11.20.1.1.3.2. плотность непрерывно излучаемой акустической мощнос- ти, превышающую 0,001 мВт/(кв.мм * Гц) для приборов, действующих на частотах ниже 10 кГц; II.11.20.1.1.3.3. проектное предназначение для нормального функцио- нирования на глубинах свыше 1000 м; II.11.20.1.1.3.4. способность подавления боковых лепестков более 22 дБ Примечание Экспортный контроль по пунктам II.11.20.1.1.3.- II.11.20.1.1.3.4. не распространяется на конструкцию и технологию производства электронных источников с только вертикальным акустическим излучением или механических (например, воздушных или паровых ружей) или химических (например, взрывных) источников II.11.20.1.1.4. Конструкция и технология производства акустических сис- тем, аппаратуры или специально разработанных ком- понентов для определения положения надводных или подводных судов, разработанных: II.11.20.1.1.4.1. для работы на дистанции свыше 1000 м с точностью позиционирования менее 10 м при измерении на расстоянии 1000 м; II.11.20.1.1.4.2. для работы на глубинах более 1000 м Примечание Пункты II.11.20.1.1.4.-II.11.20.1.1.4.2. включают конструкцию и технологию производства аппаратуры с использованием когерентной обработки сигналов между двумя или более маяками и гидрофонного устройства надводных и подводных судов, либо аппаратуры, обладающей способностью автокоррекции погрешности скорости распространения звука II.11.20.1.2. Конструкция и технология производства пассивных (прини- мающих в штатном режиме независимо от связи с активной аппаратурой) акустических систем, аппаратуры или спе- циально разработанных компонентов II.11.20.1.2.1. Конструкция и технология производства гидрофонов (преобразователей) II.11.20.1.2.1.1. Конструкция и технология производства гидрофонов (преобразователей), включающих гибкие датчики непре- рывного действия или сборки датчиков дискретного действия с диаметром либо длиной менее 20 мм и расстоянием между элементами менее 20 мм II.11.20.1.2.1.2. Конструкция и технология производства гидрофонов (преобразователей), имеющих любой из следующих чувст- вительных элементов: II.11.20.1.2.1.2.1. оптоволоконный; II.11.20.1.2.1.2.2. пьезоэлектрический полимерный; II.11.20.1.2.1.2.3. пьезоэлектрический из гибкой керамики II.11.20.1.2.1.3. Конструкция и технология производства гидрофонов (преобразователей), имеющих гидрозвуковую чувстви- тельность лучше -180 дБ на любой глубине, без компенсации ускорения II.11.20.1.2.1.4. Конструкция и технология производства гидрофонов (преобразователей), разработанных для глубин не более 35 м, с гидрозвуковой чувствительностью лучше -186 дБ и компенсацией ускорения II.11.20.1.2.1.5. Конструкция и технология производства гидрофонов (преобразователей), разработанных для нормальной ра- боты на глубинах более 35 м, с гидрозвуковой чувстви- тельностью лучше -192 дБ и компенсацией ускорения II.11.20.1.2.1.6. Конструкция и технология производства гидрофонов (преобразователей), разработанных для нормальной ра- боты на глубинах свыше 100 м, с гидрозвуковой чувст- вительностью лучше -204 дБ II.11.20.1.2.1.7. Конструкция и технология производства гидрофонов (преобразователей), разработанных для работы на глу- бинах более 1000 м II.11.20.1.2.2. Конструкция и технология производства буксируемых акустических гидрофонных решеток: II.11.20.1.2.2.1. с расположением гидрофонов менее чем на 12,5 м в решетке; II.11.20.1.2.2.2. с расположением гидрофонной группы от 12,5 до 25 м, разработанной или способной быть модифицированной для работы на глубине более 25 м; II.11.20.1.2.2.3. с расположением гидрофонной группы на расстоянии 25 м или более, разработанной для работы на глубине свыше 100 м; II.11.20.1.2.2.4. разработанных или способных быть модифицированными для глубин более 35 м с головными датчиками, вклю- ченными в соединительный кабель решетки и имеющими точность лучше +0,5о, или датчиками, смонтированными снаружи соединительного кабеля решетки, обладающими способностью работать с вращением на 360о на глубине более 35 м; II.11.20.1.2.2.5. с неметаллическими усиливающими элементами или соеди- нительным кабелем с продольным усилением кабеля; II.11.20.1.2.2.6. с диаметром гидрофонной решетки в собранном виде менее 40 мм; II.11.20.1.2.2.7. с уплотненным групповым сигналом гидрофона; II.11.20.1.2.2.8. с характеристиками гидрофона, определенными в пунктах I.10.11.1.2.1.-I.10.11.1.2.1.7. II.11.20.1.2.3. Конструкция и технология производства аппаратуры обра- ботки сигналов, специально разработанной для акусти- ческих гидрофонных решеток, с любой из следующих ха- рактеристик: II.11.20.1.2.3.1. быстрым преобразованием Фурье или другими преобразо- ваниями данных по 1024 или более точкам менее чем за 20 мс без возможности программирования пользовате- лем; II.11.20.1.2.3.2. обработкой во временной или частотной области и корреляцией, включая спектральный анализ, цифровую фильтрацию и формирование луча с использованием быст- рого преобразования Фурье или других преобразований или процессов с возможностью программирования поль- зователем II.11.20.2. Специально разработанное программное обеспечение для формирования акустического луча, обработки в реальном масштабе времени акустических данных при пассивном приеме с использованием шланговых гидрофонных решеток II.11.20.3. Программное обеспечение для обработки в реальном мас- штабе времени акустических данных для пассивного приема с использованием шланговых гидрофонных решеток II.11.20.4. Конструкция и технология производства наземных геофонов, обладающих способностью к преобразованию в морские системы, оборудования или специально разработанных компонентов, указанных в пунктах I.10.11.1.2.1.- I.10.11.1.2.1.7. II.11.20.5. Конструкция и технология производства аппаратуры на лагах для корреляционного измерения горизонтальной составляющей скорости относительно морского дна на рас- стояниях между носителем и дном свыше 500 м Раздел II.12. Двигатели и движители, системы и оборудование для них II.12.1. Конструкция и технологии производства изолированных от атмосферы двигательных систем, специально спроектирован- ных для применения под водой II.12.1.1. Конструкция и технология производства, ремонта и восста- новления чистоты поверхности изолированных от атмосферы двигательных систем с двигателями циклов Брайтона, Стирлинга или Ренкина, имеющих любую из следующих составляющих: II.12.1.1.1. химические скрубберы или абсорберы, специально спроектированные для удаления двуокиси углерода и частиц из рециркулируемого выхлопа двигателя; II.12.1.1.2. системы, специально спроектированные для применения моноатомного газа; II.12.1.1.3. приборы или глушители, специально спроектированные для снижения шума под водой с частотами ниже 10 кГц, или специально смонтированные приборы для смягчения хлопка выброса; II.12.1.1.4. системы, специально спроектированные для прессования продуктов реакции, реформации топлива или хранения продуктов реакции при противодавлении в 100 кПа или более II.12.1.2. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения систем, указанных в пунктах I.11.1.1.- I.11.1.1.4. II.12.1.3. Конструкция и технологии производства, ремонта и восста- новления чистоты поверхности дизельных двигателей (для изолированных от атмосферы двигательных систем), имеющих все следующие составляющие: II.12.1.3.1. химические скрубберы или абсорберы, специально спроектированные для удаления двуокиси углерода, моноокиси углерода и частиц из рециркулируемого выхлопа двигателя; II.12.1.3.2. системы, специально спроектированные для применения моноатомного газа; II.12.1.3.3. приборы или глушители, специально спроектированные для снижения шума под водой с частотами ниже 10 кГц или специально смонтированные для смягчения хлопка выброса; II.12.1.3.4. специально спроектированные выхлопные системы с задержкой выброса продуктов сгорания II.12.1.4. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения дизельных двигателей, указанных в пунктах I.11.1.2.-I.11.1.2.4. II.12.1.5. Конструкция и технологии производства, капитального ре- монта и восстановления чистоты поверхности топливных отсеков для изолированных от атмосферы двигательных систем с выходной мощностью, превышающей 2 кВт, имеющих какую-либо из следующих характеристик: II.12.1.5.1. приборы или глушители, специально спроектированные для снижения шума под водой с частотами ниже 10 кГц, или специально смонтированные приборы для смягчения хлопка выброса; II.12.1.5.2. системы, специально спроектированные для прессования продуктов реакции или для реформации топлива, хранения продуктов реакции или выхлопа продуктов реакции при противодавлении в 100 кПа или более II.12.1.6. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования и производства топливных отсеков, указанных в пунктах I.11.1.3.- I.11.1.3.2. II.12.1.7. Конструкция и технология производства подъемных венти- ляторов с уровнем мощности более 400 кВт, специально спроектированных для судов с поверхностным эффектом, указанных в пунктах I.13.1.6. или I.13.1.7. II.12.1.8. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения подъемных вентиляторов, указанных в пункте I.11.2. II.12.1.9. Конструкция и технологии производства, капитального ре- монта и восстановления чистоты поверхности систем движи- телей с водяным винтом или передачи мощности, специально спроектированных для судов с поверхностным эффектом (с полностью изменяемой или неизменяемой поверхностной конфигурацией), для судов с гидрокрыльями и на небольшом подводном крыле, указанных в пунктах I.13.1.6.- I.13.1.9.: II.12.1.9.1. суперкавитационных, супервентиляторных, частично погруженных или опускаемых (проникающих через поверхность) движителей с уровнем мощности более 7,5 МВт; II.12.1.9.2. соосных гребных винтов противоположного вращения с уровнем передаваемой мощности более 15 МВт; II.12.1.9.3. систем, служащих для выравнивания потока, набегающего на движитель; II.12.1.9.4. легковесного, высокого качества (значение К-фактора превышает 300) редуктора; II.12.1.9.5. систем передачи мощности трансмиссионным валом, вклю- чающих компоненты из композиционных материалов и способных осуществлять передачу мощности, большую 1 МВт II.12.1.10. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения систем, указанных в пунктах I.11.3.-I.11.3.5. II.12.1.11. Конструкция и технологии производства, капитального ре- монта и восстановления чистоты поверхности движителей с водяным винтом, системы получения и передачи энергии для применения на судах: II.12.1.11.1. гребных винтов регулируемого шага и сборки ступицы с уровнем передачи мощности более 30 МВт; II.12.1.11.2. электрических двигателей с водяным внутренним охлаж- дением и выходной мощностью выше 2,5 МВт; II.12.1.11.3. магнитогидродинамических движителей с выходной мощностью более 0,1 МВт с применением сверхпроводимости; II.12.1.11.4. систем передачи мощности трансмиссионным валом, включающих компоненты из композиционных материалов и способных осуществлять передачу мощности, большую 2 МВт; II.12.1.11.5. систем вентиляторных (или на базе вентиляторных) винтов с уровнем передаваемой мощности более 2,5 МВт II.12.1.12. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения движителей, указанных в пунктах I.11.4.- I.11.4.5 II.12.1.13. Конструкция, технологии производства и капитального ре- монта систем снижения шума для применения на судах водоизмещением 1000 тонн или более: II.12.1.13.1. систем снижения шума, уменьшающих уровень шума частотой ниже 500 Гц и состоящих из компаундных акустических сборок для акустической изоляции дизельных двигателей, дизель-генераторных установок, газовых турбин, газотурбинных генераторных установок, двигательных установок или редукторов, специально спроектированных для звуковой или вибрационной изоляции, имеющих усредненную массу свыше 30 % от массы всего монтируемого оборудования; II.12.1.13.2.

активных систем снижения шума или его погашения, или подшипников на магнитном подвесе, специально спроектированных для мощных трансмиссионных систем, и включающих электронные системы управления, способные активно снижать вибрации оборудования генерацией антишумовых или антивибрационных сигналов непосредственно у источника шума II.12.1.14. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения систем снижения шума, указанных в пунктах I.11.5.-I.11.5.2. II.12.1.15. Конструкция и технологии производства, капитального ре- монта и восстановления чистоты поверхности систем движе- ния на струйном двигателе с уровнем выходной мощности, превышающим 2,5 МВт, использующих отклоняющееся сопло и технику регулирования потока лопаткой (лопастью) с целью увеличения эффективности движителя или снижения генери- руемых движителем и распространяемых под водой шумов II.12.1.16. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения в системах движения на струйном двигателе, указанных в пункте I.11.6. II.12.1.17. Специфическое программное обеспечение, специально соз- данное или модифицированное для разработки, произво- дства, текущего ремонта, капитального ремонта или вос- становления чистоты поверхности (ремашинизации) винтов, специально спроектированных для снижения их шума под водой II.12.1.18. Технология производства, текущего ремонта, капитального ремонта и восстановления чистоты поверхности (ремашини- зации) винтов, специально спроектированных для снижения их шума под водой II.12.2. Конструкция и технология производства, ремонта и восста- новления морских газотурбинных двигателей с эксплуата- ционной мощностью 13,795 кВт или более и удельным расходом топлива менее 0,243 кг/(кВт*ч), и специально разработанных агрегатов и компонентов для таких двига- телей II.12.3. Программное обеспечение, необходимое для проектирования и производства морских газотурбинных двигателей, указанных в пункте I.11.7. II.12.4. Программное обеспечение, необходимое для работы пол- ностью автономных электронно-цифровых контроллеров для двигательных систем, указанных в пункте I.11.7. II.12.5. Конструкция и технология производства специально разра- ботанных агрегатов и компонентов газотурбинных двига- телей II.12.5.1. Конструкция и технология производства многокупольных камер сгорания, работающих при средних температурах на о выходе из камеры свыше 1643 К (1370 С), или камер сгорания, содержащих термически разделенные теплозащит- ные элементы, неметаллические теплозащитные элементы или неметаллические корпуса II.12.5.2. Конструкция и технология производства компонентов, изго- товленных из органических композиционных материалов для о температур применения свыше 588 К (315 С) или из металлических матричных композиционных, керамических матричных, интерметаллических усиленных материалов, в том числе из материалов, указанных в пунктах I.3.3.- I.3.3.2. II.12.5.3. Конструкция и технология производства неохлаждаемых турбинных лопаток, лопастей, верхних частей венцов или других компонентов, спроектированных для работы в газо- о вом потоке с температурой в 1323 К (1050 С) или выше II.12.5.4. Конструкция и технология производства охлаждаемых тур- бинных лопаток, лопастей, верхних частей венцов иных, кроме указанных в пунктах I.11.8.1. и I.11.8.2., работающих без тепловой защиты при температуре газа в о 1643 К (1370 С) или выше II.12.5.5. Технология производства и крепления турбинных лопаток из композитов, способных выдерживать более чем 2000 кВт при скоростях потока свыше 0,55 М II.12.5.6. Конструкция и технология производства комбинаций лопасти с профилем крыла - диском турбины, с использованием ме- тода соединения элементов в твердом состоянии II.12.5.7. Конструкция и технология производства высокоресурсных вращающихся компонентов газотурбинного двигателя, использующих материалы, изготовленные методом порошковой металлургии II.12.5.8. Конструкция и технология производства системы автономно- го электронно-цифрового контроллера для газотурбинных двигателей и двигателей комбинированного цикла, относя- щегося к ней диагностического оборудования, датчиков и специально спроектированных элементов II.12.5.9. Конструкция и технология производства систем управления геометрией газового потока и систем управления в целом для: II.12.5.9.1 газогенераторных турбин; II.12.5.9.2. вентиляторных или мощных турбин Примечание По пунктам II.12.5.9.-II.12.5.9.2. экспортный контроль не распространяется на конструкцию и технологию произ- водства систем управления газового потока, осуществляе- мого с целью реверса тяги II.12.5.10. Конструкция и технология производства систем управления зазором между венцом и лопатками ротора, использующих технологию активной компенсации зазора турбинным кожухом II.12.5.11. Конструкция и технология производства газовых подшип- ников для сборок ротора газотурбинного двигателя; II.12.5.12. Конструкция и технология производства пустотелых лопаток с широкой хордой без межпролетного крепления II.12.6. Программное обеспечение, необходимое для проектирования или производства специально разработанных агрегатов и компонентов газотурбинных двигателей, указанных в пунктах I.11.8.-I.11.8.13. II.12.7. Программное обеспечение в коде источника, объектном или машинном коде, требуемое для применения в активных компенсационных системах для управления зазором между венцом и лопатками ротора, указанных в пункте I.11.8.11. Примечание По пункту II.12.7. экспортный контроль не распрост- раняется на программное обеспечение, вложенное в не подлежащее контролю оборудование или требуемое для технического обслуживания, связанного с калибровкой или ремонтом или модернизацией системы управления с активной компенсацией зазора II.12.8. Технология производства компонентов газотурбинных двига- телей с применением лазерного, водоструйного или элект- роэрозионного электротехнического методов сверления от- верстий (полостей): II.12.8.1. глубиной, более чем в 4 раза большей их диаметра, диаметром меньше 0,76 мм и углами наклона, равными или менее 25 о; II.12.8.2. глубиной, более чем в 5 раз большей их диаметра, диаметром меньше 0,4 мм и углами наклона более 25 о Примечание Применительно к пункту II.12.8. угол наклона измеряется от поверхности, обдуваемой потоком, тангенциально в точ- ке, где ось отверстия пересекается с этой поверхностью II.12.9. Конструкция и технология производства вертолетных систем передачи мощности или систем передачи мощности на заваленный несущий винт или заваленное крыло воздушного летательного аппарата: II.12.9.1. способных снизить операционное время на смазку на 30 мин и более; II.12.9.2. имеющих на входе соотношение мощности и веса 8,87 кВт/кг и более II.12.10. Конструкция и технология производства поршневого дизель- ного двигателя наземных систем станции с силовой уста- новкой, имеющей объем бокса 1,2 куб.м или меньше, полную выходную мощность более чем 750 кВт, плотность мощности более чем 700 кВт/куб.м объема бокса Примечание Объем бокса определяется как производная трех значений перпендикуляров, измеренных следующим образом: длина: длина коленчатого вала от переднего фланца до лицевой плоскости маховика; ширина: максимальное значение из следующих измерений: внешнего расстояния от одной крайней крышки клапана до другой крайней крышки; расстояния между краями головок цилиндров; диаметра кожуха маховика; высота: наибольшее из следующих измерений: расстояния от оси коленчатого вала до верхней плоскости клапанной крышки (или головки цилиндра) плюс удвоенная длина хода поршня; диаметра кожуха маховика. II.12.11. Конструкция и технология производства специально спроек- тированных компонентов, предназначенных для дизельных двигателей с высокой выходной мощностью Примечание Дизельные двигатели с высокой выходной мощностью - это двигатели с номинальным значением эффективного давления торможения 1,8 МПа или более при скорости вращения 2300 об/мин, обеспечивающие скорости вращения 2300 об/мин или более II.12.11.1. Конструкция и технология производства систем двигателя, имеющего гильзы цилиндров, поршни, головки цилиндров, один или более других компонентов (включая выхлопные отверстия, турбонаддув, направляющие клапанов, сборки клапана или изолированные топливные инжекторы), изго- товленные из керамических материалов II.12.11.2. Конструкция и технология производства систем турбонад- дува с одноступенчатыми компрессорами, имеющих соот- ношение давлений (степень сжатия) 4:1 или выше, расход топлива в диапазоне от 30 до 130 кг/мин и способность изменять сечение потока внутри компрессора или секций турбины II.12.11.3. Конструкция и технология производства систем топливной инжекции со специально спроектированной многотопливной (т.е. дизельным или обычным топливом) способностью к из- менению вязкости топлива в диапазоне от дизельного топ- о лива (2,5 сантистокса при 310,8 К (37,8 С)) до о бензина (0,5 сантистокса при 310,8 К (37,8 С)), имеющих инжектируемое количество больше чем 230 куб.м на один впрыск в один цилиндр и детали специально спроектированного электронного управления для регулятора переключения и автоматического измерения характеристик в зависимости от определенного значения момента вращения применением адаптивных датчиков II.12.12. Конструкция и технология производства дизельных двигате- лей с высокой выходной мощностью с твердыми, газофазны- ми или жидкопленочными (или их комбинациями) смазками стенок цилиндров, позволяющими выдерживать температуры, о превышающие 723 К (450 С), измеряемые на стенке цилиндра в верхней предельной точке касания поршневого кольца Раздел II.13. Лазеры и оптическое оборудование II.13.1 Оптика II.13.1.1. Конструкция и технология производства оптических зеркал (отражателей) II.13.1.1.1. Конструкция и технология разработки или производства деформируемых зеркал с непрерывными либо многоэлементны- ми поверхностями и специальными компонентами, способными динамически менять расположение элементов поверхности с частотой свыше 100 Гц II.13.1.1.2. Конструкция и технология производства сверхлегких моно- литных зеркал со средней эквивалентной плотностью менее 30 кг/кв.м и суммарной массой более 10 кг II.13.1.1.3. Конструкция и технология производства сверхлегких сос- тавных или пенных зеркальных структур со средней экви- валентной плотностью менее 30 кг/кв.м и суммарной массой более 2 кг II.13.1.1.4. Конструкция и технология производства зеркал диаметром или с длиной большей оси более 100 мм и с управлением лучом в полосе частот более 100 Гц II.13.1.1.5. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства зеркал, указанных в пунктах I.12.1.1.1.-I.12.1.4. II.13.1.2. Конструкция и технология производства оптических компо- нентов из селенида цинка (ЗнСе) или сульфида цинка (ЗнС) с передачей в диапазоне длин волн свыше 3000 нм, но не более 25000 нм, имеющих одну из следующих характеристик: II.13.1.2.1. объем более 100 куб.см; II.13.1.2.2. диаметр или длина большей оси более 80 мм и толщина(глубина) 20 мм и более II.13.1.2.3. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства оптических компонентов из селенида цинка (ЗнСе) или сульфида цинка (ЗнС), указанных в пунктах I.12.1.2.-I.12.1.2.2. II.13.1.3. Технологии производства компонентов оптических систем для космических применений II.13.1.3.1. Технология производства сверхлегких оптических элементов с эквивалентной плотностью менее чем 20 % по сравнению с твердотельными пластинами той же апертуры и толщины II.13.1.3.2. Технология производства подложек с поверхностным покры- тием (однослойным, многослойным, металлическим или диэлектрическим, проводящим, полупроводящим или изоли- рующим) или подложек с защитными пленками II.13.1.3.3. Технология производства сегментов или узлов зеркал для установки в космосе в оптические системы с общей апер- турой, эквивалентной или большей 1 м II.13.1.3.4. Технология производства компонентов оптических систем, изготовленных из композиционных материалов с коэффициентом линейного теплового расширения равным, или меньшим 5*10-6 в направлении любой координаты II.13.1.4. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства компонентов оптических систем для космического применения, указанных в пунктах I.12.1.3.-I.12.1.3.4. II.13.1.5. Технология производства оптических фильтров II.13.1.5.1. Технология производства оптических фильтров для длин волн более 250 нм, включающих многослойные оптические покрытия и имеющих полосу пропускания до половинной интенсивности до 1 нм включительно и пиковую передачу 90 % и более, или полосу пропускания до 0,1 нм включи- тельно и пиковую передачу 50 % и более Примечание Экспортный контроль по пункту II.13.1.5.1. не рас- пространяется на технологию производства оптических фильтров с постоянным воздушным зазором или фильтров типа Лио II.13.1.5.2. Технология производства оптических фильтров для длин волн более 250 нм, имеющих настраиваемость в спектраль- ном диапазоне 500 нм и более, мгновенную полосу пропус- кания 1,25 нм или менее, установку в течение 0,1 мс с точностью 1 нм или лучше в пределах перестраиваемого спектрального диапазона, однопиковый коэффициент пропус- кания 91 % или более II.13.1.5.3. Технология производства оптических переключателей на конденсаторах (фильтрах) с полем обзора 30о или шире и временем отклика равным или менее 1 нс II.13.1.5.4. Технология производства оптических фильтров с шириной полосы пропускания равной или меньшей 10 нм, полем об- зора более 10о и разрешением свыше 0,75 пар линий на мм II.13.1.6. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства оптических фильтров, указанных в пунктах I.12.1.4.-I.12.1.4.3. и II.13.1.5.4. II.13.1.7. Конструкция и технология производства аппаратуры опти- ческого контроля II.13.1.7.1. Конструкция и технология производства аппаратуры, спе- циально разработанной для обеспечения качества поверх- ности или ориентации оптических компонентов, указанных в пунктах I.12.1.3.1. или I.12.1.3.3. II.13.1.7.2. Программное обеспечение, специально созданное для проек- тирования или производства аппаратуры, специально разра- ботанной для обеспечения расчета поверхности или ориен- тации оптических компонентов, указанных в пункте I.12.1.5.1. II.13.1.7.3. Конструкция и технология производства аппаратуры, имею- щей управление, слежение, стабилизацию или подстройку резонатора с полосой частот равной или более 100 Гц и погрешностью 10 мкрад или менее II.13.1.7.4. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства аппаратуры, указанной в пункте I.12.1.5.2. II.13.1.7.5. Конструкция и технология производства кардановых подве- сов с максимальным углом поворота 5о, шириной полосы частот более 100 Гц, обладающих любой из следующих характеристик: II.13.1.7.5.1. диаметр или длина большей оси более 0,15 м, но не более 1 м, чувствительность к угловым ускорениям более 2 рад/с2, погрешность углового наведения 200 мкрад или менее; II.13.1.7.5.2. специально разработанных для юстировки фазированных решеток или фазированных систем сегментных зеркал, состоящих из зеркал с диаметром сегмента или его большей полуоси 1 м или более, обладающих чувствительностью к угловым ускорениям более 0,5 рад/с2 и погрешностью углового наведения 200 мкрад или менее II.13.1.7.6. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства кардановых подвесов, указанных в пунктах I.12.1.5.3.-I.12.1.5.3.2. II.13.1.8. Конструкция и технология производства аппаратуры для из- мерения абсолютного значения отражательной способности с погрешностью +0,1 % или менее II.13.1.9. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства аппаратуры для измерения абсолютного значения отражательной способности с погрешностью +0,1 % или менее II.13.1.10. Технология обработки и покрытия оптических поверхностей с общими потерями (поглощение и рассеяние) менее чем 5*10-3 и диаметром или длиной большей оси 500 мм и более, требуемая для достижения однородности оптических покрытий 99,5 % или лучше II.13.1.11. Технология производства серийно выпускаемых оптических компонентов с суммарной поверхностью более 10 кв.м в год, или разовой продукции с площадью более 1 кв.м и средне-квадратической погрешностью обработки 1/10 длины волны на заданной длине волны II.13.1.12. Методы одноточечного вращения алмазов с получением ко- нечной среднеквадратической точности обработки поверх- ности лучше чем 10 нм на неплоских поверхностях площадью более 0,5 кв.м II.13.2. Конструкция и технология производства оптических датчи- ков II.13.2.1. Конструкция и технология производства оптических детек- торов Примечание Экспортный контроль по пунктам II.13.2.1.- II.13.2.1.4. не распространяется на конструкцию и технологию производства германиевых или кремниевых фотодиодов II.13.2.1.1. Конструкция и технология производства оптических детек- торов для использования в космосе в виде единичного элемента, линейки в фокальной плоскости или двух двумерных элементов, имеющих: II.13.2.1.1.1. групповой отклик на длине волны короче 300 нм и отклик менее 0,1 % относительно пикового отклика на длине волны свыше 400 нм; II.13.2.1.1.2. пиковый отклик в диапазоне длин волн свыше 900 нм, но не более 1200 нм, и постоянную времени отклика 95 нс или менее; II.13.2.1.1.3. пиковый отклик в диапазоне длин волн более 1200 нм, но не свыше 30000 нм II.13.2.1.2. Конструкция и технология производства электронно-опти- ческих усилителей яркости и специальных компонентов II.13.2.1.2.1. Конструкция и технология производства электронно-опти- ческих усилителей яркости, имеющих пиковый отклик в диапазоне длин волн свыше 400 нм, но не более 1050 нм, микроканальный анод для электронного усилителя изо- бражения с шагом отверстий (расстояние между центрами) менее 25 мкм и фотокатоды С-20, С-25, многощелевой фотокатод или фотокатоды из ГаАс или ГаИнАс; II.13.2.1.2.2. Конструкция и технология производства специально разра- ботанных компонентов для электронно-оптических усили- телей яркости: II.13.2.1.2.2.1. оптоволоконных инверторов; II.13.2.1.2.2.2. микроканальных анодов, имеющих 15000 или более ламп с тлеющим разрядом на плате и шаг отверстий (расстояние между центрами) менее 25 мкм; II.13.2.1.2.2.3. фотокатодов из ГаАс или ГаИнАс II.13.2.1.3. Конструкция и технология производства неэквидистантных линейных или двумерных матриц в фокальной плоскости с одной из следующих характеристик: II.13.2.1.3.1. имеющих отдельные элементы с пиковым откликом в пределах диапазона волн свыше 900 нм, но не более 1050 нм, и постоянной времени отклика менее 0,5 нс; II.13.2.1.3.2. имеющих отдельные элементы с пиковым откликом в пределах диапазона волн свыше 1050 нм, но не более 1200 нм, и постоянной времени 95 нс или меньше; II.13.2.1.3.3. имеющих отдельные элементы с пиковым откликом в пределах диапазона волн свыше 1200 нм, но не более 30000 нм II.13.2.1.4. Конструкция и технология производства одиночных или многоэлементных полупроводниковых фотодиодов или фототранзисторов вне фокальной плоскости с пиковым откликом на длине волны более 1200 нм и постоянной времени отклика 0,5 нс или менее, не предназначенных для космических применений Примечания: 1. Пункты II.13.2.1.3.-II.13.2.1.4. включают конструкцию производства матриц фотопроводимости и солнечных батарей 2. Экспортный контроль по пункту II.13.2.1.3. не распространяется на конструкцию и технологию производства кремниевых матриц в фокальной плоскости, многоэлементных (не более 16 элементов) фотопроводящих элементов в оболочке или пироэлектрических детекторов, использующих любой из следующих материалов: сульфид свинца; сульфат триглицерина и его разновидности; титанат циркония-лантана-свинца и его разновидности; танталат лития; фторид поливиниллидена и его разновидности; ниобат бария-стронция и его варианты; селенид свинца II.13.2.2. Конструкция и технология производства многоспектральных формирователей изображений для применений в дистанцион- ном зондировании, имеющих любую из следующих характе- ристик: II.13.2.2.1. мгновенное поле обзора менее 200 мкрад; II.13.2.2.2. специально сконструированных для работы в диапазоне длин волн свыше 400 нм, но не более 30000 нм, обеспечивающих данные изображения на выходе в цифровом формате с использованием детекторов, отличных от кремниевых и предназначенных для космического применения или для воздушного базирования II.13.2.3. Программное обеспечение, специально разработанное для использования многоспектральных формирователей изобра- жений, указанных в пунктах I.12.2.2.-I.12.2.2.2. II.13.2.4. Конструкция и технология производства аппаратуры форми- рования изображений непосредственного наблюдения в види- мом или инфракрасном диапазоне, включающей одно из сле- дующих устройств: II.13.2.4.1. электронно-оптические преобразователи для усиления яркости изображения, указанные в пункте I.12.2.1.2.1.; II.13.2.4.2. матрицы в фокальной плоскости, указанные в пунктах I.12.2.1.3.-I.12.2.1.3.3. Примечание Экспортный контроль по пункту II.13.2.4.2. не распрост- раняется на конструкцию и технологию производства следующей аппаратуры с фотокатодами, отличными от фотокатодов на ГаАс или ГаИнАс: промышленных или гражданских датчиков охраны, систем учета или контроля дорожного или производственного движения; медицинской аппаратуры; промышленной аппаратуры для контроля, анализа или сор- тировки материалов; детекторов пламени для промышленных печей; аппаратуры, специально разработанной для промышленного использования II.13.2.5. Конструкция и технология производства специализированных компонентов для оптических датчиков: II.13.2.5.1. космического применения с криогенным охлаждением; II.13.2.5.2. некосмического применения с криогенным охлаждением: II.13.2.5.2.1. замкнутого цикла со средним временем наработки на отказ или средним временем между отказами свыше 2500 ч; II.13.2.5.2.2. саморегулирующихся охладителей Джоуля-Томсона с диаметром отверстия менее 8 мм; II.13.2.5.3. оптоволоконных датчиков: II.13.2.5.3.1. специально изготовленных композиционно или структурно, или модифицированных путем покрытия, с чувствительностью к акустическим, термическим, инерционным, электромагнитным или ядерным эффектам; II.13.2.5.3.2. модифицированных структурно для достижения длины биений менее чем 50 мм (наибольшее двулучепреломление) II.13.3. Конструкция и технология производства камер II.13.3.1. Конструкция и технология производства инструментальных камер II.13.3.1.1. Конструкция и технология производства высокоскоростных записывающих кинокамер с любым форматом пленки от 8 мм до 16мм включительно, в которых пленка движется в процессе записи и в которых запись может производиться со скоростью свыше 13150 кадров в секунду Примечание Экспортный контроль по пункту II.13.3.1.1. не распрос- траняется на конструкцию и технологию производства кинокамер для гражданских целей II.13.3.1.2. Конструкция и технология производства механических высо- коскоростных камер, в которых пленка не движется, спо- собных вести запись со скоростью свыше 106 кадров в секунду для пленки шириной 35 мм, или для пропорцио- нально более высоких скоростей, более узкой пленки, или для пропорционально меньших скоростей более широкой пленки II.13.3.1.3. Конструкция и технология производства механических или электронных камер-фотохронографов со скоростью записи свыше 10 мм/мкс II.13.3.1.4. Конструкция и технология производства электронных кад- ровых камер со скоростью свыше 106 кадров в секунду II.13.3.1.5. Конструкция и технология производства электронных камер, имеющих скорость электронного затвора (скорость стро- бирования) менее 1 мкс на полный кадр и время считы- вания, позволяющих получать более чем 125 полных кадров в секунду II.13.3.2. Конструкция и технология производства камер для получе- ния видеоизображений Примечание Экспортный контроль по пункту II.13.3.2. не распростра- няется на конструкцию и технологию производства телеви- зионных и видеокамер для телевидения II.13.3.2.1. Конструкция и технология производства видеокамер, включающих твердотельные чувствительные элементы, имею- щие одну из следующих характеристик: II.13.3.2.1.1. более 4*106 активных пикселей на твердотельную матрицу для монохромной (черно-белой) камеры; II.13.3.2.1.2. более 4*106 активных пикселей на твердотельную матрицу для цветных камер с тремя твердотельными матрицами; II.13.3.2.1.3. более 12*106 активных пикселей на твердотельную матрицу для цветных камер с одной твердотельной матрицей II.13.3.2.2. Конструкция и технология производства сканирующих камер и систем сканирующих камер, включающих линейную решетку детекторов с более чем 8192 элементами на решетке, и с механическим сканированием в одном направлении II.13.3.2.3. Конструкция и технология производства камер для по- лучения видеоизображения, включающих преобразователь для усиления яркости изображения, указанный в пункте I.12.2.1.2.1. II.13.3.2.4. Конструкция и технология производства камер для получе- ния видеоизображения, включающих матрицы в фокальной плоскости, указанные в пунктах I.12.2.1.3.- I.12.2.1.3.3. II.13.4. Конструкция и технология производства лазеров, компо- нентов, оптического оборудования для них II.13.4.1. Конструкция и технология производства газовых лазеров II.13.4.1.1. Конструкция и технология производства эксимерных лазе- ров, имеющих одну из следующих характеристик: II.13.4.1.1.1. длину волны выходного излучения, не превышающую 150 нм, выходную энергию более 50 мДж на импульс или среднюю, или непрерывную мощность более 1 Вт; II.13.4.1.1.2. длину волны выходного излучения более 150 нм, но не превышающую 190 нм, выходную энергию на импульс, пре- вышающую 1,5 Дж, или среднюю, или непрерывную мощность, превышающую 120 Вт; II.13.4.1.1.3. длину волны выходного излучения, превышающую 190 нм, но не более 360 нм, выходную энергию на импульс, превышающую 10 Дж, или среднюю, или непрерывную выходную мощность, превышающую 500 Вт; II.13.4.1.1.4. длину волны выходного излучения, превышающую 369 нм, выходную энергию на импульс, превышающую 1,5 Дж, или среднюю, или непрерывную выходную мощность более 30 Вт II.13.4.1.2. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства эксимерных лазеров, указанных в пунктах I.12.4.1.1.-I.12.4.1.1.4. II.13.4.1.3. Конструкция и технология производства лазеров на парах металлов: II.13.4.1.3.1. конструкция и технология производства медных (Цу) лазеров со средней или непрерывной выходной мощностью более 20 Вт; II.13.4.1.3.2. конструкция и технология производства золотых (Ау) лазеров со средней или непрерывной выходной мощностью более 5 Вт; II.13.4.1.3.3. конструкция и технология производства натриевых (На) лазеров с выходной мощностью более 5 Вт; II.13.4.1.3.4. конструкция и технология производства бариевых (Ба) лазеров со средней или непрерывной выходной мощностью более 2 Вт II.13.4.1.4. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства лазеров на парах метал- лов, указанных в пунктах I.12.4.1.2.-I.12.4.1.2.4. II.13.4.1.5. Конструкция и технология производства лазеров на моно- окиси углерода (СО) с: II.13.4.1.5.1. выходной энергией более 2 Дж на импульс и импульсной пиковой мощностью более 5 кВт; II.13.4.1.5.2. средней или непрерывной выходной мощностью более 5 кВт II.13.4.1.6. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства лазеров на основе моноокиси углерода, указанных в пунктах I.12.4.1.3.- I.12.4.1.3.2. II.13.4.1.7. Конструкция и технология производства лазеров на дву- окиси углерода (СО2) с: II.13.4.1.7.1. непрерывной выходной мощностью более 10 кВт; II.13.4.1.7.2. импульсным излучением с длительностью импульса более 10 мкс, средней выходной мощностью свыше 10 кВт или импульсной пиковой мощностью более 100 кВт; II.13.4.1.7.3. импульсным излучением с длительностью импульса, равным или менее 10 мкс, энергией импульса более 5 Дж, импульсной пиковой мощностью свыше 2,5 кВт или сред- ней, или непрерывной выходной мощностью более 2,5 кВт II.13.4.1.8. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства лазеров на двуокиси углерода, указанных в пунктах I.12.4.1.4.-I.12.4.1.4.3. II.13.4.1.9. Конструкция и технология производства химических лазе- ров: II.13.4.1.9.1. водородно-фторовых (Н ) лазеров; II.13.4.1.9.2. дейтерий-фторовых ( ) лазеров; II.13.4.1.9.3. переходных лазеров: II.13.4.1.9.3.1. кислородно-иодовых лазеров (О2-I); II.13.4.1.9.3.2. дейтерий-фторовых-двуокись углеродных ( -СО2) лазеров II.13.4.1.10. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства химических лазеров, на которые наложены ограничения пунктами I.12.4.1.5.- I.12.4.1.5.3.2. II.13.4.1.11. Конструкция и технология производства газоразрядных и ионных лазеров (на ионах криптона или аргона), имеющих: II.13.4.1.11.1. выходную энергию более 1,5 Дж на импульс и импульсную пиковую мощность более 50 Вт; 11.13.4.1.11.2. среднюю или непрерывную мощность более 50 Вт II.13.4.1.12. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства газоразрядных и ионных лазеров, указанных в пунктах I.12.4.1.6.-I.12.4.1.6.2. II.13.4.1.13. Конструкция и технология производства других газовых ла- зеров за исключением азотных лазеров с: II.13.4.1.13.1. длиной волны выходного излучения не более 150 нм, вы- ходной энергией на импульс свыше 50 мДж, импульсной пиковой мощностью более 1 Вт или средней, или непре- рывной выходной мощностью более 1 Вт; II.13.4.1.13.2. длиной волны выходного излучения более 150 нм, но не более 800 нм, выходной энергией более 1,5 Дж на им- пульс, импульсной пиковой мощностью более 30 Вт или средней, или непрерывной выходной мощностью более 30 Вт; II.13.4.1.13.3. длиной волны выходного излучения более 800 нм, но не более 1400 нм, выходной энергией на импульс более 0,25 Дж, импульсной пиковой мощностью более 10 Вт или средней, или непрерывной выходной мощностью более 10 Вт; II.13.4.1.13.4. длиной волны выходного излучения свыше 1400 нм и сред- ней или непрерывной мощностью более 1 Вт II.13.4.1.14. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства газовых лазеров, указанных в пунктах I.12.4.1.-I.12.4.1.7.4. II.13.4.2. Конструкция и технология производства полупроводниковых лазеров II.13.4.2.1. Конструкция и технология производства отдельных полупро- водниковых одномодовых лазеров с поперечной модой, имею- щих среднюю выходную мощность свыше 100 мВт или длину волны более 1050 нм II.13.4.2.2. Конструкция и технология производства отдельных полупро- водниковых многомодовых лазеров с поперечными модами или массивов лазеров с: II.13.4.2.2.1. выходной энергией более 500 мкДж на импульс и им- пульсной пиковой мощностью свыше 10 Вт; II.13.4.2.2.2. средней или непрерывной выходной мощностью свыше 10 Вт; II.13.4.2.2.3. длиной волны более 1050 нм II.13.4.2.3. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства полупроводниковых лазеров, указанных в пунктах I.12.4.2.1.-I.12.4.2.2.3. II.13.4.3. Конструкция и технология производства твердотельных ла- зеров II.13.4.3.1. Конструкция и технология производства перестраиваемых твердотельных лазеров, имеющих следующие характеристики: II.13.4.3.1.1. длину волны излучения менее 600 нм, выходную энергию более 50 мДж на импульс, импульсную пиковую мощность более 1 Вт или среднюю, или непрерывную выходную мощ- ность более 1 Вт; II.13.4.3.1.2. длину волны 600 нм или более, но не более 1400 нм, вы- ходную энергию более 1 Дж в импульсе, импульсную пико- вую мощность свыше 20 Вт или среднюю, или непрерывную выходную мощность свыше 20 Вт; II.13.4.3.1.3. длину волны выходного излучения более 1400 нм, выход- ную энергию свыше 50 мДж на импульс, импульсную пи- ковую мощность более 1 Вт или среднюю, или непрерывную выходную мощность более 1 Вт Примечание Пункт II.13.4.3.1. включает конструкцию и технологию производства титаново-сапфировых (Ти:Ал2О3), тулий-ЫАГ, тулий-ЫСГГ - александрит (Цр:БеАл2О4) лазеров и лазеров с окрашенным центром II.13.4.3.2. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства перестраиваемых твердотельных лазеров, указанных в пунктах I.12.4.3.1.- I.12.4.3.1.3. II.13.4.3.3. Конструкция и технология производства неперестраиваемых лазеров Примечание Пункты II.13.4.3.3.-II.13.4.3.3.7.4. включают конст- рукцию и технологию производства твердотельных лазеров на атомных переходах II.13.4.3.3.1. Конструкция и технология производства рубиновых лазеров с выходной энергией более 20 Дж в импульсе II.13.4.3.3.2. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства рубиновых лазеров с вы- ходной энергией более 20 Дж в импульсе II.13.4.3.3.3. Конструкция и технология производства лазеров на неоди- мовом стекле: II.13.4.3.3.3.1. лазеров с модуляцией добротности, имеющих выходную энергию свыше 20 Дж, но не более 50 Дж в импульсе, среднюю выходную мощность более 10 Вт или выходную энергию свыше 50 Дж в импульсе; II.13.4.3.3.3.2. лазеров без модуляции добротности, имеющих выходную энергию свыше 50 Дж, но не более 100 Дж в импульсе, среднюю выходную мощность более 20 Вт или выходную энергию более 100 Дж в импульсе II.13.4.3.3.4. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства лазеров на неодимовом стекле, указанных в пунктах I.12.4.3.2.2.- I.12.4.3.2.2.2. II.13.4.3.3.5. Конструкция и технология производства лазеров с раство- ренным неодимом с длиной волны более 1000 нм, но не свы- ше 1100 нм: II.13.4.3.3.5.1. лазеров с модуляцией добротности, импульсным возбуж- дением и синхронизацией мод с длительностью импульса менее 1 нс, имеющих пиковую мощность более 5 ГВт, среднюю выходную мощность более 10 Вт или импульсную энергию более 0,1 Дж; II.13.4.3.3.5.2. лазеров с модуляцией добротности и синхронизацией мод с длительностью импульса равной или большей 1 нс: II.13.4.3.3.5.2.1. одномодовым излучением, имеющим пиковую мощность более 100 МВт, среднюю выходную мощность более 20 Вт или импульсную энергию свыше 2 Дж; II.13.4.3.3.5.2.2. многомодовым излучением, имеющим пиковую мощность более 200 МВт, среднюю выходную мощность более 50 Вт или импульсную энергию более 2 Дж II.13.4.3.3.5.3. лазеров с импульсным возбуждением без модуляции добро- тности, имеющих: II.13.4.3.3.5.3.1. одномодовое излучение с пиковой мощностью более 500 кВт или средней выходной мощностью более 150 Вт; II.13.4.3.3.5.3.2. многомодовое излучение с пиковой мощностью более 1 МВт или средней мощностью свыше 500 Вт II.13.4.3.3.5.4. лазеров непрерывного возбуждения, имеющих: II.13.4.3.3.5.4.1. одномодовое излучение с пиковой мощностью более 500 кВт или средней, или непрерывной мощностью свыше 150 Вт; II.13.4.3.3.5.4.2. многомодовое излучение с пиковой мощностью более 1 МВт или средней, или непрерывной мощностью свыше 500 Вт II.13.4.3.3.6. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства лазеров с растворенным неодимом, указанных в пунктах I.12.4.3.2.3.- I.12.4.3.2.3.4.2. II.13.4.3.3.7. Конструкция и технология производства других непере- страиваемых лазеров, имеющих: II.13.4.3.3.7.1. длину волны менее 150 нм, выходную энергию более 50 мДж в импульсе, импульсную пиковую мощность более 1 Вт или среднюю, или непрерывную выходную мощность более 1 Вт; II.13.4.3.3.7.2 длину волны не менее 150 нм, но не более 800 нм, вы- ходную энергию более 1,5 Дж на импульс, импульсную пиковую мощность более 30 Вт или среднюю, или непре- рывную мощность более 30 Вт; II.13.4.3.3.7.3. длину волны более 800 нм, но не более 1400 нм: II.13.4.3.3.7.3.1. лазеров с модуляцией добротности с выходной энергией более 0,5 Дж в импульсе, импульсной пиковой мощ- ностью более 50 Вт или средней выходной мощностью, превышающей 10 Вт для одномодовых лазеров и 30 Вт для многомодовых лазеров; II.13.4.3.3.7.3.2. лазеров без модуляции добротности с выходной энер- гией более 2 Дж в импульсе, импульсной пиковой мощ- ностью свыше 50 Вт или средней, или непрерывной выходной мощностью более 50 Вт; II.13.4.3.3.7.4. длиной волны более 1400 нм, выходной энергией более 100 мДж в импульсе, импульсной пиковой мощностью свыше 1 Вт или средней, или непрерывной мощностью более 1 Вт II.13.4.3.3.8. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства неперестраиваемых лазеров, указанных в пунктах I.12.4.3.2.4.- I.12.4.3.2.4.4. II.13.4.4. Конструкция и технология производства лазеров на краси- телях и других жидкостях, имеющих: II.13.4.4.1. длину волны менее 150 нм, выходную энергию более 50 мДж в импульсе, импульсную пиковую мощность более 1 Вт или среднюю, или непрерывную выходную мощность более 1 Вт; II.13.4.4.2. длину волны 150 нм или более, но не свыше 800 нм, вы- ходную энергию более 1,5 Дж в импульсе, импульсную пи- ковую мощность свыше 20 Вт, или среднюю, или непрерыв- ную выходную мощность более 20 Вт, или имеющие генера- тор одиночной продольной моды со средней выходной мощностью более 1 Вт и частотой повторения более 1 кГц при длительности импульса менее 100 нс; II.13.4.4.3. длину волны более 800 нм, но не свыше 1400 нм, выход- ную энергию более 500 мДж в импульсе, импульсную пико- вую мощность более 10 Вт или среднюю, или непрерывную выходную мощность более 10 Вт; II.13.4.4.4. длину волны более 1400 нм, выходную энергию более 100 мДж в импульсе, импульсную пиковую мощность более 1 Вт или среднюю, или непрерывную выходную мощность более 1 Вт II.13.4.5. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства лазеров на красителях и других жидкостях, указанных в пунктах I.12.4.4.- I.12.4.4.4. II.13.4.6. Конструкция и технология производства лазеров на свобод- ных электронах II.13.4.7. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства лазеров на свободных электронах II.13.4.8. Конструкция и технология производства компонентов для лазеров II.13.4.8.1. Конструкция и технология производства зеркал, охлаждае- мых либо активным охлаждением, либо трубчатой охлади- тельной системой II.13.4.8.2. Конструкция и технология производства оптических зеркал или прозрачных, или частично прозрачных оптических, или электрооптических компонентов для использования в лазе- рах, подлежащих экспортному контролю II.13.4.9. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства компонентов лазеров, указанных в пунктах I.12.4.6.-I.12.4.6.2. II.13.4.10. Конструкция и технология производства оптического обору- дования II.13.4.10.1. Конструкция и технология производства оборудования дина- мического измерения фазы волнового фронта с более 50 позициями на волновом фронте луча с: II.13.4.10.1.1. частотой кадра равной или более 100 Гц и фазовой дис- криминацией 5 % и более длины волны луча; II.13.4.10.1.2. частотой кадра равной или более 1000 Гц и фазовой дискриминацией 20 % и более длины волны луча II.13.4.10.2. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства оборудования для динами- ческого измерения фазы волнового фронта, указанного в пунктах I.12.4.7.1.-I.12.4.7.1.2. II.13.4.10.3. Конструкция и технология производства оборудования ла- зерной диагностики со способностью измерения ошибок управления луча лазера сверхвысокой мощности с точно- стью, равной или менее 10 мкрад II.13.4.10.4. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства оборудования лазерной диагностики, указанного в пункте I.12.4.7.2. II.13.4.10.5. Конструкция и технология производства оптической аппа- ратуры, узлов и компонентов для системы лазера сверх- высокой мощности с фазированным сложением лучей с точностью 1/10 длины волны или 0,1 мкм (в зависимости от того, что меньше) II.13.4.10.6. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства аппаратуры, узлов и компонентов, указанных в пункте I.12.4.7.3. II.13.4.10.7. Конструкция и технология производства защищенных объек- тивов для использования с системами лазеров сверхвысокой мощности II.13.4.10.8. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства защищенных объективов для использования с системами лазеров сверхвысокой мощности II.13.4.11. Конструкция и технология производства специально разра- ботанного или модифицированного оборудования, включая инструменты, красители, контрольно-измерительные прибо- ры и другие специальные компоненты и вспомогательные элементы: II.13.4.11.1. для производства или осмотра: II.13.4.11.1.1. магнитных систем лазеров на свободных электронах; II.13.4.11.1.2. фотоинжекторов лазеров на свободных электронах; II.13.4.11.2. для юстировки в пределах требуемой погрешности про- дольного магнитного поля лазеров на свободных элект- ронах II.13.4.12. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства специально разработан- ного или модифицированного оборудования, указанного в пунктах I.12.4.8.-I.12.4.8.2. II.13.4.13. Технология производства или методы использования специализированных диагностических инструментов или мишеней в испытательных установках для испытаний лазеров сверхвысокой мощности либо испытаний или оценки стой- кости материалов, облучаемых излучением таких лазеров II.13.5. Конструкция и технология производства оптоволоконных кабелей связи, оптических волокон и специально разра- ботанных компонентов и вспомогательного оборудования: II.13.5.1. Технология производства оптических волокон или кабелей длиной свыше 50 м: II.13.5.1.1. разработанных для функционирования в одномодовом режиме; II.13.5.1.2. способных выдерживать напряжение (механическое) 2*109 Н/кв.м или более в контрольном тесте II.13.5.2. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства оптических волокон или кабелей, указанных в пунктах I.12.5.1.-I.12.5.1.2. II.13.5.3. Конструкция и технология производства компонентов и вспомогательного оборудования, специально разработанных для оптических волокон или кабелей, указанных в пункте I.12.5.1., за исключением соединителей для использования с оптическими волокнами или кабелями, имеющими потери соединения 0,5 дБ или более II.13.5.4. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства компонентов и вспо- могательного оборудования, указанного в пункте I.12.5.2. II.13.5.5. Конструкция и технология производства оптоволоконных кабелей и вспомогательного оборудования, разработанных для использования под водой (для оптоволоконных соедини- телей и измерителей излучения экспортный контроль осу- ществляется в соответствии с пунктами I.13.2.1.3. и I.13.2.3.) II.13.5.6. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства оптоволоконных кабелей и вспомогательного оборудования, указанных в пункте I.12.5.3. II.13.5.7. Конструкция и технология производства кабеля из волокон на основе соединений фтора или оптических волокон с поглощением менее 4 дБ/км в диапазоне длин волн более 1000 нм, но не более 3000 нм II.13.5.8. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства кабеля из волокон на основе соединений фтора, указанного в пункте I.12.5.4. Раздел II.14. Транспортные средства и специально разработанное для них оборудование II.14.1. Конструкция и технологии производства, капитального ре- монта и восстановления чистоты поверхности подводных аппаратов или надводных судов II.14.1.1. Конструкция и технологии производства, капитального ре- монта и восстановления чистоты поверхности пилотируемых человеком, управляемых по проводам подводных аппаратов, спроектированных для операций на глубинах, превышающих 1000 м II.14.1.2. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения подводных аппаратов, указанных в пункте I.13.1.1. II.14.1.3. Конструкция и технологии производства, капитального ре- монта и восстановления чистоты поверхности пилотируемых человеком, неуправляемых по проводам подводных аппара- тов: II.14.1.3.1. спроектированных для автономного плавания и имеющих характеристику по подъемной силе 10 % или более их собственного веса (веса в воздухе) или 15 кН или более; II.14.1.3.2. спроектированных для плавания на глубинах, превышающих 1000 м; II.14.1.3.3. спроектированных для экипажа из 4 и более человек, предназначенных для автономного плавания в течение 10 часов и более, имеющих радиус действия 25 морских миль или более и длину 21 м или менее Примечания: 1. При автономном плавании аппарат полностью погружает- ся без шнорхеля, все системы функционируют и обеспе- чивают плавание при минимальной скорости, при которой погружение может безопасно управляться (с учетом не- обходимой динамики по глубине погружения) с использо- ванием только глубинных рулей, без участия надводных судов поддержки или базы (береговой или корабля-мат- ки), аппарат имеет двигательную систему для движения в погруженном или надводном состоянии 2. Подъемная сила задается для полезной нагрузки без учета массы экипажа 3. Радиус действия равен половине максимального рассто- яния, которое аппарат может преодолеть в погруженном состоянии II.14.1.4. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения подводных аппаратов, указанных в пунктах I.13.1.2.1.-I.13.1.2.3. II.14.1.5. Конструкция и технологии производства, капитального ре- монта и восстановления чистоты поверхности непилотируе- мых человеком, управляемых по проводам подводных аппара- тов, спроектированных для плавания на глубинах, превышающих 1000 м, предназначенных для самоходного маневра, используя двигатели и ускорители, указанные в пункте I.13.2.1.2. или имеющих оптоволоконные линии обмена данными II.14.1.6. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения подводных аппаратов, указанных в пунктах I.13.1.3.-I.13.1.3.2. II.14.1.7. Конструкция и технологии производства, капитального ре- монта и восстановления чистоты поверхности непилотируе- мых человеком, неуправляемых по проводам подводных аппаратов: II.14.1.7.1. спроектированных для решения задачи достижения (проклад- ки курса) любого географического ориентира без участия человека в реальном масштабе времени; II.14.1.7.2. имеющих канал передачи акустических данных или команд; II.14.1.7.3. имеющих оптоволоконную линию передачи данных или линию передачи команд, превышающую по длине 1000 м II.14.1.8. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения непилотируемых человеком, неуправляемых по проводам подводных аппаратов, указанных в пунктах I.13.1.4.-I.13.1.4.3. II.14.1.9. Конструкция и технологии производства, капитального ре- монта и восстановления чистоты поверхности океанских систем спасения с подъемной силой, превышающей 5 МН для спасения объектов с глубин, превышающих 250 м, имеющих одну из следующих характеристик: II.14.1.9.1. системы динамического управления положением, способные стабилизироваться в пределах (внутри) 20 м относительно заданной точки, фиксируемой навигационной системой; II.14.1.9.2. системы придонной навигации и навигационной интеграции для глубин, превышающих 1000 м, с точностью обеспечения положения в пределах (внутри) 10 м относительно заданной точки II.14.1.10. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения океанских систем спасения имеющих характеристики, указанные в пунктах I.13.1.5.- I.13.1.5.2. II.14.1.11. Конструкция и технологии производства, капитального ре- монта и восстановления чистоты поверхности судов с поверхностным эффектом (с полностью изменяемой поверх- ностной конфигурацией), обладающих максимальной проектной скоростью, превышающей при полной загрузке 30 узлов при высоте волны 1,25 м (Морская статья 3) или более, амортизирующим давлением свыше 3830 Па и соотношением водоизмещения незагруженного и полнозагру- женного судна менее чем 0,7 II.14.1.12.

Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения судов, указанных в пункте I.13.1.6. II.14.1.13. Конструкция и технологии производства, капитального ре- монта и восстановления чистоты поверхности судов с поверхностным эффектом (с неизменяемой поверхностной конфигурацией) с максимальной проектной скоростью, превышающей при полной загрузке 40 узлов при высоте волны 3,25 м (Морская статья 5) или более II.14.1.14. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения судов, указанных в пункте I.13.1.7. II.14.1.15. Конструкция и технологии производства, капитального ре- монта и восстановления чистоты поверхности судов с гид- рокрылом и активными системами для автоматического управления крылом с максимальной проектной скоростью при полной загрузке 40 узлов или более и высоте волны 3,25 м (Морская статья 5) или более II.14.1.16. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения судов, указанных в пункте I.13.1.8. II.14.1.17. Конструкция и технологии производства, капитального ре- монта и восстановления чистоты поверхности судов на не- большом подводном крыле с: II.14.1.17.1. водоизмещением при полной загрузке, превышающим 500 т, с максимальной проектной скоростью, превышающей при полной загрузке 35 узлов при высоте волны 3,25 м (Морская статья 5) или более; II.14.1.17.2. водоизмещением при полной загрузке, превышающим 1500 т, с максимальной проектной скоростью при полной загрузке, превышающей 25 узлов при высоте волны 4 м (Морская статья 6) или более II.14.1.18. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения судов, указанных в пунктах I.13.1.9.- I.13.1.9.2. II.14.2. Конструкция и технология производства систем и оборудо- вания для транспортных средств II.14.2.1. Конструкция и технология производства следующих систем или оборудования, специально спроектированных или моди- фицированных для подводных судов, спроектированных для плавания на глубинах, превышающих 1000 м: II.14.2.1.1. помещений под давлением или корпусов под давлением с максимальным внутренним диаметром камеры, превышающим 1,5 м; II.14.2.1.2. электродвигателей постоянного тока или тяговых двигателей; II.14.2.1.3. кабельных разъемов и соединителей, в том числе использующих оптоволокно и имеющих силовые элементы из синтетических материалов II.14.2.2. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения систем и оборудования, указанных в пунктах I.13.2.1.-I.13.2.1.3. II.14.2.3. Конструкция и технологии производства систем, специально спроектированных или модифицированных для автоматичес- кого управления движением подводных судов, указанных в пунктах I.13.1.-I.13.1.5.2., использующих навигацион- ные данные и имеющих закрытые с обратной связью серво- контролирующие средства: II.14.2.3.1. способных управлять движением судна в пределах (внутри) 10 м относительно заданной точки водяного столба; II.14.2.3.2. позволяющих поддерживать положение судна в пределах (внутри) 10 м относительно заданной точки водяного стол- ба; II.14.2.3.3. позволяющих поддерживать положение судна в пределах (внутри) 10 м при следовании на морском аппарате-матке или на тросе (кабеле) под ним II.14.2.4. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения систем, указанных в пунктах I.13.2.2.- I.13.2.2.3. II.14.2.5. Конструкция и технология производства оптоволоконных корпусных разъемов или соединителей, специально спроектированных для применения под водой II.14.2.6. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения оптоволоконных корпусных разъемов или соединителей, специально спроектированных для применения под водой II.14.2.7. Конструкция и технология производства кромок, корпусов, уплотнений и выдвижных элементов, имеющих следующие характеристики: II.14.2.7.1. спроектированных для внешних давлений в 3830 Па или более, функционирующих при высоте волны 1,25 м (Морская статья 3) или более и специально спроектированных для судов с поверхностным эффектом (полностью изменяемой поверхностной конфигурацией), указанных в пункте I.13.1.6. II.14.2.7.2. спроектированных для давлений в 6224 Па или более, фун- кционирующих при высоте волны 3,25 м (Морская статья 5) или более и специально спроектированных для судов с поверхностным эффектом (с неизменяемой поверхностной конфигурацией), указанных в пункте I.13.1.7. II.14.2.8. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения кромок, корпусов, уплотнений и выдвижных элементов с характеристиками, указанными в пунктах I.13.2.4.-I.13.2.4.2. II.14.2.9. Конструкция и технология производства полностью пог- ружаемых подкавитационных или суперкавитационных гидро- крыльев для судов, указанных в пункте I.13.1.8. II.14.2.10. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения гидрокрыльев, указанных в пункте I.13.2.5. II.14.2.11. Конструкция и технология производства активных систем компенсации движения морской среды, специально спроекти- рованных или модифицированных для обеспечения автомати- ческого управления лодками или судами, указанными в пунктах I.13.1.6.-I.13.1.9. II.14.2.12. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения систем, указанных в пункте I.13.2.6. II.14.3. Конструкция и технология систем управления летательных аппаратов II.14.3.1. Исходная программа для интегрирования (объединения) авиационной электроники и программы полета, которая сочетает данные датчиков и использует научную базу экспертных систем II.14.3.2. Исходная программа для разработки: II.14.3.2.1. системы организации работы цифровой полетной системы для полета по оптимизированной траектории; II.14.3.2.2. интегрального двигателя и системы управления полетом; II.14.3.2.3. системы управления по проводам и по сигнальным огням; II.14.3.2.4. отказоустойчивой и самоперестраиваемой активной системы управления полетом; II.14.3.2.5. бортового автоматического оборудования ориентации; II.14.3.2.6. систем воздушных данных, основанных на данных о поверхностных помехах; II.14.3.2.7. дисплея с растровым типом головки и объемного дисплея, имеющего три измерения II.14.3.3. Технология производства бортового автоматически управ- ляемого оборудования, работающего на частотах свыше 5 МГц II.14.3.4. Технология создания системы данных, основанной только на информации о профиле поверхности, т.е. системы, получен- ной обычным зондированием II.14.3.5. Технология производства дисплеев объемного изображения (в трех измерениях) с растровым типом головки II.14.3.6. Методы создания активных систем управления полетом II.14.3.6.1. Конструкция схемы связи множества движущихся микроэлект- ронных элементов (в бортовых компьютерах), позволяющей реализовать управление в реальном масштабе времени II.14.3.6.2. Методы учета (компенсации) в алгоритме управления пог- решностей определения местоположения датчика или аэроди- намической нагрузки на корпус (планер) летательного аппарата, вызванных возмущениями внешней среды II.14.3.6.3. Методы электронного управления избыточными данными или системами резервирования для определения ошибки, опреде- ления допустимого отклонения ошибки, локализации ошибки и ее реконфигурации Примечание Экспортному контролю не подлежат методы проектирования физической избыточности II.14.3.6.4. Методы создания системы управления полетом при воздейст- вии сил и моментов управления, которая позволяет осу- ществлять перестройку своей структуры для обеспечения управления в реальном масштабе времени автономным лета- тельным аппаратом II.14.3.6.5. Методы объединения цифрового управления полетом, навига- ционных данных и данных управления двигателем в цифровую систему управления полетом для оптимизации траектории полета, исключая методы для самолетных средств, пред- назначенные для ненаправленного радиомаяка сверхвысокой частоты, дальномерной аппаратуры, системы слепой посад- ки, захода на посадку II.14.3.6.6. Методы разработки цифровой системы управления полетом или программы организации работы многодатчиковых управляющих систем, объединяющих научные экспертные системы II.14.3.7. Методы разработки систем управления вертолетом II.14.3.7.1. Методы разработки многокоординатных средств управления по проводам или сигнальным огням, которые объединяют функции по крайней мере двух из нижеследующих элементов в один управляющий элемент: коллективное управление; вращательное управление; управление рысканием II.14.3.7.2. Методы разработки систем управления моментом вращения и скручивающим усилием при вращательном движении II.14.3.7.3. Методы разработки вращающихся лопастей с переменной геометрией аэродинамического профиля для использования в системах управления лопастью Раздел II.15. Испытательное оборудование II.15.1. Конструкция и технология производства гидроканалов, имеющих шумовой фон менее 100 дБ (эталон - 1 мкПа, 1 Гц) в частотном диапазоне от 0 до 500 Гц, спроектированных для измерения акустических полей, генерируемых гидро- потоком около моделей системы движителя II.15.2. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения гидроканалов, указанных в пункте I.14.1. II.15.3. Конструкция и технология производства измерительно-ин- формационных систем, работающих в реальном масштабе вре- мени, инструментов (включая датчики) или автоматических накопителей данных, специально разработанных для использования в следующих аэродинамических трубах или установках: II.15.3.1. в установках для моделирования набегающего потока с чис- лами Маха, превышающими 5, включая тепловые, плазменно- дуговые и ударные аэродинамические трубы, а также аэродинамические трубы с газовым поршнем и газовые пуш- ки; II.15.3.2. в аэродинамических трубах или установках, отличных от двумерных, способных моделировать обтекание потоками при числах Рейнольдса свыше 25*106 II.15.4. Программное обеспечение, необходимое для проектирования, производства и применения измерительно-информационных систем, указанных в пунктах I.14.2.-I.14.2.2. II.15.5. Конструкция и технология производства датчиков, специ- ально разработанных для непосредственного измерения поверхностного трения на стенке в потоке с температурой о торможения свыше 833 К (560 С) II.15.6. Программное обеспечение, необходимое для проектирования, производства и применения датчиков для непосредст- венного измерения поверхностного трения на стенке в о потоке с температурой торможения свыше 833 К (560 С), указанных в пункте I.14.3. II.15.7. Программное обеспечение, необходимое для задействования полностью автономного электронно-цифрового контроллера для аэрокосмических испытательных установок или воз- духодувных установок для испытания двигателей II.15.8. Программное обеспечение для моделирования двух- или трехвязкого внутридвигательного течения потока в аэроди- намических трубах или для обработки данных летных испытаний, позволяющих детально моделировать внутри- двигательный поток II.15.9. Программное обеспечение с допусками на аварийное вык- лючение двигательных установок, ассоциированное в стендовое оборудование II.15.10. Программное обеспечение для испытаний воздушных газотур- бинных двигателей, сборок или компонентов, специально разработанное для обобщения, преобразования и анализа данных в реальном масштабе времени, способное обеспе- чить управление с обратной связью, включая динамическую настройку испытуемых изделий или условий испытаний в ходе проведения экспериментов II.15.11. Конструкция и технология производства аэродинамических моделей газотурбинных двигателей для испытания в аэро- динамической трубе, оборудованных съемными датчиками, способными транслировать данные от первичных сенсоров в систему сбора информации Раздел II.16. Робототехника II.16.1. Конструкция и технология производства роботов, специаль- но спроектированных для подводного применения, управляе- мых с использованием программно-управляемой специализи- рованной ЭВМ II.16.1.1. Конструкция и технология производства роботов, имеющих управляющие системы с использованием информации от дат- чиков, которые измеряют усилие или момент вращения, прикладываемые к внешнему объекту, расстояние до внеш- него объекта или контактное (тактильное) взаимодействие между роботом и внешним объектом II.16.1.2. Конструкция и технология производства роботов, способных создавать усилие в 250 Н или более, или момент вращения 250 Н*м или более, и использующих сплавы на основе тита- на или волоконные или нитевидные композиционные материа- лы в элементах конструкции II.16.2. Программное обеспечение, специально спроектированное или модифицированное для разработки, производства или приме- нения роботов, указанных в пунктах I.15.1.-I.15.1.2. II.16.3. Конструкция и технология производства дистанционно уп- равляемых шарнирных манипуляторов, специально спроек- тированных или модифицированных для использования с подводными судами II.16.3.1. Конструкция и технология производства манипуляторов, имеющих управляющие системы, использующие информацию от датчиков, измеряющих усилие или момент вращения, прикла- дываемые к внешнему объекту, или контактное (тактильное) взаимодействие между манипулятором и внешним объектом II.16.3.2. Конструкция и технология производства манипуляторов, управляемых способами пропорционального управления "ве- дущий-ведомый" или с применением программно-управляемой специализированной ЭВМ, и имеющих пять или более степе- ней свободы движения II.16.4. Программное обеспечение, специально спроектированное или модифицированное для разработки, производства или применения манипуляторов, указанных в пунктах I.15.2.- I.15.2.2. Раздел II.17. Радиоэлектроника II.17.1. Конструкция и технология производства электронных при- боров и элементной базы Примечания: 1. Экспортный контроль по подразделу II.17.1. не рас- пространяется на конструкцию и технологии производ- ства: микроволновых транзисторов, работающих на частотах ниже 31 ГГц; интегральных схем, указанных в пунктах I.16.1.1.- I.16.1.1.8.2., использующих проектные нормы 1 мкм и выше, и не содержащих многослойных структур. 2. Не контролируется экспорт многослойной технологии приборов, содержащих максимум два металлических слоя и два слоя поликремния II.17.1.1. Конструкция и технология производства интегральных схем II.17.1.1.1. Конструкция и технология производства микропроцессорных микросхем, микрокомпьютерных микросхем и микросхем микроконтроллеров, имеющих хотя бы одну из следующих характеристик: Примечания: 1. Экспортный контроль по пункту II.17.1.1.1. не рас- пространяется на конструкцию и технологию производст- ва кремниевых микрокомпьютерных микросхем и микросхем микроконтроллеров, имеющих длину операнда (данных) 8 бит и менее 2. Экспортный контроль по пункту II.17.1.1.1. распрост- раняется на конструкцию и технологию производства цифровых сигнальных процессоров, цифровых матричных процессоров и цифровых сопроцессоров II.17.1.1.1.1. разрядность внешней шины данных превышает 32 бита, либо разрядность доступа к арифметико-логическому устройству превышает 32 бита; II.17.1.1.1.2. тактовая частота превышает 40 МГц; II.17.1.1.1.3. внешняя шина данных имеет разрядность 32 бита и более, а производительность равна 12,5 млн.команд в секунду и более; II.17.1.1.1.4. процессор параллельного типа оснащен для внешнего под- ключения более чем одной шиной данных или команд, или последовательным портом связи с пропускной способнос- тью свыше 2,4 Мбайт/с II.17.1.1.2. Конструкция и технология производства интегральных схем памяти II.17.1.1.2.1. Конструкция и технология производства электрически пере- программируемых полупостоянных запоминающих устройств с емкостью памяти, превышающей 1 кбит на один корпус, или превышающей 256 кбит на один корпус, и имеющие макси- мальное время доступа менее 80 нс II.17.1.1.2.2. Конструкция и технология производства статических запо- минающих устройств с произвольной выборкой с емкостью памяти, превышающей 1 Мбит на один корпус, или превы- шающей 256 кбит на один корпус, и имеющих максимальное время доступа менее 25 нс II.17.1.1.2.3. Конструкция и технология производства интегральных схем памяти, изготовленных на основе сложного полупроводника II.17.1.1.3. Конструкция и технология производства электронно-опти- ческих или оптических интегральных схем для обработки сигналов, имеющих: один внутренний лазерный диод или более; один внутренний светочувствительный элемент или более; оптические волноводы II.17.1.1.4. Конструкция и технология производства программируемых у пользователя базовых матричных кристаллов, имеющих хотя бы одну из следующих характеристик: II.17.1.1.4.1. эквивалентное количество вентилей свыше 30000 (в пере- счете на двухвходовые); II.17.1.1.4.2. типовое время задержки распространения сигнала в базо- вом вентиле менее 0,4 нс II.17.1.1.5. Конструкция и технология производства программируемых у пользователя логических матриц, имеющих хотя бы одну из следующих характеристик: II.17.1.1.5.1. эквивалентное количество вентилей свыше 5000 (в пере- счете на двухвходовые); II.17.1.1.5.2. частота переключения превышает 100 МГц II.17.1.1.6. Конструкция и технология производства интегральных схем для нейронных сетей II.17.1.1.7. Конструкция и технология производства заказных интег- ральных схем, имеющих хотя бы одну из следующих харак- теристик: II.17.1.1.7.1. число выводов свыше 144; II.17.1.1.7.2. типовое время задержки распространения сигнала в базо- вом вентиле менее 0,4 нс; II.17.1.1.7.3. рабочая частота свыше 3 ГГц II.17.1.1.8. Конструкция и технология производства цифровых интег- ральных схем, отличающихся от описанных в пунктах I.16.1.1.1.-I.16.1.1.7., созданных на основе любого сложного полупроводника и имеющих хотя бы одну из следу- ющих характеристик: II.17.1.1.8.1. эквивалентное количество вентилей свыше 300 (в пере- счете на двухвходовые); II.17.1.1.8.2. частота переключения свыше 1,2 ГГц II.17.1.2. Конструкция и технология производства приборов микро- волнового или миллиметрового диапазона II.17.1.2.1. Конструкция и технология производства электронных ваку- умных ламп и катодов Примечание Экспортный контроль по пунктам II.17.1.2.1.- II.17.1.2.1.3.2. не распространяется на конструкцию и технологию производства ламп, предназначенных для работы в стандартном диапазоне частот гражданской телекомму- никации, с частотами, не превышающими 31 ГГц II.17.1.2.1.1. Конструкция и технология производства ламп бегущей волны импульсного или непрерывного действия: II.17.1.2.1.1.1. работающих на частотах свыше 31 ГГц; II.17.1.2.1.1.2. имеющих элемент подогрева катода со временем от вклю- чения до выхода лампы на номинальную радиочастотную мощность менее 3 с; II.17.1.2.1.1.3. с сопряженными резонаторами или их модификации; II.17.1.2.1.1.4. со спиралью или их модификаций, имеющих хотя бы один из следующих признаков: II.17.1.2.1.1.4.1. мгновенная ширина полосы частот составляет пол-окта- вы и более, и произведение номинальной средней вы- ходной мощности (в кВт) на максимальную рабочую частоту (в ГГц) превышает 0,2; II.17.1.2.1.1.4.2. мгновенная ширина полосы частот составляет менее пол-октавы и произведение номинальной средней выход- ной мощности (в кВт) на максимальную рабочую частоту (в ГГц) превышает 0,4; II.17.1.2.1.1.4.3. по техническим условиям пригодны для космического применения II.17.1.2.1.2. Конструкция и технология производства СВЧ-приборов - усилителей магнетронного типа с коэффициентом усиления более 17 дБ II.17.1.2.1.3. Конструкция и технология производства импрегнированных катодов для электронных ламп, имеющих хотя бы один из следующих признаков: II.17.1.2.1.3.1. время от включения до выхода на номинальную эмиссию менее 3 с; II.17.1.2.1.3.2. плотность тока при непрерывной эмиссии и штатных условиях функционирования свыше 5 А/кв.см II.17.1.2.2. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства электронных вакуумных ламп и катодов, указанных в пунктах I.16.1.2.1.- I.16.1.2.1.3.2. II.17.1.2.3. Конструкция и технология производства интегральных схем или модулей микроволнового диапазона, содержащих твердотельные интегральные схемы, работающие на частотах свыше 31 ГГц Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.1.2.3. не рас- пространяется на конструкцию и технологию производства схем или модулей для оборудования, разработанного или пригодного для работы в стандартном диапазоне частот гражданской телекоммуникации с частотами, не превышающими 31 ГГц II.17.1.2.4. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства интегральных схем или модулей микроволнового диапазона, указанных в пункте I.16.1.2.2. II.17.1.2.5. Конструкция и технология производства микроволновых транзисторов, предназначенных для работы на частотах, превышающих 31 ГГц II.17.1.2.6. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства микроволновых транзис- торов, предназначенных для работы на частотах, превы- шающих 31 ГГц II.17.1.2.7. Конструкция и технология производства микроволновых твердотельных усилителей: II.17.1.2.7.1. работающих на частотах свыше 10,5 ГГц и имеющих ширину рабочей полосы частот более чем пол-октавы; II.17.1.2.7.2. работающих на частотах свыше 31 ГГц Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.1.2.7. не распрост- раняется на конструкцию и технологию производства усилителей: специально спроектированных для медицинских целей; специально спроектированных для простых учебных при- боров; имеющих выходную мощность не более 10 Вт и специально спроектированных для: промышленных или гражданских систем защиты периметра, обнаружения посторонних лиц или охранной сигнализа- ции; автодорожных или промышленных систем управления дви- жением и систем подсчета; систем обнаружения экологического загрязнения воздуха или воды II.17.1.2.8. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства микроволновых твердо- тельных усилителей, указанных в пунктах I.16.1.2.4.- I.16.1.2.4.2. II.17.1.2.9. Конструкция и технология производства полосовых или за- граждающих фильтров с электронной или магнитной настрой- кой, имеющих свыше 5 настраиваемых резонаторов, обеспе- чивающих настройку в полосе частот с соотношением макси- мальной и минимальной частот 1,5 менее чем за 10 мкс, причем полоса пропускания составляет более 0,5 % от резонансной частоты или полоса подавления составляет менее 0,5 % от резонансной частоты II.17.1.2.10. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства полосовых или заграж- дающих фильтров, указанных в пункте I.16.1.2.5. II.17.1.2.11. Конструкция и технология производства микроволновых сборок, способных работать на частотах, превышающих 31 ГГц II.17.1.2.12. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства микроволновых сборок, способных работать на частотах, превышающих 31 ГГц II.17.1.2.13. Конструкция и технология производства гибких волноводов, спроектированных для использования на частотах свыше 40 ГГц II.17.1.2.14. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства гибких волноводов, спроектированных для использования на частотах свыше 40 ГГц II.17.1.3. Конструкция и технология производства приборов на акустических волнах и специально спроектированных для них компонентов II.17.1.3.1. Конструкция и технология производства приборов на поверхностных акустических волнах в тонкой подложке (т.е. приборов для обработки сигналов, использующих упругие волны в материале), имеющих хотя бы один из следующих признаков: II.17.1.3.1.1. несущая частота превышает 1 ГГц; II.17.1.3.1.2. несущая частота 1 ГГц и менее, частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности превышает 55 дБ, произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) больше 100 или задержка распространения превышает 10 мкс Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.1.3.1. не рас- пространяется на конструкцию и технологию производства приборов, специально спроектированных для бытовой электроники или развлечений II.17.1.3.2. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства приборов на поверх- ностных акустических волнах в тонкой подложке, указанных в пунктах I.16.1.3.1.-I.16.1.3.1.2. II.17.1.3.3. Конструкция и технология производства приборов на объемных акустических волнах (т.е. приборов для обра- ботки сигналов, использующих упругие волны в материале), обеспечивающих непосредственную обработку сигналов на частотах свыше 1 ГГц II.17.1.3.4. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства приборов на объемных акустических волнах, указанных в пункте I.16.1.3.2. II.17.1.3.5. Конструкция и технология производства акустооптических приборов обработки сигналов, использующих взаимодействие между акустическими волнами (объемными или поверхностны- ми) и световыми волнами, что обеспечивает непосредствен- ную обработку сигналов или изображения, включая анализ спектра, корреляцию или свертку Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.1.3.5. не распрост- раняется на конструкцию и технологию производства приборов, специально спроектированных для гражданского телевидения, видео- или амплитудно модулированной и частотно модулированной широковещательной аппаратуры II.17.1.3.6. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства акустооптических прибо- ров обработки сигналов, указанных в пункте I.16.1.3.3. II.17.1.4. Конструкция и технология производства электронных при- боров или схем, содержащих элементы, изготовленные из сверхпроводящих материалов, специально спроектированных для работы при температурах ниже критической температуры хотя бы одной из сверхпроводящих составляющих, имеющих хотя бы один из следующих признаков: II.17.1.4.1. наличие электромагнитного усиления на частотах, рав- ных или ниже 31 ГГц, с уровнем шумов ниже 0,5 дБ или на частотах свыше 31 ГГц; II.17.1.4.2. наличие токовых переключателей для цифровых схем, ис- пользующих сверхпроводящие вентили, у которых произве- дение времени задержки на вентиль (в секундах) на рас- сеяние мощности на вентиль (в ваттах) ниже 10 -14Дж; II.17.1.4.3. обеспечение селекции частоты на всех диапазонах частот с использованием резонансных контуров с добротностью свыше 10000 II.17.1.5. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства электронных приборов или схем, содержащих элементы, изготовленные из сверхпрово- дящих материалов, указанных в пунктах I.16.1.4.- I.16.1.4.3. II.17.1.6. Конструкция и технология производства вращающихся преоб- разователей абсолютного углового положения вала в код, имеющих хотя бы один из следующих признаков: II.17.1.6.1. разрешение лучше чем 1/265000 от полного диапазона (18 бит); II.17.1.6.2. точность лучше чем +2,5 угл.с II.17.1.7. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства вращающихся преобразова- телей абсолютного углового положения вала в код, указанных в пунктах I.16.1.5.-I.16.1.5.2. II.17.1.8. Конструкция и технология производства вакуумных микро- электронных приборов II.17.1.9. Конструкция и технология производства полупроводниковых приборов с гетероструктурой, например транзисторов с вы- сокой подвижностью электронов (ВПЭТ), биполярных тран- зисторов на гетероструктуре (ГБТ), приборов на эффекте потенциальной ямы или приборов на сверхрешетках II.17.1.10. Конструкция и технология производства электронных прибо- ров со сверхпроводимостью II.17.2. Конструкция и технология производства электронной аппа- ратуры общего назначения II.17.2.1. Конструкция и технология производства записывающей аппа- ратуры II.17.2.1.1. Конструкция и технология производства накопителей на магнитной ленте для аналоговой аппаратуры, включая нако- пители с возможностью записи цифровых сигналов (т.е. ис- пользующей модуль цифровой записи высокой плотности), имеющих хотя бы один из следующих признаков: II.17.2.1.1.1. полоса частот превышает 4 МГц на электронный канал или дорожку; II.17.2.1.1.2. полоса частот превышает 2 МГц на электронный канал или дорожку при числе дорожек более 42; II.17.2.1.1.3. ошибка рассогласования временной шкалы менее +0,1 мкс II.17.2.1.2. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства накопителей на магнитной ленте для аналоговой аппаратуры, указанных в пунктах I.16.2.1.1.-I.16.2.1.1.3. II.17.2.1.3. Конструкция и технология производства цифровых видеомаг- нитофонов, имеющих максимальную пропускную способность цифрового интерфейса свыше 180 Мбит/с, кроме специально спроектированных для телевизионной записи по стандартам или рекомендациям для гражданского телевидения II.17.2.1.4. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства цифровых видеомагнито- фонов, указанных в пункте I.16.2.1.2. II.17.2.1.5. Конструкция и технология производства накопителей на магнитной ленте для цифровой аппаратуры, имеющих хотя бы один из следующих признаков: II.17.2.1.5.1. максимальная пропускная способность цифрового интер- фейса свыше 60 Мбит/с и использование методов спираль- ного сканирования; II.17.2.1.5.2. максимальная пропускная способность цифрового интер- фейса свыше 120 Мбит/с и использование фиксированных магнитных головок; II.17.2.1.5.3. по техническим условиям пригодны для космического при- менения Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.2.5.3. не распрост- раняется на конструкцию и технологию производства аналоговых накопителей на магнитной ленте, оснащенных электроникой для преобразования в цифровую запись высо- кой плотности и предназначенных для записи только цифро- вых данных II.17.2.1.6. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства накопителей на магнитной ленте для цифровой аппаратуры, указанных в пунктах I.16.2.1.3.-I.16.2.1.3.3. II.17.2.1.7. Конструкция и технология производства аппаратуры с мак- симальной пропускной способностью цифрового интерфейса свыше 60 Мбит/с, спроектированной для переделки цифровых видеомагнитофонов в устройство записи данных цифровой аппаратуры II.17.2.1.8. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства аппаратуры, указанной в пункте I.16.2.1.4. II.17.2.2. Конструкция и технология производства сборок синтезато- ров частоты, имеющих время переключения с одной заданной частоты на другую менее 1 мс II.17.2.3. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства сборок синтезаторов частоты, указанных в пункте I.16.2.2. II.17.2.4. Конструкция и технология производства анализаторов сиг- налов: II.17.2.4.1. способных анализировать частоты, превышающие 31 ГГц; II.17.2.4.2. динамических анализаторов сигналов с полосой пропуска- ния в реальном масштабе времени, превышающей 25,6 кГц, кроме тех, которые используют фильтры с полосой про- пускания фиксированных долей (известные также как ок- тавные или дробно-октавные фильтры) II.17.2.5. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства анализаторов сигналов, указанных в пунктах I.16.2.3.-I.16.2.3.2. II.17.2.6. Конструкция и технология производства генераторов сигна- лов синтезированных частот, формирующих выходные частоты с управлением по параметрам точности, кратковременной и долговременной стабильностью на основе или с помощью внутренней эталонной частоты, имеющих хотя бы один из следующих признаков: II.17.2.6.1. максимальная синтезируемая частота, превышающая 31 ГГц; II.17.2.6.2. время переключения частоты с одной заданной частоты на другую менее 1 мс; II.17.2.6.3. фазовый шум одной боковой полосы (ОБП) лучше чем -(126 + 20лг( ) - 20лг(ф)) в единицах дБ/Гц, где - смещение рабочей частоты в Гц, а ф- рабочая частота в МГц Примечание Экспортный контроль по пунктам II.17.2.6.-II.17.2.6.3. не распространяется на конструкцию и технологию производства аппаратуры, в которой выходная частота либо создается путем сложения или вычитания частот с двух и более кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычитания с последующим умножением результирующей частоты II.17.2.7. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства генераторов сигналов синтезированных частот, указанных в пунктах I.16.2.4.- I.16.2.4.3. II.17.2.8. Конструкция и технология производства сетевых анализато- ров с максимальной рабочей частотой, превышающей 31 ГГц Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.2.8. не распрост- раняется на конструкцию и технологию производства сетевых анализаторов с качающейся частотой, рабочая частота которых не превосходит 40 ГГц, и которые не имеют шины данных для интерфейса дистанционного управления II.17.2.9. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства сетевых анализаторов, указанных в пункте I.16.2.5. II.17.2.10. Конструкция и технология производства приемников- тестеров микроволнового диапазона, имеющих максимальную рабочую частоту более 31 ГГц и способных одновременно измерять амплитуду и фазу II.17.2.11. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства приемников-тестеров микроволнового диапазона, указанных в пункте I.16.2.6. II.17.2.12. Конструкция и технология производства атомных эталонов частоты, имеющих хотя бы один из следующих признаков: II.17.2.12.1. долговременная стабильность (старение) менее (лучше) 10-11/мес; II.1.2.12.2. по техническим условиям пригодны для космического при- менения Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.12.1. не распрост- раняется на конструкцию и технологию производства руби- диевых эталонов, не предназначенных для космического применения II.17.2.13. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства атомных эталонов частоты, указанных в пунктах I.16.2.7.-I.16.2.7.2. II.17.2.14. Конструкция и технология производства эмуляторов микро- схем, указанных в пунктах I.16.1.1.1. или I.16.1.1.6. Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.2.14. не распрост- раняется на конструкцию и технологию производства эмуляторов, спроектированных под семейство, содержащее хотя бы один прибор, на который не распространяется экспортный контроль по пунктам I.16.1.1.1. или I.16.1.1.6. II.17.2.15. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства эмуляторов микросхем, указанных в пункте I.16.2.8. II.17.3. Конструкция и технология производства оборудования для производства и испытания полупроводниковых приборов II.17.3.1. Конструкция и технология производства снабженных прог- раммно-управляемым запоминающим устройством установок для эпитаксиального выращивания II.17.3.1.1. Конструкция и технология производства установок для эпи- таксиального выращивания, способных выдерживать толщину эпитаксиального слоя с отклонением не более +2,5 % на протяжении не менее 75 мм вдоль пластины II.17.3.1.2. Конструкция и технология производства установок химичес- кого осаждения металлорганических паров, специально предназначенных для выращивания кристаллов сложных полу- проводников с помощью химических реакций материалов, указанных в пунктах I.6.11.-1.6.11.4. или I.6.12. II.17.3.1.3. Конструкция и технология установок молекулярно-лучевой эпитаксии, использующих газовые источники II.17.3.2. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения установок для эпитаксиального выращивания, указанных в пунктах I.16.3.1.-I.16.3.1.3. II.17.3.3. Конструкция и технология производства многофункциональ- ных фокусируемых ионно-лучевых систем, снабженных про- граммно-управляемым запоминающим устройством, специаль- но спроектированных для производства, ремонта, анализа физической топологии и тестирования масок или полупро- водниковых приборов, имеющих хотя бы один из следующих признаков: II.17.3.3.1. точность управления положением пучка на мишени 0,25 мкм или лучше; II.17.3.3.2. разрешающая способность цифро-аналогового преобразова- ния свыше 12 бит II.17.3.4. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения многофунк- циональных фокусируемых ионно-лучевых систем, указанных в пунктах I.16.3.2.-I.16.3.2.2. II.17.3.5. Конструкция и технология производства многокамерного центра обработки полупроводниковых пластин с автомати- ческой загрузкой и программно-управляющим запоминающим устройством, имеющего устройства для загрузки и выгрузки пластин, к которому должны быть присоединены более двух установок технологической обработки полупроводников, об- разуя комплексную вакуумированную систему для последо- вательной многопозиционной обработки пластин Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.3.5. не распрост- раняется на конструкцию и технологию производства автоматических робототехнических систем обработки пластин, не предназначенных для работы в вакууме II.17.3.6. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения многокамер- ного центра обработки полупроводниковых пластин, указанного в пункте I.16.3.3. II.17.3.7. Конструкция и технология производства установок литогра- фии, снабженных программно-управляющим запоминающим уст- ройством II.17.3.7.1. Конструкция и технология производства установок много- кратного совмещения и экспонирования для обработки плас- тин методами фотооптической или рентгеновской литогра- фии, имеющих хотя бы один из следующих признаков: II.17.3.7.1.1. наличие источника освещения с длиной волны короче 400 нм; II.17.3.7.1.2. цифровая апертура свыше 0,40; II.17.3.7.1.3. точность совмещения +0,20 мкм (3 сигма) или лучше Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.3.7.1. не рас- пространяется на конструкцию и технологию производства установок многократного совмещения и экспонирования, имеющих длину волны источника освещения 436 нм или больше, цифровую апертуру 0,38 или меньше, диаметр изображения 22 мм и меньше II.17.3.7.2. Конструкция и технология производства установок, специ- ально спроектированных для производства масок или обра- ботки полупроводниковых приборов с использованием откло- няемого фокусируемого электронного пучка, ионного пучка или лазерного пучка, имеющих хотя бы один из следующих признаков: II.17.3.7.2.1. размер пятна меньше чем 0,2 мкм; II.17.3.7.2.2. способность производить структуру с минимальными раз- мерами менее 1 мкм; II.17.3.7.2.3. точность совмещения лучше +0,20 мкм (3 сигма) II.17.3.8. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения установок литографии, указанных в пунктах I.16.3.4.- I.16.3.4.2.3. II.17.3.9. Технология производства масок или фотошаблонов II.17.3.9.1. Технология производства масок или фотошаблонов для ин- тегральных схем, указанных в пунктах I.16.1.- I.16.1.1.8.2. II.17.3.9.2. Технология производства многослойных масок, оснащенных фазосдвигающим слоем II.17.3.10. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения масок или фотошаблонов, указанных в пунктах I.16.3.5.- I.16.3.5.2. II.17.3.11. Информация по способам оптимизации процессов совмещения скрытых локальных слоев и топологии интегральных схем с высокой точностью (лучше +0,20 мкм) II.17.3.12. Конструкция и технология производства испытательной аппаратуры, снабженной программно-управляющим запоминаю- щим устройством, специально спроектированной для испытания полупроводниковых приборов и бескорпусных кристаллов: II.17.3.12.1. аппаратуры для замера параметров матрицы рассеяния на частотах свыше 31 ГГц; II.17.3.12.2. аппаратуры для испытания интегральных схем и их сборок, способной выполнять функциональное тестирова- ние (по таблицам истинности) с частотой тестирования строк свыше 40 МГц Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.3.12.2. не распрост- раняется на конструкцию и технологию производства аппаратуры, специально спроектированной для испытаний: сборок или класса сборок для бытовой электроники или развлечений; электронных компонентов, сборок или интегральных схем, не подлежащих экспортному контролю II.17.3.12.3. аппаратуры для испытания микроволновых интегральных схем на частотах, превышающих 31 ГГц; Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.3.12.3. не распрост- раняется на конструкцию и технологию производства аппаратуры, специально спроектированной для испытаний микроволновых интегральных схем, для оборудования, предназначенного или пригодного по техническим условиям для работы в стандартном гражданском диапазоне на частотах, не превышающих 31 ГГц II.17.3.12.4. электронно-лучевых систем, спроектированных для работы ниже 3 кэВ, или лазерных лучевых систем для бескон- тактного зондирования запитанных полупроводниковых приборов, имеющих одновременно стробоскопический режим либо с затенением луча, либо с детекторным стробирова- нием и электронный спектрометр для замера напряжений менее 0,5 В Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.3.12.4. не распрост- раняется на конструкцию и технологию производства сканирующих электронных микроскопов, кроме тех, которые специально спроектированы и оснащены для бесконтактного зондирования запитанных полупроводниковых приборов II.17.3.13. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства аппаратуры испытаний полупроводниковых приборов и бескорпусных кристаллов, указанных в пунктах I.16.3.6-I.16.3.6.4. II.17.3.14. Программное обеспечение систем автоматизированного про- ектирования (САПР) полупроводниковых приборов или интег- ральных схем, имеющее хотя бы один из следующих приз- наков: II.17.3.14.1. имеются правила проектирования или правила проверки (верификации) схем; II.17.3.14.2. обеспечивается моделирование схем по их физической то- пологии; II.17.3.14.3. имеются имитаторы литографических процессов для проек- тирования Примечания: 1. Имитатор литографических процессов - это пакет прог- раммного обеспечения, используемый на этапе проек- тирования для определения последовательности операций литографии, травления и осаждения с целью воплощения структур на фотошаблонах в конкретные топологические структуры проводников, диэлектриков или полупровод- ников 2. Экспортный контроль по пунктам II.17.3.14.- II.17.3.14.3. не распространяется на программное обеспечение, специально созданное для описания принципиальных схем, логического моделирования, рас- кладки и маршрутизации, создания магнитных лент для верификации топологии или формирования рисунка. Библиотеки, проектные атрибуты и сопутствующие данные для проектирования полупроводниковых приборов или интегральных схем рассматриваются как технология II.17.4. Конструкция и технология производства радиолокационных станций (РЛС), аппаратуры, узлов и специально разрабо- танных компонентов Примечание Экспортный контроль по пунктам II.17.4.-II.17.4.20.2. не распространяется на конструкцию и технологию производства: РЛС с активным ответом; автомобильных РЛС для предотвращения столкновений; дисплеев и мониторов, используемых для контроля воздушного движения, имеющих разрешение не более 12 элементов на мм II.17.4.1. Конструкция и технология производства РЛС, работающих на частотах от 40 ГГц до 230 ГГц и имеющих среднюю выходную мощность более 100 мВт II.17.4.2. Конструкция и технология производства РЛС, имеющих перестраиваемую частоту в пределах более чем +6,25 % от центральной рабочей частоты II.17.4.3. Конструкция и технология производства РЛС, имеющих воз- можность работать на двух или более несущих частотах II.17.4.4. Конструкция и технология производства РЛС воздушного базирования, имеющих возможность функционирования в ре- жимах синтезированной апертуры, обратной синтезированной апертуры или бокового обзора II.17.4.5. Конструкция и технология производства РЛС, включающих фазированные антенные решетки для электронного управле- ния лучом II.17.4.6. Конструкция и технология производства РЛС, обладающих способностью нахождения высотных одиночных целей Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.4.6. не распростра- няется на конструкцию и технологию производства аппара- туры РЛС точной посадки, удовлетворяющей стандартам ИКАО, и метеорологических (погодных) РЛС II.17.4.7. Конструкция и технология производства РЛС, предназначен- ных специально для воздушного базирования и имеющих доп- леровскую обработку сигнала для обнаружения движущихся целей II.17.4.8. Конструкция и технология производства РЛС, использующих обработку сигнала методами расширения спектра или пе- рестройки частоты II.17.4.9. Конструкция и технология производства РЛС, обеспечиваю- щих наземное функционирование с максимальной инструмен- тальной дальностью свыше 185 км Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.4.9. не распростра- няется на конструкцию и технологию производства наземных РЛС наблюдения рыбных косяков II.17.4.10. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения РЛС, указанных в пунктах I.16.4.1.-I.16.4.9. II.17.4.11. Конструкция и технология производства лазерных локацион- ных станций или лазерных дальномеров (ЛИДАРов): II.17.4.11.1. имеющих космическое применение; II.17.4.11.2. использующих методы когерентного гетеродинного или го- модинного детектирования и имеющих угловое разрешение менее (лучше) 20 мкрад Примечание Экспортный контроль по пунктам II.17.4.11.-II.17.4.11.2. не распространяется на конструкцию и технологию производства ЛИДАРов, специально спроектированных для метеорологических наблюдений II.17.4.12. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения лазерных локационных станций или лазерных дальномеров, указанных в пунктах I.16.4.10.-I.16.4.10.2. II.17.4.13. Конструкция и технология производства РЛС, имеющих под- системы обработки сигнала в виде сжатия импульса с коэф- фициентом сжатия свыше 150 или шириной импульса менее 200 нс II.17.4.14. Конструкция и технология производства РЛС, имеющих под- системы обработки данных: II.17.4.14.1. с автоматическим сопровождением целей, обеспечивающим при любом вращении антенны предполагаемое положение цели далее, чем до следующего прохождения луча ан- тенны; Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.4.14.1. не распрост- раняется на конструкцию и технологию производства средств выдачи сигнала для предупреждения столкновений в системах контроля воздушного движения, морских или прибрежных РЛС II.17.4.14.2. с вычислением скорости цели относительно РЛС, имеющей непериодическое сканирование; II.17.4.14.3. для автоматического распознавания образов (выделение признаков) и сравнения с базами данных характеристик цели (сигналов или образов) для идентификации или классификации целей; II.17.4.14.4. с наложением, корреляцией или слиянием данных цели от двух или более пространственно распределенных на мест- ности и взаимосвязанных датчиков РЛС для улучшения различения целей Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.4.14.4. не распрост- раняется на конструкцию и технологию производства сис- тем, оборудования и узлов для контроля морского движения II.17.4.15. Конструкция и технология производства импульсных РЛС из- мерения площади поперечного сечения с длительностью им- пульса 100 нс или менее и специальными компонентами II.17.4.16. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения РЛС, указанных в пунктах I.16.4.11.-I.16.4.13. II.17.4.17. Программное обеспечение для управления воздушным движе- нием на компьютерах общего назначения, находящихся в центрах управления воздушным движением и обладающих сле- дующими возможностями: II.17.4.17.1. обработка и отображение более чем 150 одновременных траекторий; II.17.4.17.2. прием РЛС информации о целях от более чем четырех пер- вичных РЛС; II.17.4.17.3.

автоматическая обработка с передачей данных о целях от первичных РЛС (в случае отсутствия корреляции с инфор- мацией наблюдения РЛС с активным ответом) с одного центра управления воздушным движением на другой центр управления II.17.4.18. Конструкция и технология производства антенных фазиро- ванных решеток, функционирующих на частотах выше 10,5 ГГц, содержащих активные элементы и распределенные ком- поненты, позволяющие осуществлять электронное управление формой и направлением луча, за исключением систем посад- ки с аппаратурой, удовлетворяющей стандартам ИКАО (сис- тема посадки СВЧ-диапазона) II.17.4.19. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения антенных фазированных решеток, указанных в пункте I.16.4.14. II.17.4.20. Программное обеспечение для разработки или производства обтекателей, которые: II.17.4.20.1. специально разработаны для защиты фазированных решеток с электронной перестройкой луча, указанных в пункте I.16.4.14. II.17.4.20.2. ограничивают увеличение среднего уровня боковых ле- пестков менее чем на 13 дБ для частот равных или выше 2 ГГц II.17.5. Конструкция и технология производства телекоммуникацион- ной аппаратуры, узлов и компонентов II.17.5.1. Конструкция и технология производства телекоммуникацион- ного оборудования любого типа, имеющего хотя бы одну из перечисленных характеристик, свойств или качеств: II.17.5.1.1. специально разработанное для защиты от транзисторного эффекта или электромагнитного импульса, возникающих при ядерном взрыве; II.17.5.1.2. специально разработанное с повышенной стойкостью к гамма, нейтронному или ионному излучению; II.17.5.1.3. специально разработанное для функционирования за пре- о делами интервала температур от 219 К (-54 С) о до 397 К (124 С) Примечания: 1. Пункт II.17.5.1.3. применяется только в отношении конструкции и технологии производства электронной ап- паратуры 2. Пункты II.17.5.1.2. и II.17.5.1.3. не применяются в отношении конструкции и технологии производства бор- товой аппаратуры спутников II.17.5.2. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения телекоммуникационного оборудования, указан- ного в пунктах I.16.5.1.-I.16.5.1.3. II.17.6. Конструкция и технология производства телекоммуникацион- ной аппаратуры передачи или специально разработанных компонентов и вспомогательного оборудования, содержащих: II.17.6.1. аппаратуру, использующую цифровые методы, включая цифровую обработку аналоговых сигналов, разработанную для функционирования при скорости цифровой передачи на верхнем пределе уплотнения свыше 45 Мбит/с или общей скорости цифровой передачи свыше 90 Мбит/с; Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.6.1. не распростра- няется на конструкцию и технологию производства аппара- туры, специально разработанной для включения и функ- ционирования в любой спутниковой системе гражданского назначения II.17.6.2. аппаратуру цифровой коммутации со встроенным программным управлением и скоростью цифровой передачи свыше 8,5 Мбит/с на порт; II.17.6.3. аппаратуру, включающую: II.17.6.3.1. модемы, использующие полосу одного телефонного канала, со скоростью цифровой передачи свыше 9600 бит/с; II.17.6.3.2. контроллеры канала связи с цифровым выходом, имеющие скорость передачи свыше 64000 бит/с на канал; II.17.6.3.3. контроллеры доступа в сеть и связанную с ними общую среду со скоростью передачи свыше 33 Мбит/с; II.17.6.4. аппаратуру, использующую лазер и имеющую хотя бы одну из следующих характеристик: II.17.6.4.1. длина волны излучения лазера свыше 1000 нм; II.17.6.4.2. использование аналоговых методов и полосы частот более 45 МГц; II.17.6.4.3. когерентная оптическая передача или когерентные методы оптического детектирования (также называемые оптичес- кими гетеродинными или гомодинными методами); II.17.6.4.4. использование методов уплотнения с разделением по длине волны; II.17.6.4.5. осуществление оптического усиления; II.17.6.5. радиоаппаратуру, функционирующую на частотах входного или выходного сигнала свыше: II.17.6.5.1. 31 ГГц для применения на наземных станциях систем спутниковой связи; II.17.6.5.2. 26,5 ГГц для других применений; Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.6.5.2. не распрос- траняется на конструкцию и технологию производства радиоаппаратуры, рассчитанной на гражданское применение, функционирующей в диапазоне частот 26,5-31 ГГц в соответствии с рекомендациями Международного Союза Электросвязи II.17.6.6. радиоаппаратуру, использующую квадратурную амплитудную модуляцию выше уровня 4 или другие цифровые методы модуляции и имеющую спектральную эффективность свыше 3 бит/(с*Гц); Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.6.6. не распростра- няется на конструкцию и технологию производства аппаратуры, специально разработанной для включения и работы в любой спутниковой системе гражданского назначения II.17.6.7. радиоаппаратуру, функционирующую в диапазоне 1,5-87,5 МГц и имеющую какую-либо из указанных ниже характе- ристик: II.17.6.7.1. автоматические прогнозирование и выбор значений частот и общей скорости цифровой передачи для ее оптимизации; II.17.6.7.2. наличие линейного усилителя мощности, способного одновременно поддерживать множественные сигналы с выходной мощностью 1 кВт или более в частотном диапазоне 1,5-30 МГц, или 250 Вт или более в частотном диапазоне 30-87,5 МГц, свыше пределов мгновенной полосы одной октавы или более, с содержанием гармоник и искажений на выходе лучше 80 дБ; II.17.6.7.3. включающая адаптивные методы, обеспечивающие более чем 15 дБ подавления помехового сигнала; II.17.6.8. радиоаппаратуру, использующую расширение спектра или методы перестройки частоты, имеющую коды расширения, программируемые пользователем, или общую ширину полосы частот передачи в 100 или более раз превышающую полосу частот одного информационного канала и составляющую более чем 50 кГц; II.17.6.9. радиоприемники с цифровым управлением и более чем 1000 каналами, которые ищут или сканируют в части электро- магнитного спектра, идентифицируют принятый сигнал или тип передатчика и имеют время переключения частоты менее 1 мс; II.17.6.10. аппаратуру, обеспечивающую функцию цифровой обработки сигналов в виде: II.17.6.10.1. кодирования речи со скоростью менее 2400 бит/с; II.17.6.10.2. использования схем, обеспечивающих программируемость пользователем схем цифровой обработки сигналов, превы- шающих пределы, указанные в пункте I.16.9.7.; II.17.6.11. системы подводной связи, имеющие любую из следующих характеристик: II.17.6.11.1. использование акустической несущей частоты за преде- лами интервала от 20 до 60 кГц; II.17.6.11.2. использование электромагнитной несущей частоты ниже 30 кГц; II.17.6.11.3. использование методов электронного сканирования луча II.17.7. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения телекоммуникационной передающей аппаратуры, указанной в пунктах I.16.5.2.-I.16.5.2.11.3. II.17.8. Конструкция и технология производства аппаратуры комму- тации с встроенным программным управлением и связанными системами сигналообразования, имеющей любую из приведен- ных ниже характеристик, функций или качеств, и специ- ально разработанные компоненты и вспомогательное обо- рудование II.17.8.1. Конструкция и технология производства систем сигналооб- разования общего канала, указанных в пункте I.16.5.3.1. II.17.8.2. Конструкция и технология производства аппаратуры комму- тации, выполняющей функции цифровых сетей интегрального обслуживания (ЦСИО), указанной в пунктах I.16.5.3.2.- I.16.5.3.2.2. II.17.8.3. Конструкция и технология производства аппаратуры комму- тации, имеющей многоуровневый приоритет и иерархию цепей коммутации, указанной в пункте I.16.5.3.3. II.17.8.4. Конструкция и технология производства аппаратуры комму- тации, имеющей адаптивную динамическую маршрутизацию, указанной в пункте I.16.5.3.4. II.17.8.5. Конструкция и технология производства аппаратуры комму- тации, имеющей маршрутизацию или коммутацию дейтограм- мных пакетов, указанной в пункте I.16.5.3.5. II.17.8.6. Конструкция и технология производства аппаратуры комму- тации, имеющей маршрутизацию или коммутацию пакетов быстрого выбора, указанной в пункте I.16.5.3.6. II.17.8.7. Конструкция и технология производства аппаратуры комму- тации, разработанной для автоматического вызова сотового радио к другим сотовым коммутаторам или для автоматичес- кого соединения абонентов с централизованной базой дан- ных, являющейся общей более чем для одного коммутатора, указанной в пункте I.16.5.3.7. II.17.8.8. Конструкция и технология производства коммутаторов паке- тов, каналов и маршрутизаторов, указанных в пунктах I.16.5.3.8.-I.16.5.3.8.2. II.17.8.9. Конструкция и технология производства аппаратуры оптической коммутации, указанной в пункте I.16.5.3.9. II.17.8.10. Конструкция и технология производства аппаратуры комму- тации, использующей методы асинхронного режима передачи, указанной в пункте I.16.5.3.10. II.17.8.11. Конструкция и технология производства аппаратуры комму- тации, содержащей оборудование цифровой кросс-коммутации со встроенным программным управлением со скоростью пере- дачи более 8,5 Мбит/с на порт, указанной в пункте I.16.5.3.11. II.17.9. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования или применения аппаратуры коммутации, указанной в пунктах I.16.5.3.- I.16.5.3.11. II.17.10. Конструкция и технология производства комплекса аппара- туры централизованного управления сети, указанной в пункте I.16.5.4. II.17.11. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения комплекса аппаратуры централизованного управления сети, указанного в пункте I.16.5.4. II.17.12. Технология для разработки или производства телекоммуни- кационного оборудования, специально разработанного для использования на борту спутников II.17.13. Конструкция и технология производства комплектов аппара- туры лазерной связи со способностью автоматического зах- вата, слежения сигнала и поддержания связи через атмо- сферу или подповерхностную среду (воду) II.17.14. Технология для производства аппаратуры, использующей ме- тоды синхронной цифровой иерархии или синхронной оптиче- ской сети II.17.15. Технология производства коммутационных центров со ско- ростью свыше 64 кбит/с на информационный канал, отличных от цифровых кросс-соединителей, встроенных в переключа- тель (коммутатор) II.17.16. Технология для централизованного управления сетью II.17.17. Технология производства цифровых сотовых радиосистем II.17.18. Технология для производства цифровых сетей интегрально- го обслуживания (ЦСИО) II.17.19. Общее программное обеспечение в отличной от машинно-ис- полняемой форме, специально разработанное или модифици- рованное для использования систем или оборудования циф- ровой коммутации с встроенным программным управлением II.17.20. Программное обеспечение в отличной от машинно-исполня- емой форме, специально разработанное или модифицирован- ное для использования оборудования или систем цифрового сотового радио II.17.21. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для обеспечения характеристик, функций или свойств аппаратуры, указанных в пунктах I.16.5.- I.16.5.4. II.17.22. Программное обеспечение, обеспечивающее способность вос- становления программного кода телекоммуникационного про- граммного обеспечения, указанного в пунктах II.17.7.- II.17.21. II.17.23. Конструкция и технология производства систем аппаратуры, специальных узлов, модулей или интегральных схем для за- щиты информации и других специально разработанных компо- нентов II.17.23.1. Конструкция и технология производства аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных или модифицированных для использования в криптографии с применением цифровых ме- тодов обеспечения защиты информации II.17.23.2. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения аппаратуры, узлов и компонентов, разра- ботанных для использования в криптографии, на которые распространяется экспортный контроль по пункту I.16.6.1. II.17.23.3. Конструкция и технология производства аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных или модифицированных для выполнения криптоаналитических функций II.17.23.4. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения аппаратуры, узлов и компонентов, разрабо- танных или модифицированных для выполнения криптоанали- тических функций II.17.23.5. Конструкция и технология производства аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных или модифицированных для использования в криптографии с применением аналоговых методов для обеспечения защиты информации, указанных в пункте I.16.6.3. II.17.23.6. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения аппаратуры, узлов и компонентов, разрабо- танных или модифицированных для использования в крип- тографии с применением аналоговых методов для обеспечения защиты информации, указанных в пункте I.16.6.3. II.17.23.7. Конструкция и технология производства аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных или модифицированных для подавления нежелательной утечки сигнала, содержащего информацию Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.23.7. не распростра- няется на конструкцию и технологию производства аппа- ратуры специального подавления утечки излучений, вредных для здоровья или безопасности окружающих II.17.23.8. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения аппаратуры, узлов и компонентов, разрабо- танных или модифицированных для подавления нежелательной утечки сигнала, содержащего информацию, указанных в пункте I.16.6.4. II.17.23.9. Конструкция и технология производства аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных или модифицированных для применения криптографических методов генерации кода расширения спектра или перестройки частоты II.17.23.10. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения аппаратуры, узлов и компонентов, разрабо- танных или модифицированных для применения крипто- графических методов генерации кода расширения спектра или перестройки частоты II.17.23.11. Конструкция и технология производства аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных или модифицированных для обеспечения сертифицированной или подлежащей серти- фикации многоуровневой защиты или изоляции пользователя на уровне, превышающем класс В2 критерия оценки надежных компьютерных систем или эквивалентном ему уровне II.17.23.12. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения аппаратуры, узлов и компонентов, разрабо- танных или модифицированных для обеспечения сертифи- цированной или подлежащей сертификации многоуровневой защиты или изоляции пользователя, на которые распростра- няется экспортный контроль по пункту I.16.6.6. II.17.23.13. Конструкция и технология производства кабельных систем связи, разработанных или модифицированных с использова- нием механических, электрических или электронных средств для обнаружения несанкционированного доступа II.17.23.14. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения кабельных систем связи, указанные в пункте I.16.6.7. II.17.24. Программное обеспечение с характеристиками или выпол- няющее функции аппаратуры, указанной в пунктах I.16.6.1. -I.16.6.7. II.17.25. Программное обеспечение для сертификации программного обеспечения, указанного в пункте II.17.24. II.17.26. Программное обеспечение, разработанное или модифици- рованное для защиты против нанесения преднамеренного ущерба, например, вирусов II.17.27. Конструкция и технология производства цифровых ЭВМ, спе- циально разработанных или приспособленных для решения задач криптографии и оснащенных оборудованием и програм- мными средствами для защиты информации II.17.28. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или использования цифровых ЭВМ, указанных в пункте I.16.7. II.17.29. Конструкция и технология производства гибридных ЭВМ, а также сборок и специально созданной для них элементной базы, указанных в пунктах I.16.8.-I.16.8.2. II.17.30. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения гибридных ЭВМ, а также сборок и специально созданной для них элементной базы, указанных в пунктах I.16.8.-I.16.8.2. II.17.31. Конструкция и технология производства цифровых ЭВМ, их сборок и сопутствующего оборудования, а также специально созданной для них элементной базы: II.17.31.1. Конструкция и технология производства цифровых ЭВМ, а также сборок, спроектированных для комбинированного рас- познавания, понимания и интерпретации изображений или непрерывной (связной) речи II.17.31.2. Конструкция и технология производства цифровых ЭВМ, а также сборок, указанных в пункте I.16.9.2, спроектиро- ванных или модифицированных для обеспечения отказо- устойчивости II.17.31.3. Конструкция и технология производства цифровых ЭВМ, име- ющих совокупную теоретическую производительность (СТП) свыше 12,5 миллиона теоретических операций в секунду (мегатопсов) II.17.31.4. Конструкция и технология производства сборок цифровых ЭВМ, специально спроектированных или модифицированных для повышения производительности путем объединения вы- числительных элементов, указанных в пунктах I.16.9.4.- I.16.9.4.2. II.17.31.5. Конструкция и технология производства накопителей на дисках и твердотельных приборов памяти II.17.31.5.1. Конструкция и технология производства накопителей на магнитных, перезаписываемых оптических или магнито- оптических дисках с максимальной скоростью передачи ин- формации, превышающей 25 Мбит/с II.17.31.5.2. Конструкция и технология производства твердотельных приборов памяти, не относящихся к оперативной памяти (известных также под названием твердотельных (жестких) дисков или дисков с произвольным доступом), с макси- мальной скоростью передачи информации, превышающей 36 Мбит/с II.17.31.6. Конструкция и технология производства устройств управ- ления вводом-выводом, спроектированных для применения с оборудованием, указанным в пунктах I.16.9.5.1.- I.16.9.5.2. II.17.31.7. Конструкция и технология производства аппаратуры для обработки сигналов или улучшения качества изображения, имеющей совокупную теоретическую производительность свы- ше 8,5 миллионов теоретических операций в секунду (мегатопсов) II.17.31.8. Конструкция и технология производства графических аксе- лераторов или графических сопроцессоров, превышающих скорость исчисления трехмерных векторов, равную 400000, а если аппаратно поддерживаются только двумерные век- тора, то превышающих скорость исчисления двумерных век- торов, равную 600000 Примечание Пункт II.29.31.8. не распространяется на конструкцию и технологию производства рабочих станций, созданных и ограниченных графическим искусством (например, полигра- фией, книгопечатанием) или отображением двумерных векторов II.17.31.9. Конструкция и технология производства цветных дисплеев или мониторов, имеющих более 12 разрешающих элементов на миллиметр в направлении максимальной плотности пикселей Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.31.9. не распрос- траняется на конструкцию и технологию производства дисплеев или мониторов, не спроектированных специально для ЭВМ II.17.31.10. Конструкция и технология производства аппаратуры, содер- жащей в своем составе терминальный интерфейс, превосхо- дящий пределы, установленные пунктом I.16.5.2.3. и на которую распространяется экспортный контроль по пункту I.16.9.10. II.17.32. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения цифровых ЭВМ, сборок и сопутствующего оборудования, указанных в пунктах I.16.9.-I.16.9.10. II.17.33. Конструкция и технология производства вычислительных ма- шин и специально спроектированного сопутствующего обору- дования, их сборок и элементной базы II.17.33.1. Конструкция и технология производства систолических мат- ричных вычислительных машин II.17.33.2. Конструкция и технология производства нейронных вычисли- тельных машин II.17.33.3. Конструкция и технология производства оптических вычис- лительных машин II.17.34. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или использования вычислительных машин и специально спроек- тированного сопутствующего оборудования, указанных в пунктах I.16.10.-I.16.10.3. II.17.35. Технология производства оборудования, спроектированного для многопоточной обработки данных II.17.36. Технология производства накопителей на жестких магнитных дисках с максимальной скоростью передачи информации свыше 11 Мбит/с II.17.37. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для поддержки технологии, на которую распространяется экспортный контроль по пунктам II.17.35. и II.17.36. II.17.38. Специальное программное обеспечение: II.17.38.1. Программное обеспечение для доказательства корректности программы и испытания качества с применением математи- ческих и аналитических методов, разработанное или мо- дифицированное под программы, имеющие свыше 500000 ко- манд в исходных кодах II.17.38.2. Программное обеспечение, позволяющее автоматически гене- рировать исходные коды по данным, поступающим в режиме "он-лайн" с внешних датчиков, описанных в позициях дан- ного перечня II.17.38.3. Программное обеспечение операционных систем, инструмен- тарий разработки программного обеспечения и компиляторы, специально спроектированные для оборудования многопоточ- ной обработки данных в исходных кодах II.17.38.4. Экспертные системы или программное обеспечение для меха- низмов логического вывода экспертных систем, обладающие обоими признаками одновременно: правилами, зависящими от времени; примитивами для работы с временными характеристиками правил и факторов II.17.38.5. Операционные системы, специально спроектированные для оборудования обработки информации в реальном масштабе времени, гарантирующие полное время обработки прерывания меньше чем за 30 мкс _____________